??????? 我們知道，造成設備性能降低或失效的電磁干擾必須同時具備三個要素，首先是有一個電磁場所，其次是有干擾源和被干擾源，最后就是具備一條電磁干擾的耦合通路，以便把能量從干擾源傳遞到受干擾源。因此，為解決設備的電磁兼容性，必須圍繞這三點來分析。一般情況下，對于EMI的控制，我們主要采用三種措施：屏蔽、濾波、接地。這三種方法雖然有著獨立的作用，但是相互之間是有關聯的，良好的接地可以降低設備對屏蔽和濾波的要求，而良好的屏蔽也可以使濾波器的要求低一些。下面，我們來分別介紹屏蔽、濾波和接地。

　　1屏蔽

　　屏蔽能夠有效的抑制通過空間傳播的電磁干擾。采用屏蔽的目的有兩個，一個是限制內部的輻射電磁能量外泄出控制區域，另一個就是防止外來的輻射電磁能量入內部控制區。按照屏蔽的機理，我們可以將屏蔽分為電場屏蔽、磁場屏蔽、和電磁場屏蔽。

　　1.1 電場屏蔽

　　一般情況下，電場感應可以看成是分布電容間的耦合，圖1是一個電場感應的示意圖。

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　　圖1 電場感應示意圖

　　其中A為干擾源，B為受感應設備，其中Ua和Ub之間的關系為

　　Ub=C1*Ua/(C1+C2)

　　C1為A、B之間的分布電容;C2為受感應設備的對地電容。

　　根據示意圖和等式，為了減弱B上面的地磁感應，使用的方法有

　　增大A和B之間的距離，減小C1。

　　減小B和地之間的距離，增大C2。

　　在AB之間放置一金屬薄板或將A使用金屬屏蔽罩罩住A，C1將趨向0數值。

　　相對來說1和2比較容易理解，這里主要針對第3種方法進行分析。由圖2可以看出，插入屏蔽板后(屏蔽板接地)。就造成兩個分布電容C3和C4，其中C3被屏蔽板短路到地，它不會對B點的電場感應產生影響。而受感應物B的對地和對屏蔽板的分布電容，C3和C4，實際上是處在并聯的位置上。這樣，B設備的感應電壓ub'應當是A點電壓被A、B之間的剩余電容C1'與并聯電容C2和C4的分壓，即

　　Ub=C1'*Ua/(C1'+C2+C4)

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　　圖2 加入金屬板后的電場感應圖

　　由于C1'遠小于為屏蔽的C1，所以在B的感應電壓就會減小很多。因此，很多時候都采用這種接地的金屬罩作為屏蔽物。

　　以下是對電場屏蔽的幾點要點總結：

　　屏蔽金屬板放置靠近受保護設備比較好，這樣將獲得更大的C4，減小電場感應電壓。

　　屏蔽板的形狀對屏蔽效能的高低有明顯的影響，例如，全封裝的金屬盒可以有最好的電場屏蔽效果，而開孔或帶縫隙的屏蔽罩可以有最好的電場屏蔽效果，而且開孔或者帶縫隙的屏蔽罩，其屏蔽效能會受到不同程度的影響.

　　屏蔽板的材料以良性導體為佳。對厚度并無特殊要求。

　　1.2磁場屏蔽

　　由于磁場屏蔽通常是對直流或很低頻場的屏蔽，其效果和電場屏蔽和電磁場屏蔽相比要差很多，磁場屏蔽的主要手段就是依賴高導磁材料具有的低磁阻，對磁通起分路的作用，使得屏蔽體內部的磁場大大減弱。

　　對于磁場屏蔽需要注意的幾點：

　　減小屏蔽體的磁阻(通過選用高導磁率材料和增加屏蔽體的厚度)

　　被屏蔽設備和屏蔽體間保持一定距離，減少通過屏蔽設備的磁通。

　　對于不可避免使用縫隙或者接風口的，盡量使縫隙或者接風口呈條形，并且順沿著電磁線的方向，減少磁通。

　　對于強電場的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽體的結構。對要屏蔽外部強磁場的，則屏蔽體外層要選用不易磁飽和的材料，如硅鋼等;而內部可選用容易到達飽和的高導磁材料。因為第一次屏蔽削弱部分，第二次削弱大部分，如果都使用高導磁，會造成進入一層屏蔽的在一層和二層間造成反射。如果要屏蔽內部的磁場，則相反。而屏蔽體一般通過非磁性材料接地。

　　1.3電磁場屏蔽

　　電磁場屏蔽是利用屏蔽體阻隔電磁場在空間傳播的一種措施。和前面電場和磁場的屏蔽機理不同，電磁屏蔽對電磁波的衰減有三個過程：

　　當電磁波在到達屏蔽體表面時，由于空氣與金屬的交界面上阻抗不連續，對入射波產生反射，這種反射不要求屏蔽材料必須有一定厚度，只需要交界面上的不連續。

　　進入屏蔽體的電磁波，在屏蔽體中被衰減。

　　穿過屏蔽層后，到達屏蔽層另一個屏蔽體，由于阻抗不連續，產生反射，重新回到屏蔽體內。

　　從上面三個過程看來，電磁屏蔽體對電磁波的衰減主要是反射和吸收衰減。