高強度放電（HID）燈最初設計用于戶外和工業(yè)應用，因其顯色特性已得到改進且小尺寸已上市，目前已延伸至室內(nèi)應用，如辦公室照明和零售燈飾。HID燈需要一個鎮(zhèn)流器來激發(fā)放電，并在燈啟動后限制住電流。混合頻率全橋逆變器是HID燈鎮(zhèn)流器中一個較為常用的拓撲結構，因為它可以通過方形波產(chǎn)生替代低頻電壓，只需單一逆變器級即可同樣控制輸出電壓的振幅。

　　然而，當該逆變器在連續(xù)電流模式（CCM）下運行時須考慮MOSFET故障。 因此，逆變器應在臨界電流模式下（CRM）運行以避免MOSEFT故障。HID燈點火后抗阻變得極低。 這種情況下，逆變器不可避免地要在連續(xù)電流模式（CCM）下運行，并出現(xiàn)擊穿電流。 因此，必須使用附加快速恢復二極管 （FRD）來防止故障出現(xiàn)。 新型UniFET II MOSFET具有可靠的體二極管特性，其峰值反向恢復電流足夠低，能夠防止器件故障。 本文將介紹HID燈鎮(zhèn)流器混合頻率全橋逆變器的效能。為了驗證其有效性，使用150W室內(nèi)HID燈鎮(zhèn)流器進行實驗并提供實驗結果。

　　混合頻率逆變器和故障機理

　　HID燈鎮(zhèn)流器的工作模式簡單分為2種狀態(tài)：瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)。 瞬態(tài)下，燈抗阻變得極低，因此燈電壓降低以限制燈電流。 隨著燈抗阻的穩(wěn)定上升，燈電壓也逐漸增高，工作模式從瞬態(tài)轉變?yōu)榉€(wěn)態(tài)。 峰值燈電流低于Ilimit之后，燈由恒定功率控制模式驅動。 鎮(zhèn)流器的運行必須遵循上述流程，圖1顯示HID燈鎮(zhèn)流器中的混合頻率全橋逆變器。 在圖1中，Q5為點火開關，產(chǎn)生一個脈沖高壓將HID燈點亮。 混合頻率逆變器由高頻臂（包括MOSFET Q1和Q2以及附加二極管D1~D4）和低頻臂（包括IGBT Q3和Q4）組成。 由于燈只在點火后才會放電，因此需要一個點火電路。 Q5和變壓器T組成點火電路。 電源開啟后，Q5開始開關過程，一個超過3 kV的高電壓即通過變壓器T應用到燈上。燈一旦通過高電壓點亮后，Q5的開關過程即停止，燈通過交流電壓方波發(fā)光。 變壓器T、電感器L以及電容器C 的漏電感組成低通濾波器。 逆變器的運行分為4種模式，但其中2種模式反復交替。半個周期內(nèi)，在低頻臂中，一個IGBT保持導通狀態(tài)，另一個IGBT保持關斷狀態(tài)，而在高頻臂中的一個MOSFET處于高頻開關狀態(tài)。 因此，平均燈電壓可通過控制高頻引腳中MOSFET的占空比得以控制。

　　圖1： HID燈鎮(zhèn)流器混合頻率逆變器

　　如果逆變器的高頻臂在連續(xù)電流模式（CCM）下工作，由于MOSFET體二極管反向恢復特性較差，在高端和低端開關中必然都會出現(xiàn)高電流峰值。 這種高電平電流實際上不存在擊穿條件，只是看起來像，因為高端開關和低端開關中的電流方向是相同的。 高電流峰值可觸發(fā)MOSFET結構中的寄生雙極結型晶體管。 寄生雙極結型晶體管（BJT）導通后，由于負溫度系數(shù)，會形成一個熱點且更多電流匯集其中，這最終將導致器件故障。 一個常見的解決方案是應用阻斷二極管來阻止體二極管導通，在MOSFET兩端并聯(lián)額外的續(xù)流二極管，以減少峰值電流水平。 在圖1中，D1和D3是阻流二極管，需要較低的正向壓降；D2和D4是續(xù)流二極管，需要快速恢復特性。 這些二極管必然會阻止故障出現(xiàn)，但是增加了電路復雜性和系統(tǒng)成本。

