就在近日，有關(guān)高通新一代驍龍系列旗艦芯片 Snapdragon 835（MSM8998）的部分細(xì)節(jié)悄然被泄露出來(lái)，對(duì)此很多機(jī)友已經(jīng)開(kāi)始 YY 下一部三星旗艦手機(jī) Galaxy S8 了。畢竟之前很多報(bào)道稱(chēng)，明年 MWC 2017 世界移動(dòng)通信大會(huì)上三星所發(fā)布的 Galaxy S8 將會(huì)是第一款搭載 Snapdragon 835 處理器的智能手機(jī)。需要注意的是，今年三星旗艦 Galaxy S7，搭載了高通今年旗艦芯片 Snapdragon 820 ，不過(guò)也有一部分采用的是自家的 Exynos 8890 處理器。

　　因此，不出意外的話，三星下一代旗艦 Galaxy S8 也會(huì)延續(xù)同樣的策略，而且據(jù)稱(chēng)三星 Exynos 8895 或全新的 9xxx 系列芯片已經(jīng)在開(kāi)發(fā)當(dāng)中了。那么，高通和三星的兩個(gè)新的旗艦芯片，進(jìn)行對(duì)比的話情況會(huì)如何呢？

　　我們先來(lái)回顧一下 Snapdragon 835 泄露的一些信息，該芯片基于三星的 10 納米 FinFET 工藝制造，將會(huì)是一枚八核處理器，因?yàn)榕渲昧?8 個(gè)定制的 Kryo 200 CPU 內(nèi)核，還集成有 Adreno 540 GPU 和 X16 調(diào)制解調(diào)器，屆時(shí)與之搭配的將是 LPDDR4X 內(nèi)存和 UFS 2.1 儲(chǔ)存。從這些信息來(lái)看，Snapdragon 835 似乎回歸到了與三星 Exynos 相同 big.LITTLE 設(shè)計(jì)。

　　雖然有關(guān)高通和三星旗艦的細(xì)節(jié)都仍未獲得證實(shí)，但此前有關(guān)傳聞稱(chēng)，三星 Exynos 8895 芯片將擁有比 Exynos 8890 更高的頻率，大內(nèi)核的頻率達(dá)到 3GHz，小內(nèi)核則是 2.7GHz，尚不清楚三星是否繼續(xù)使用定制的 M1 CPU 內(nèi)核，說(shuō)不定三星也可能回歸到公版的 ARM Cortex 解決方案。不過(guò)，幾乎可以肯定的是，三星將依靠自己的 10 納米 FinFET 工藝制造芯片。

　　另外，三星的新旗艦芯片還有望配備了 ARM 最新的 Mali-G71 GPU。若是如此，相比今年 Exynos 8890 的 Mali-T880 GPU 將可提供高達(dá) 80％ 以上的性能提升，并進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì) 4K 內(nèi)容和顯示屏的支持。當(dāng)然了，Mali-G71 并非三星專(zhuān)利，華為海思麒麟 960 發(fā)布時(shí)已首次亮相。

　　還有一種可能就是，Exynos 8895 只是三星例行的增強(qiáng)版而已，真正的新旗艦芯片會(huì)是 Exynos 9xxx 系列，同樣提供了 70% 左右的圖形處理性能提升，目的是服務(wù)于雙攝像頭配置。最近的消息還顯示，三星希望能夠?qū)?Shannon 調(diào)制解調(diào)器集成到芯片內(nèi)部，與高通形成直接競(jìng)爭(zhēng)，畢竟高通的長(zhǎng)期優(yōu)勢(shì)就是集成了 X 系列調(diào)制解調(diào)器。

　　三星可能會(huì)對(duì) Shannon 359 調(diào)制解調(diào)器非常感興趣，因?yàn)橥瑫r(shí)支持 LD-LTE、LTE FDD、TD-SDCMA、WCDMA、CDMA 和 GSM 等網(wǎng)絡(luò)制式，相當(dāng)于為全網(wǎng)通。所以，三星只要完成集成，不依賴(lài)高通也能夠?qū)崿F(xiàn)所有的 Galaxy 旗艦標(biāo)配 Exynos 處理器。不過(guò)，Shannon 359 在 2017 年第三季度之前難以出貨，Galaxy S8 還是無(wú)法避開(kāi)高通芯片。

　　總之，三星半導(dǎo)體部門(mén)正變得越來(lái)越強(qiáng)大，而且作用越來(lái)越重要，高通芯片也由三星代工，所以三星不會(huì)錯(cuò)過(guò)任何展示 Exynos 新旗艦芯片的任何機(jī)會(huì)，特別是借助 Galaxy S8 直接與 Snapdragon 835 進(jìn)行對(duì)比。