?●空調(diào)壓縮機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng) ?●高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源 ?●半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?? 如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于高壓半橋驅(qū)動(dòng)中，使得高壓輸出側(cè)可以承受高達(dá)1200V的直流電壓，同時(shí)SW pin可以滿(mǎn)足高dv/dt和耐負(fù)壓尖峰的需求?？蛇m
2022-06-27 09:57:07
2093 
穩(wěn)壓器調(diào)整端增加簡(jiǎn)單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動(dòng)電流 ,有時(shí)，設(shè)計(jì)約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 
傳感器時(shí)要面臨一些挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)與絕緣的嚴(yán)格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關(guān)的更高 dv/dt （50-100 V/ns） 相關(guān)。有不同的方法可以測(cè)量中壓電源的電壓，其中一些是霍爾效應(yīng)傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯。在理想條件下，我們可以在電阻分壓器中找到無(wú)限帶寬。
2022-07-26 08:03:01741 
`采用AOZ1051PI作 DC-DC buck電路時(shí)大電流突變時(shí)，輸入、輸出電壓極其不穩(wěn)。怎么解決？片外補(bǔ)償R C對(duì)調(diào)節(jié)輸出電壓有什么作用？高手指點(diǎn)!`
2014-07-09 17:15:26
電容兩端的電壓不能突變 (當(dāng)電容足夠大時(shí),可認(rèn)為其電壓不變)；電感中的電流不能突變 (當(dāng)電感足夠大時(shí),可認(rèn)為其電流恒定不變)；流經(jīng)電容的電流平均值在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)為零；電感兩端的伏秒積在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)必須平衡。...
2021-10-29 06:31:02
1傳導(dǎo)電磁干擾簡(jiǎn)介在開(kāi)關(guān)電源中，開(kāi)關(guān)管周期性的通斷會(huì)產(chǎn)生周期性的電流突變（di/dt）和電壓突變(dv/dt)，周期性的電流變化和電壓變化則會(huì)導(dǎo)致電磁干擾的產(chǎn)生。圖1所示為Buck電路的電流變化，在
2021-11-12 07:04:56
在開(kāi)關(guān)電源中，電壓和電流的突變，即高dv/dt和di/dt，是其EMI產(chǎn)生的主要原因。實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)技術(shù)措施主要基于以下兩點(diǎn)： （1）盡量減小電源本身所產(chǎn)生的干擾源，利用抑制干擾的方法或
2013-02-28 19:49:18
開(kāi)關(guān)電源EMI抑制的9大措施在開(kāi)關(guān)電源中，電壓和電流的突變，即高dv/dt和di/dt，是其EMI產(chǎn)生的主要原因。實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)技術(shù)措施主要基于以下兩點(diǎn)：(1)盡量減小電源本身所產(chǎn)生的干擾
2011-07-11 11:39:36
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 13:37 編輯
輸入端接傳感器后電壓值突變為負(fù)一點(diǎn)幾伏
2012-03-10 14:00:06
問(wèn)下大家，一般開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒(méi)有計(jì)算關(guān)系？還是說(shuō)一般取經(jīng)驗(yàn)值，為什么一般上升速度會(huì)做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
關(guān)于限制穩(wěn)壓器啟動(dòng)時(shí)dV/dt和電容的電路的詳細(xì)介紹
2021-04-12 06:21:56
電壓突變的影響 dV/dT
2008-08-03 10:49:40
本文分析了小波變化檢測(cè)突變信號(hào)的原理，利用小波變換模的極大值和信號(hào)突變點(diǎn)的關(guān)系，結(jié)合Haar 函數(shù)和dbN 函數(shù)，在MATLAB 平臺(tái)上進(jìn)行仿真測(cè)試，給出實(shí)例分析。結(jié)果表明，小波
2009-09-16 11:28:59
14 Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:3210 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開(kāi)關(guān)可以降低開(kāi)關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來(lái)越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在
2009-11-28 11:26:1543 摘要:分析電路中電容電壓和電感電流發(fā)生突變的條件以及決定突變程度的因素，并舉例加以說(shuō)明，關(guān)鍵詞:電容 電感 突變 沖激電壓 沖激電流
2010-05-12 08:58:2335
DT810型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:42:08646 
DT830A,CM3900,DT840型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:45:54564 
