CAN總線設(shè)計規(guī)范對于CAN節(jié)點的輸入電壓閾值有著嚴(yán)格的規(guī)定，如果節(jié)點的輸入電壓閾值不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標(biāo)準(zhǔn)“ISO 11898-2輸出電壓標(biāo)準(zhǔn)”。
2015-07-09 10:54:09
6517 
74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達(dá)到輸出翻轉(zhuǎn)時的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入大于這個電壓時，輸出為低電平。反向輸入閾值電壓是輸入低于這個電壓時，輸出為高電平。
2018-10-24 09:30:3616608 
由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計中把它當(dāng)成一個常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時，此模型不再精確，閾值電壓與L、W和VDS有關(guān)。
2023-02-13 10:35:291269 
，表示了三個端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因為這種器件是對稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在數(shù)字電路中，MOS管作為開關(guān)的作用時，柵極電壓VG是高電平，晶體管把源極和漏極連接在一起; 如果VG是低電平，則源漏斷開。
2023-04-25 14:20:393018 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當(dāng)柵極相對于發(fā)射極電位 **超過閾值電壓時，器件就會開通** ， **小于閾值電壓后，器件就會關(guān)斷** 。
2023-11-09 15:19:15666 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制
2023-11-29 14:19:08785 
上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。
2023-11-29 14:21:30630 
分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。
2023-11-29 14:42:33999 
假設(shè)mismatch引起的M4/M5之間的閾值電壓差值為3mV，則等效到運放輸入端的VOS量級為uV，保證M4/M5之間的版圖匹配，能有效的減小該值。
2024-02-18 17:32:43274 
施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）是一種特殊的門電路，也被稱為遲滯比較器或滯回比較器。它具有兩個閾值電壓，分別對應(yīng)于輸入信號的正向遞增和負(fù)向遞減變化方向。這兩個閾值電壓稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓，它們之間的差值被稱為回差電壓。
2024-02-23 17:14:21786 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
應(yīng)用； 高精度電壓檢測功能：(針對單節(jié)電芯)- 過充電保護(hù)閾值電壓：3.3V～4.5V(50mV一檔)；閾值電壓精度：±25mV； - 過充電保護(hù)解除電壓1 ：3.2V～4.5V；閾值電壓精度
2016-03-09 23:09:10
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
，進(jìn)而使SCR導(dǎo)通。
實驗中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時SCR可正常導(dǎo)通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
:0] 中的值如何映射到電壓。我假設(shè)設(shè)置 ADC_HTR 中的所有 12 位將等于可能的最高閾值電壓，但我們?nèi)绾沃涝?b class="flag-6" style="color: red">電壓是多少？設(shè)置 ADC_LTR 中的所有位是否意味著低閾值盡可能低？還是清除所有 12 位將其設(shè)置為最小值？
2023-01-13 08:05:01
： VIT為該電路設(shè)定的閾值電壓。 由于IS的存在，當(dāng)輸入電壓為VCC_BAR時，計算到參考點實際電壓為： 此時電路檢測到的實際閾值電壓為： 則此時電路的精度為： 此時可以計算IS1為： 基于以上
2023-03-22 15:17:08
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時管子的閾值電壓會變高，而使得管子變慢，這就與上面的結(jié)論矛盾
2021-06-24 08:01:38
如果想改變反相滯回比較器的閾值電壓應(yīng)改變哪些參數(shù)呢？
2023-03-24 15:31:42
功能?低VCC檢測和重置斷言-五個標(biāo)準(zhǔn)重置閾值電壓-使用特殊編程順序重新編程低VCC重置閾值電壓-重置信號有效至VCC=1V?電池壽命長，功耗低-
2020-09-28 16:36:21
)反相輸入；(b)同相輸入通常用閾值電壓和傳輸特性來描述比較器的工作特性。 閾值電壓(又稱門檻電平)是使比較器輸出電壓發(fā)生跳變時的輸入電壓值，簡稱為閾值，用符號UTH表示。 傳輸特性是比較器的輸出電壓
2011-12-22 11:55:09
