目前應用較為廣泛為IR2110-IR2153，L6569+6569，UBA2030～UBA2033。在HID 全橋中以半橋的高壓吸收以及芯片排版等處理較為重要。例：在2153+2153.6569+6569 的主電路中，上管的自舉電壓中輸出信號的處理有幾點經驗：

　　1. 上管的供電電壓是由芯片Vcc 處12v 經外部二極管或內部二極管在下管導通時中線接地后，向VB 端充電。下管截上后，上管導通時，中線由對地OV 上拉到接近400v。此時，VB 端在中線上加11V(二極管減0.7v 后到電容上只有11v 左右)上管的驅動能量均由此電容的充電電流驅動，所以，電容的電壓決定上管工作狀態，如：容量較小在全橋驅動中，由于頻率較低向電容的充電次數沒有高頻中的次數多，所以需相應加大此處電容容量以保證上管的驅動電壓，在向上管輸出1 時，在1 的后端電壓最好能高過9v。否則上管的MOS 開關波形將會受損，開關損耗加大，易損壞。可將芯片的Vcc 提到15v可改善此項，但也要根據不同MOS 調試，結果不同。

　　2. 盡可能做到芯片的單點接功率管的地，此項對在驅動MOS 的芯片輸出波形上較為重要，以減小外界對芯片工作時的干擾，Vb 電容，RT.CT 布線要短，Vcc 濾波電容要盡可能靠近1 和4 腳。

　　3. 在中線上接一只二極管并于VB 電容端正端以防半橋中線振蕩時帶來的正向尖脈沖會損壞芯片懸浮地VSS，也就是電路啟動或者正常工作時(特別是在燈泡未進入穩態的過程中)輸出波形抖動對半橋的正向尖脈沖易損壞芯片。

　　4. UBA2030-2033，這是飛利浦針對全橋驅動專業設計的芯片有HV自供電功能比較先進和簡單的電路驅動結構。由HV 降壓濾波電容，RT.CT.VB 電容即可工作。如用簡單的驅動，顯然，UBA2030 的絕大部分優勢并未顯現。如減小低頻方波對于鎮流器以及電源沖擊，以及噪聲的處理，可用單片機生成PWM 波對UBA2030，以及全橋IR2110-+2153 實現接近正弦波的處理，即生成在純方波之前和之后加一高速PWM 的小方波，以平滑全橋方波的前極和后極形成過渡電壓波形即可，出現接近正弦波可有效減小，純方波帶來的低頻噪音及對鎮流器周邊輻射。

　　5. 全橋MOS 中二個半橋對地電容以及二極管對尖峰吸收作用根據以往的經驗，不要太過依賴MOS 中的自代的二極管，要加強全橋中的Lc 吸收。

　　6. 高壓點火路線由于后極母線電壓會隨燈的擊穿而降至燈電壓，所以原則只要選擇的放電管的雪崩值高于燈管電壓而低于母線空載電壓即可。一般選取230v～350v 之間，有半導體DISC，空氣放電式，陶瓷放電式，可控硅觸發式，自耦式等多種結構。目前以半導體式和自耦式居多。汽車的HID 以陶瓷放電為主。

　　⑴ 半導體式 放電次數較多，壽命較長。但放電能力有限，峰值電流不大,電壓精度較好。

　　⑵ 空氣放電 式受空氣的濕度影響較大，對于放電電壓要求不高的高壓場合較為適用，可用于超高壓的快速啟動的二級放電。

　　⑶ 陶瓷管 來源于防雷管領域，優點順態電流可上千A，壽命不長，有效壽命在5 萬-10 萬次左右，(視不同廠家效果不同，最好的是西門子)，壽命末期電壓值漂離較大。

　　⑷ 可控硅式 早期由于DISC 的半導體結構的不成熟而做的替代電路，由DB3 的分壓決定可控硅的放電電壓，壽命較長，但電流能量較小，開關速度較慢，對于高壓鈉燈較為適用，對于金鹵燈對脈沖寬度有要求的場合不太適用，可改良結構但成本較高放棄。

　　⑸ 自耦式 將全橋的電線并聯一104-474 電容.在電容中串入變壓器的初級,全橋振蕩時,電容二端電壓突變充放電流流過變壓器初級時,會在次級形成高壓輸出，升壓能力由 MOS 的內阻以及電容的內阻決定，電流大小由電容容量決定,但電容越大,充放電電流越大,對全橋造成的負擔越重,不利于長期燈工作，越小容量放電電流越弱,對長線點火不利,同一負載用自耦式104 和DISC 式全橋有10 度左右溫差。(150Hz 70w)