DT830A,CM3900,DT840型小數(shù)點(diǎn)及低電壓指示符驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-18 16:46:29468 
DT830A,CM3900,DT840型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:47:17441 
DT830B、CM2300型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:50:191064
DT830B、CM2300型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:50:56703 
DT830C、CM2400型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:54:49448
DT830C、CM2400型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:55:38474 
DT830型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:58:162257 
DT830型小數(shù)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)及低電壓指示電路圖
2009-07-18 16:59:231009
DT830型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:02:22687 
DT840D、CM3900A型AD轉(zhuǎn)換及低電壓指示電路圖
2009-07-18 17:04:12543 
DT840D、CM3900A型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:06:41499 
DT840D、CM3900A型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:07:59395 
DT890、DT890A型AD轉(zhuǎn)換電路圖
2009-07-18 17:09:24768 
DT890、DT890A型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:13:031000 
DT890B型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:27:39804 
DT890B型小數(shù)點(diǎn)及低電壓指示符驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-18 17:28:58702 
DT890B型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:29:581226 
DT-1型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:32:58517 
DT-1型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:34:43456 
DT809C+、CM3920型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:24:35794 
DT809C+、CM3920型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:26:23539 
DT809C型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:28:07567 
DT809C型小數(shù)點(diǎn)與低電壓指示符的驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-20 17:28:33462 
DT809C型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:29:22457 
DT940C型小數(shù)點(diǎn)及低電壓指示電路圖
2009-07-20 17:35:23636 
DT940C型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:36:38662 
DT940C型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:39:08684 
DT860型基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路圖
2009-07-21 17:38:22740 
DT930F型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-22 17:17:361007 
DT930F型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-22 17:19:31932 
DT940改進(jìn)型直流電壓擋的簡(jiǎn)化電路圖
2009-07-22 17:21:29559 
DT1000、CM4200型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-22 17:29:49818 
DT1000、CM4200型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-22 17:30:47712 
什么是Mini DV磁帶
以Mini DV為紀(jì)錄介質(zhì)的數(shù)碼想像機(jī)在數(shù)碼攝像機(jī)市場(chǎng)上占有主要
2009-12-21 11:14:05735 電流的突然變化可能影響附近其他電路上的信號(hào)。這一串?dāng)_通過(guò)互感機(jī)制而產(chǎn)生。兩個(gè)鄰近放置的電路元件總是會(huì)相互感應(yīng)。為了計(jì)算電感耦合的大小，首先必須估
2010-06-01 18:15:222562 
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平
2013-01-10 15:30:1246 2016年10月31日，ZLG致遠(yuǎn)電子正式發(fā)布DT800無(wú)線電壓監(jiān)測(cè)儀。DT800采用高精度采樣芯片，多級(jí)運(yùn)算技術(shù)，不僅運(yùn)算能力凸顯，測(cè)量精度達(dá)到0.2%，高于我國(guó)《電壓監(jiān)測(cè)儀使用技術(shù)條件（DL/T500-2009）》中電壓監(jiān)測(cè)儀產(chǎn)品的測(cè)量精度0.5%的標(biāo)準(zhǔn)。