看到的POR比較常見的結(jié)構(gòu)，第一級通常是電壓檢測，比如如下圖結(jié)構(gòu)，當(dāng)左邊由二極管連接的PMOS對電源電壓進(jìn)行分壓，當(dāng)電源電壓上電到一定值時，V1達(dá)到右邊反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓。現(xiàn)在的問題是，當(dāng)在
2021-06-25 07:26:16
和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號，施密特觸發(fā)器有不同的閥值電壓。門電路有一個閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路
2011-11-14 14:30:44
： ① 施密特觸發(fā)器屬于電平觸發(fā)器件，當(dāng)輸入信號達(dá)到某一定電壓值時，輸出電壓會發(fā)生突變。 ② 電路有兩個閾值電壓。 輸入信號增加和減少時，電路的閾值電壓分別是正向閾值電壓
2009-09-24 15:38:23
搜到的施密特觸發(fā)器IC遲滯電壓都是固定的，現(xiàn)在需要設(shè)定具體的閾值電壓值，是否有這樣的IC呢?還是只能用運放搭建？
2024-03-13 02:40:35
LM311供電為+-12V，VDD為5V，高低閾值電壓怎么計算呢？
2018-05-30 22:27:26
運放同相輸入端為1V，R4電阻電壓也跟隨為1V，電流恒定在1A輸出，那么存在如下疑問：1.運放為使R4電壓均衡在1V那么運放輸出端提供的電壓是否只達(dá)到MOS管導(dǎo)通閾值電壓(假設(shè)4V)?2.如果MOS
2020-02-14 14:45:47
`立即學(xué)習(xí)—60天FPGA工程師入門就業(yè)項目實戰(zhàn)特訓(xùn)營（3月16日開班） 談?wù)凢IFO閾值的閾值設(shè)置及深度計算1.什么是FIFO2.什么情況下使用FIFO3.什么FIFO的閾值4.FIFO的閾值
2020-02-19 21:09:35
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數(shù)設(shè)定 還要其他因素嗎？我做的實驗中顯示我的設(shè)定值與實際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設(shè)定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時，通過示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
組件文檔中有關(guān)于I2C總線上可靠邏輯轉(zhuǎn)換的注釋。I2CYV3O50.PDF狀態(tài)：“注意，引腳組件的默認(rèn)閾值電壓是CMOS。當(dāng)I2C線被拉高到3.3 V并且PSoC在5 V上運行時，CMOS閾值電平
2019-10-10 06:33:44
針對傳統(tǒng)軟硬閾值方法存在的估計小波系數(shù)連續(xù)性差和信號失真等問題，采用了三種改進(jìn)的小波閾值消噪方法，通過對仿真含噪信號進(jìn)行消噪分析及計算信噪比、賦范均方根誤差
2009-12-30 16:48:43
10 復(fù)位監(jiān)控器件內(nèi)部集成精確的電壓監(jiān)控電路，可通過確定的閾值電壓啟動復(fù)位操作，同時排除瞬間干擾的影響，又可以防止MCU在電源啟動和關(guān)閉期間的誤操作，保證數(shù)據(jù)安全。通常
2010-11-17 17:43:0539 施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓。
2006-07-03 14:22:183706 
電壓比較器、方波三角波發(fā)生器與壓控振蕩器一、目的：1、 對電壓比較器的理解，學(xué)習(xí)閾值電壓的測量方法。2、 握集成運放在波形發(fā)生器值的應(yīng)用，學(xué)習(xí)
2009-03-09 11:06:086986 
施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用
我們知道，門電路有一個閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀
2010-05-27 09:29:323838 
提出了一種基于傳統(tǒng)閾值去噪法的新的閾值函數(shù)，新閾值函數(shù)表達(dá)式簡單易于計算，它既克服了硬閾值函數(shù)不連續(xù)的缺點，同時又克服了軟閾值函數(shù)中估計小波系數(shù)與分解小波系數(shù)之間
2011-06-22 16:00:1736 本文利用高電源抑制比電路設(shè)計的和式偏置電流源進(jìn)一步提高了電源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VTHN和VTHP具有相同方向但不同數(shù)量的溫度系數(shù)，設(shè)計了一種基于不同VTH值的
2011-08-18 11:29:322399 在數(shù)／模混合集成電路設(shè)計中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設(shè)計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
基于搶占閾值調(diào)度的動態(tài)電壓分配算法_郝嘉磊
2017-01-07 18:39:170 面向BTI特征分析的在運行中閾值電壓測量
2017-01-22 13:38:087 電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓的函數(shù)關(guān)系 U0＝f（uI），一般用曲線來描述，稱為電壓傳輸特性。電壓傳輸特性的三個要素：輸出電平、閾值電壓、躍變方向
2017-11-07 10:47:3153915 
