艾邁斯是什么？

　　原名奧地利微電子2014 年正式更名為艾邁斯半導體。 Premstaetten。主要的研發設計中心坐落于奧地利，其光學器件設計中心坐落于美國的德州普拉諾市，另外16 家設計中心坐落于世界其他地方。公司在超過20 個國家擁有共約2，100 名員工，并于世界各地的重要市場設立了銷售辦事處。艾邁斯半導體同時與世界知名器件分銷商建立了合作關系，其中包括具備全球分銷能力的伙伴：DigiKey、Future Electronics 及Mouser。艾邁斯半導體于SIX 瑞士證券交易所上市 （股票代碼：AMS） 。

　　艾邁斯半導體設計和制造高性能的模擬半導體產品，以創新的解決方案為客戶解決最具挑戰性的難題。

　　艾邁斯半導體公司的產品旨在為那些要求極致精密、精準、靈活、靈敏以及極低功耗的應用而設。公司的產品包括傳感器、傳感器接口、電源管理芯片及無線產品，適用于消費類、工業類、醫療類、移動通信及汽車類的客戶。艾邁斯半導體的總部位于奧地利格拉茲附近的

　　中國，2016.12月6日，全球領先的高性能傳感器和模擬IC供應商艾邁斯半導體（ams AG，瑞士股票交易所股票代碼：AMS）今天宣布推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝（“A30”）。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能，并通過光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導體高級0.35μm高壓CMOS制程工藝系列產品的0.9倍。

　　A30技術包括性能優化的絕緣3.3V器件（NMOSI和PMOSI）、絕緣3.3V低壓器件（NMOSIL和PMOSIL）、一個具有薄柵氧化層厚度的絕緣高壓器件（（NMOSI20T）、垂直雙極型晶體管（VERTN1和VERTPH）以及一個絕緣3.3V超級低噪聲晶體管（NMOSISLN），可以提供0.46 pA/?Hz水平的閃爍噪聲（@ 1kHz，ID = 1μA @ Vds = 3V，10x1.2μm2）。與H35制程工藝相比，可以降低高漏電流的閃爍噪聲至少4至10倍。整個器件還包括各種電容（聚酯電容、插入式電容和MOS電容）和電阻（擴散電阻、阱電阻、聚酯電阻、高阻聚酯電阻和精密電阻）等無源器件。
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　　A30制程工藝非常適用于超低噪聲傳感應用和需要噪聲優化輸入級或高信噪比的模擬讀出集成芯片，可為消費類電子產品、汽車、醫療和物聯網設備開發出創新型的解決方案。A30制程工藝由艾邁斯半導體先進的200mm制造工廠制造并全面檢測，可確保極低的缺陷密度和最高產量。所有0.30μm元件均按照0.35μm器件繪制并驗證。在光罩車間內根據完整的GDSII數據進行制程微縮（0.9倍），使得單位面積的晶圓可以生產出更多尺寸較小的芯片。

　　艾邁斯半導體晶圓代工事業部總經理Markus Wuchse表示：“我們的A30高性能模擬低噪聲制程工藝可以幫助開發出更具競爭力的傳感應用和模擬讀出集成芯片，噪聲性能優越是其一大關鍵。代工客戶利用A30制程工藝生產復雜的集成芯片可以獲得雙重收益，超低噪聲晶體管具有行業標準的閃爍噪聲系數，提高了性能，而光學收縮又大大減少了噪聲敏感應用的芯片面積。”

　　A30制程工藝由艾邁斯半導體知名的行業設計套件hitkit提供支持。基于Cadence公司的Virtuoso?定制集成芯片技術6.1.6，新的hitkit套件可幫助設計團隊大幅縮減競爭激烈的密集模擬混合信號產品的上市時間。新的hitkit套件具備高精確仿真模型和基于Calibre和Assura以及靈活的SKILL參數單元（PCells）的提取和驗證運行設置，可提供全面的設計環境和成熟的硅路線。