2016-10-31 10:55:551262 Si827x數(shù)據(jù)表：具有高瞬態(tài)(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 基于突變理論的風(fēng)電場(chǎng)靜態(tài)電壓穩(wěn)定分析方法_葛江北
2017-01-05 15:33:030 發(fā)生區(qū)內(nèi)外故障時(shí)，兩端保護(hù)裝置檢測(cè)的電壓和電流突變量的極性差異，提出基于Hilbert-Huang變換的突變量方向縱聯(lián)保護(hù)方法。在分析不同故障時(shí)電壓和電流突變量相位差別的基礎(chǔ)上，采用Hilbert-Huang變換求取突變量相位差，識(shí)別兩者的極性差
2018-03-16 10:43:580 器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝，進(jìn)一步擴(kuò)展光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800 V，靜態(tài)dV/dt為1000
2019-01-16 18:18:01442 和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800V，靜態(tài)dV/dt為1000V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。 日前發(fā)布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380 VAC線路低電壓邏輯，控制電
2019-03-12 22:30:01322 dV/dT濾波器在遠(yuǎn)離電機(jī)300米處仍然能保證滿(mǎn)足電機(jī)的最大峰值電壓規(guī)格（母線電壓的150%）。它的額定值為最大達(dá)每毫秒200V的dV/dT值。但在一些特別的應(yīng)用中，電纜長(zhǎng)度達(dá)到900米時(shí)，這種
2019-05-13 16:12:106045 dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。對(duì)系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，過(guò)高的dv/dt必然會(huì)帶來(lái)高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過(guò)該變化速率通過(guò)系統(tǒng)電路可以進(jìn)行修正。
2020-06-05 09:18:4717626 英飛凌電流源型驅(qū)動(dòng)芯片，一種非常適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案的產(chǎn)品，將同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無(wú)核變壓器技術(shù)平臺(tái)的隔離式驅(qū)動(dòng)芯片，能精準(zhǔn)地實(shí)時(shí)控制開(kāi)通時(shí)的dv/dt。下面我們來(lái)仔細(xì)看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:072945 電感電流為什么不能突變呢？來(lái)看這個(gè)公式，U等于負(fù)的L乘以di比dt。Di比dt是指電流的變化率，電流突變，意味著di比dt無(wú)限大，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生無(wú)限大的電壓。
2020-10-02 17:26:0032790 
高共模噪聲是汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)必須克服的一個(gè)重大問(wèn)題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時(shí)，共模噪聲（又稱(chēng) dV/dt 噪聲）便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來(lái)源，并提出一些方法來(lái)盡量減少噪聲對(duì)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的影響。
2021-03-15 15:16:273189 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會(huì)不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 Hi3520DV400 SVB電壓和寄存器對(duì)應(yīng)關(guān)系說(shuō)明。
2021-05-21 11:17:030 1傳導(dǎo)電磁干擾簡(jiǎn)介在開(kāi)關(guān)電源中，開(kāi)關(guān)管周期性的通斷會(huì)產(chǎn)生周期性的電流突變（di/dt）和電壓突變(dv/dt)，周期性的電流變化和電壓變化則會(huì)導(dǎo)致電磁干擾的產(chǎn)生。圖1所示為Buck電路的電流
2021-11-07 12:51:009 Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側(cè)，用來(lái)抑制變頻器逆變側(cè)的Du/Dt，保護(hù)電動(dòng)機(jī)，同時(shí)，還能夠延長(zhǎng)變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無(wú)法改變變頻器逆變側(cè)的電壓波形。
2021-12-20 10:19:545283 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:223889 
我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)速度非?？?，1秒可以開(kāi)關(guān)上千次(kHz)，高速功率器件可達(dá)到幾十kHz，甚至上百kHz。開(kāi)關(guān)速度越快意味著器件的電壓變化率dv/dt和電流變化率di
2022-04-22 11:29:482477 首先，讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)包括：開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、開(kāi)通電流上升率di/dton、開(kāi)通電壓下降率dv/dton，電流上升時(shí)間tr