工作時的固有特性。當(dāng)輸入信號越過這兩個閾值時，電路可以抑制輸入信號中包含的噪聲，并產(chǎn)生頻率與輸入信號相同的矩形輸出信號。 不管你用晶體管、運放還是比較器實現(xiàn)施密特觸發(fā)器，你都需要確定要求的回差和兩個閾值電壓是多少。如果你知
2017-11-14 11:10:257 負(fù)載差異確定工作節(jié)點的閾值情況；其次，通過工作節(jié)點的閾值對系統(tǒng)數(shù)據(jù)流進(jìn)行隨機(jī)選擇，確定不同數(shù)據(jù)處理情況調(diào)節(jié)系統(tǒng)的物理電壓；最后，根據(jù)不同的物理電壓確定系統(tǒng)功率。實驗結(jié)果和理論分析表明，在20臺普通PC機(jī)構(gòu)成的流式計算
2017-12-01 14:40:160 本文主要介紹了小波去噪閾值如何選取_小波閾值分析。小波去噪過程就是利用小波分解將圖像信號分解到各尺度中，然后把每一尺度中屬于噪聲的小波系數(shù)去掉，保留并增強(qiáng)屬于信號的小波系數(shù)，最后利用小波逆變換將處理
2018-01-10 09:08:4757528 
本文主要介紹了小波閾值去噪的基本原理以及小波去噪閾值如何選取？閾值的確定在去噪過程中至關(guān)重要，目前使用的閾值可以分為全局閾值和局部適應(yīng)閾值兩類。其中，全局閾值是對各層所有的小波系數(shù)或同一層內(nèi)不同方向
2018-01-10 09:46:5067422 
本文主要介紹了一種基于新閾值函數(shù)的小波閾值去噪算法。在小波閾值去噪法中的兩個重要的因素—閾值選取方式和閾值函數(shù)，直接決定圖像去噪的效果，所以要針對噪聲和圖像選取合適的閾值函數(shù)和最佳閾值，才能最大程度去除圖像噪聲。本文提出了新的閾值函數(shù)，這一函數(shù)既滿足函數(shù)的連續(xù)性，又解決了閾值函數(shù)恒定偏差問題。
2018-01-10 10:12:569059 
本文主要介紹了小波閾值去噪的改進(jìn)以及改進(jìn)的小波閾值函數(shù)。新設(shè)定的閾值在保留了原來統(tǒng)一閾值在閾值處理中發(fā)揮的功能的基礎(chǔ)上，通過新增加的分解尺度可以針對小波分解中不同的分解層對各分解層的小波系數(shù)做相應(yīng)不同的處理，這樣可以增加閾值的實用性，減少小波系數(shù)閾值誤斷引起的偏差。
2018-01-10 11:02:539450 
介紹了小波閾值去噪的三種應(yīng)用：小波閾值去噪技術(shù)在ECG信號處理中的應(yīng)用、小波閾值去噪技術(shù)在電能質(zhì)量檢測中的應(yīng)用和小波閾值技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)信號處理中的應(yīng)用。利用小波閾值去噪是新發(fā)展起來的去除噪聲的方法，利用小波閾值去噪具有良好的效果，可以有效提高信噪比。
2018-01-10 14:25:085533 
本文主要介紹了小波軟閾值的推導(dǎo)_軟閾值的計算。由于噪聲信號強(qiáng)度的隨機(jī)性，以及小波分解過程中信號與噪聲的傳播特性不同，每一層小波分解系數(shù)所采用的閾值應(yīng)該是隨小波系數(shù)的變化而變化的。能實現(xiàn)這種變動閾值的方法就是軟閾值去噪方法。小波軟閾值的具體計算原理和計算步驟如下。
2018-01-10 14:46:194809 
，有兩個不同的閾值電壓（正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓）；狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時有正反饋過程，從而輸出邊沿陡峭的矩形脈沖。下面我們來具體看看吧。
2018-01-16 16:02:3747805 
關(guān)于比較器滯回的討論需要從“滯回”的定義開始， 與許多其它技術(shù)術(shù)語一樣， “滯回”源于希臘語， 含義是“延遲”或“滯后”， 或阻礙前一狀態(tài)的變化。工程中，常用滯回描述非對稱。
2018-02-24 17:54:4082645 
本文開始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計算，其次介紹了單限電壓比較器的工作原理，最后介紹了單限比較器閾值的電壓計算。
2018-02-26 15:58:0264104 
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關(guān)閉狀態(tài)下開關(guān)MOS(如果MOS沒有損壞)。R33/R86的比例已經(jīng)選得很好。
2018-09-23 11:17:007733 圖3-4是閃存芯片里面存儲單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲單元數(shù)量。其實在0或1的時候，并非所有的存儲單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個電壓為中心的一個分布。讀的時候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認(rèn)為是1；落在0范圍里面，就認(rèn)為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響，實際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化，從而分析其對晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進(jìn)行CAN節(jié)點DUT的輸入電壓閾值測試呢？
2019-07-02 15:10:103215 