　　最新MOSFET技術

　　MOSFET體二極管的反向恢復特性遠次于分立式快速恢復二極管。 功率MOSFET的體二極管反向恢復時間非常長，且反向恢復電荷非常大。 盡管其性能比較差，功率MOSFET的體二極管還是經(jīng)常在橋式電路中用作續(xù)流二極管。 正因為越來越多的應用將MOSFET體二極管用作系統(tǒng)關鍵元件，才促使MOSFET體二極管特性有了很大的改進。 通常來說，可以通過使用壽命控制過程來實現(xiàn)這個目的，這類似于分立式快速恢復二極管。 這一額外過程控制載流子的壽命，從而減少反向恢復電荷和反向恢復時間。 然而，該過程也帶來某些缺陷。 更多的壽命控制導致MOSFET導通電阻增大。 這與導致正向壓降增大的分立式快速恢復二極管的副作用類似。 另外一個負效應是漏源極間的漏電流增大，但漏電流水平仍在可接受范圍內(nèi)，并且在大多數(shù)情況下無關緊要。 因此，電氣特性的主要權衡點在于反向恢復性能和導通損耗。 在HID燈鎮(zhèn)流器混合頻率逆變器應用中，較小的反向恢復電荷對于系統(tǒng)可靠性是非常重要的。 去除肖特基二極管（D1 和D2）能夠減少導通損耗，以補償略有增加的MOSFET（Q1和Q2）導通電阻。 現(xiàn)在，重要的是Q1和Q2有了可以與分立式快速恢復二極管D2和D4不相上下的強壯體二極管性能。 為了實現(xiàn)更好的體二極管性能，開發(fā)了經(jīng)高度優(yōu)化的UniFET II MOSFET系列。 該系列改善了體二極管的耐受性并減少了輸出電容中的儲能，同時最大限度地減小如增加導通電阻等負面效應。 特別是，極大改善了其峰值反向恢復電流Irr，不再會引起器件故障。 此外，其dv/dt抗干擾性能是普通MOSFET的兩倍多。 因此，在擊穿dv/dt模式下可承受兩倍以上的電流壓力。圖2展示了UniFET II MOSFET系列、傳統(tǒng)MOSFT（FQPF9N50C） 和分立式快速恢復二極管（BYV28X-500）的反向恢復性能。 顯然，UniFET II MOSFET系列的反向恢復特性優(yōu)于傳統(tǒng)MOSFET，甚至優(yōu)于快速恢復二極管（FRD） 的反向恢復特性。

　　圖2：反向恢復特性

　　鎮(zhèn)流器的性能測試結果

　　為了驗證UniFETTM II MOSFET系列的有效性，使用包括混合頻率逆變器的150W室內(nèi)HID燈鎮(zhèn)流器進行實驗。 鎮(zhèn)流器的逆變器電路與圖1相同。低頻臂由2個IGBT組成，其工作頻率范圍為60Hz~120Hz. 另一個臂的工作頻率范圍為30kHz~110kHz. 采用普通MOSFET和FRD的傳統(tǒng)解決方案與UniFET II MOSFET系列之間的擊穿電流對比結果如圖3所示。在傳統(tǒng)解決方案中，反向恢復電流的峰值是11.44A. 而UniFET II MOSFET系列反向恢復電流的峰值是10.48A.

　　圖3：瞬態(tài)下的穿通電流對比

　　結論

　　UniFET II MOSFET系列具有更佳反向恢復特性，如快速恢復時間和低反向恢復電荷。 因此，可去除混合頻率逆變器系統(tǒng)中防止故障所需的4個額外二極管。 實驗證明UniFET II MOSFET系列可提高混合頻率逆變器的系統(tǒng)可靠性，由于去除了額外的二極管，因此可節(jié)省電路板空間和制造成本。