2022-04-27 15:10:216744 假設(shè)電感的電流能突變，即需要無(wú)窮大的電壓，在實(shí)際中也是不存在的，即電感電流不能突變。
2022-08-12 18:00:5212774 
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中，放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
2022-12-19 09:38:491180 電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078 
IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:44703 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01556 
di/dt水平過(guò)高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時(shí)，施加到半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力會(huì)大大超過(guò)額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528 
在計(jì)算DC-DC所需電感之前，首先介紹一個(gè)電感相關(guān)的公式。毫不夸張地講，這是電感最最重要的公式，沒(méi)有之一。
V=L*dV/dt
這個(gè)公式之所以重要，因?yàn)樗w現(xiàn)了電感的諸多特性，比如
2023-03-07 10:28:356 的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:44913 
９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)
2022-03-29 10:35:54214 
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-07-05 10:43:30192 
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-07-05 10:45:53198 該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-07-05 15:13:22219 高壓雙向可控硅（SCR）具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-07-12 10:40:00519 
①靜態(tài)dV/dt：會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化，導(dǎo)致錯(cuò)誤開(kāi)通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開(kāi)通。
2023-07-14 14:39:26702 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電感量突變的原因.docx》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:48:584 引言：在開(kāi)關(guān)電源中，開(kāi)關(guān)管周期性的通斷會(huì)產(chǎn)生周期性的電流突變(di/dt)和電壓突變(dv/dt)，周期性的電流變化和電壓變化則會(huì)導(dǎo)致電磁干擾的產(chǎn)生。
2023-10-18 16:24:173890 
電容電壓、電感電流為什么不能突變呢？ 電容電壓和電感電流是電路中常見(jiàn)的兩個(gè)物理量，它們都有一個(gè)共同的特點(diǎn)，即它們?cè)陔娐分胁荒芩查g發(fā)生變化。所謂“不能突變”，指的是在電路中電容電壓和電感電流的變化都是
2023-10-23 10:19:202878 泰藝電壓控制石英振蕩器DT-515150.8x50.8mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050 泰藝電壓控制石英振蕩器DT-656565x65mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050 當(dāng)電晶體開(kāi)關(guān)時(shí)電壓和電流出現(xiàn)重疊時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)硬切換。這種重疊會(huì)造成能量損失，可透過(guò)提高di/dt和dv/dt將能量損失降至最低。然而，快速變化的di/dt或dv/dt會(huì)產(chǎn)生EMI。因此，應(yīng)最佳化di
2023-11-18 08:26:58140 
電力電容器在電網(wǎng)運(yùn)行中起到了重要的作用，它能夠幫助調(diào)整電壓以保障電網(wǎng)的穩(wěn)定性和安全性。然而，電壓突變是一個(gè)常見(jiàn)但又困擾著電力系統(tǒng)的問(wèn)題，如何應(yīng)對(duì)電壓突變成為了一個(gè)迫切需要解決的問(wèn)題。
2023-11-22 14:36:43534 
電容電壓、電感電流為什么不能突變？ 電容電壓與電感電流的突變問(wèn)題，主要涉及到電路中的能量轉(zhuǎn)換和能量守恒原理。電容電壓和電感電流是電路中儲(chǔ)存和釋放能量的兩種方式，它們不能突變的原因可以從以下幾個(gè)方面
2024-02-19 15:10:30341 選擇合適的隔離電壓，有效防止電流、電壓突變對(duì)其他電路的影響 BOSHIDA 源模塊隔離電壓指的是電源模塊的輸入和輸出之間的電壓隔離。在電源模塊中，輸入端和輸出端是通過(guò)隔離元件，如變壓器或光耦等，實(shí)現(xiàn)
2024-03-07 09:08:09122 IP DV的主要工作是根據(jù)IP的spec，提取testplan，搭建驗(yàn)證環(huán)境，收斂覆蓋率。但是上述的過(guò)程多見(jiàn)于新的IP，對(duì)于已經(jīng)成熟的IP，IP DV的主要工作是針對(duì) 改動(dòng)的feature 提取testplan，增加驗(yàn)證用例。
2024-03-21 10:02:5188
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