本文報道了一個深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實驗，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一個簡單的示波器裝置，研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導(dǎo)體hemts閾值電壓漂移（vth）的快速動力學(xué)。我們發(fā)現(xiàn)，vth的對數(shù)恢復(fù)時間依賴性，以前發(fā)現(xiàn)的恢復(fù)時間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 反向柵極偏置應(yīng)力后的負(fù)閾值電壓漂移表明，與非應(yīng)力條件相比，信道中存在更多的載流子。我們提出algan/gan界面態(tài)的存在是導(dǎo)致負(fù)閾值電壓漂移的原因，并發(fā)展了一種對algan/gan界面態(tài)進(jìn)行電學(xué)表征的方法。通過技術(shù)計算機(jī)輔助設(shè)計（tcad）atlas仿真驗證了結(jié)果，并與實
2019-10-09 08:00:0010 施密特觸發(fā)器也有兩個穩(wěn)定狀態(tài)， 但與一般觸發(fā)器不同的是， 施密特觸發(fā)器采用電位觸發(fā)方式， 其狀態(tài)由輸入信號電位維持； 對于負(fù)向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號，施密特觸發(fā)器有不同的閥值電壓。門電路有一個閾值電壓， 當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。
2019-12-17 08:00:006 為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進(jìn)行CAN節(jié)點DUT的輸入電壓閾值測試呢？因為CAN總線設(shè)計規(guī)范對于CAN節(jié)點的輸入電壓閾值有著嚴(yán)格的規(guī)定，若不符合規(guī)范，則組網(wǎng)后容易出現(xiàn)各節(jié)點間出現(xiàn)通信故障。
2020-12-26 02:33:311380 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082 而現(xiàn)代集成電路一般使用MOS管，其本質(zhì)是一個壓控開關(guān)。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開關(guān)，那就需要有一個區(qū)別開態(tài)與關(guān)態(tài)的狀態(tài)。
2022-12-15 11:33:371143 Vt roll-off核心是（同一個工藝節(jié)點下面）閾值電壓與柵長之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長度比較長的時候，Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小，閾值電壓會下降（對于PMOS而言是絕對值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 TPS382x 系列監(jiān)控器主要為 DSP 以及基于處理器的系統(tǒng)提供電路初始化和計時監(jiān)控等功能。上電期間，RESET 會在電源電壓 VDD 超出 1.1V 時置為有效。因此VDD 保持在閾值電壓
2023-01-12 09:18:351147 繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下，閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來調(diào)整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時，耗盡區(qū)被加寬，實現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加，以適應(yīng)更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 
如圖，電流分?jǐn)U散電流和漂移電流，工作時的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。
2023-05-30 16:02:396185 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需將下標(biāo)“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著
2023-09-17 10:39:446679 為什么亞閾值區(qū)還有電流？為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亞閾值區(qū)是指晶體管工作狀態(tài)下，柵極電壓小于閾值電壓的區(qū)域。在這個區(qū)域內(nèi)，晶體管會出現(xiàn)漏電流，造成能量浪費和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 選取9個重要的參數(shù)，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開啟關(guān)閉速度等。
2023-10-08 16:56:08494 
的觸發(fā)器。它的基本組成元件是兩個比較器，一個用于正向比較，另一個用于反向比較。當(dāng)輸入信號的電壓達(dá)到或超過正向比較器的閾值電壓時，輸出由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平。同樣，當(dāng)輸入電壓下降到或低于反向比較器的閾值電壓時，輸出
2024-01-17 15:00:08512
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論