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氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目解析

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功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28

射頻GaN技術(shù)正在走向主流應(yīng)用

`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件,這使得市場對于射頻氮化(GaN)器件的需求不斷升溫。舉個例子,現(xiàn)在的無線基站里面,已經(jīng)開始用氮化器件取代硅基射頻器件,在
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高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后,即2008年,氮化金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體(MOSFET)(在硅襯底上形成)得到推廣,但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件,使用率較低。
2023-06-15 15:50:54

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氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

氮化為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢

更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

;這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進(jìn)氮化快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動氮化價格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化在光電器件功率器件射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化發(fā)展評估

滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求,WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化在藍(lán)光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗(yàn)。為了快速跟蹤氮化在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用,WBST 計劃特準(zhǔn)計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34

氮化場效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔

本文展示氮化場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

氮化技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置?

從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40

氮化技術(shù)推動電源管理不斷革新

的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年
2019-03-14 06:45:11

氮化電源設(shè)計從入門到精通的方法

氮化電源設(shè)計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58

氮化的卓越表現(xiàn):推動主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來會取代硅芯片嗎?

。 與硅芯片相比: 1、氮化芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一 2、尺寸為硅芯片的四分之一 3、重量是硅基芯片的四分之一 4、并且比硅基解決方案更便宜 然而,雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇,但它
2023-08-21 17:06:18

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理分析

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理
2023-06-19 10:05:37

CGHV96100F2氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
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CHZ9012-QFA功率放大器

產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率(W) 65歲PAE(%) 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08

CMPA801B025F氮化(GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

充電器變得高效起來,發(fā)熱更低,體積也縮小便于攜帶,推進(jìn)了百瓦大功率充電器的普及,也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化器件對柵極驅(qū)動電壓要求非常敏感,并且對布線要求也很高,這也導(dǎo)致了應(yīng)用門檻較高
2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開

功率氮化電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35

MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽

射頻領(lǐng)域采用硅基氮化(GaN on Si)技術(shù)的供應(yīng)商。我們采用硅基氮化(GaN Si)技術(shù)以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續(xù)波(CW)射頻功率晶體管產(chǎn)品,支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場和應(yīng)用

電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化射頻率產(chǎn)品預(yù)計硅上氮化具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38

MACOM展示“射頻能量工具包”:將高性能、高成本效益的硅基氮化射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用

,可幫助系統(tǒng)設(shè)計人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā),使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平,從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14

MACOM:GaN在無線基站中的應(yīng)用

%的峰值效率以及19dB的線性增益,若匹配以合適的諧波阻抗其峰值效率會超過80%。該功率效率性能可與最優(yōu)秀的碳化硅基氮化器件的效率相匹敵,與傳統(tǒng)LDMOS器件相比有10%的效率提升。若能被正確地
2017-08-30 10:51:37

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢

`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻功率器件(例如砷化GaAs)。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

射頻器件越來越多,即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時代不同,我們可以將成本做到很低,在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代,需要的器件越來越多,價格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實(shí)測案例——氮化GaN半橋上管測試

系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化快充PCBA設(shè)計密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)。現(xiàn)場連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23

QPD1004氮化晶體管

產(chǎn)品名稱:氮化晶體管QPD1004產(chǎn)品特性頻率范圍:30 - 1200 MHz輸出功率(p3db):40 W在1 GHz線性增益:20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55

QPD1018氮化晶體管

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2018-07-27 09:06:34

SGN2729-250H-R氮化晶體管

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2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶體管

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TGF2977-SM氮化晶體管

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2018-07-25 10:06:15

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書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20

【技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動汽車市場

:如前所述,氮化器件射頻速度開關(guān)。比現(xiàn)有的電力電子開關(guān)速度快得多。鑒于此,具有高共模瞬變抑制(CMTI)的高速柵極驅(qū)動器對優(yōu)化Transphorm GaN FET的性能至關(guān)重要。為此,Si827x
2018-07-19 16:30:38

為什么氮化(GaN)很重要?

的設(shè)計和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計,如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級為使用氮化功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

度為1.1 eV,而氮化的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如,一個典型的650V橫向氮化晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

推廣應(yīng)用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學(xué)的森勇介教授,一直在從事高品質(zhì)的半導(dǎo)體研究,這一次,我們就氮化的研發(fā)情況、研究成果對未來的應(yīng)用前景產(chǎn)生的影響,森教授進(jìn)行了訪談。目前,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用廣泛,其
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證,特推出“氮化系列”,告訴大家什么是氮化(GaN)?
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

的 3 倍多,所以說氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化和磷化銦等高頻工藝相比,氮化器件輸出的功率更大;與LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工藝相比,氮化的頻率特性更好。氮化器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優(yōu)勢,實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問題

客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化
2023-02-01 14:52:03

基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化)
2023-06-19 08:36:25

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計從入門到精通?

的測試,讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細(xì)節(jié)問題,泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課,氮化電源設(shè)計從入門到
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計一個高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動器的氮化器件

的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。 氮化器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54

對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題?

氮化技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng),因?yàn)轭l率越高,氮化的優(yōu)勢越明顯。那對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15

將低壓氮化應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路

已經(jīng)在電池上采用多極耳,多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化的低阻抗優(yōu)勢,可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上,可以支持更高的快充功率,延長快充持續(xù)時間,獲得更好的快充體驗(yàn)。同時氮化屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

氮化充電器采用條形設(shè)計,在插線板或者插座上不會影響到相鄰的插座設(shè)備。得益于氮化功率器件的加入,可以在這個體積上做到65W大功率并且還擁有3口輸出功能,握持手感十分小巧,再加上可折疊的插腳,旅行出門
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

氮化(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28

微波射頻能量:醫(yī)療應(yīng)用

我們在“日常生活中的微波射頻能量”系列此前的技術(shù)知識分享中有提到氮化(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢以及普遍認(rèn)為的氮化將對商業(yè)和工業(yè)市場產(chǎn)生變革的影響。在談?wù)撏黄菩缘陌雽?dǎo)體
2017-12-27 10:48:11

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計有哪些步驟?

功率因數(shù)校正 (PFC) 配置。  簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化器件,隔離式負(fù) V一般事務(wù)(關(guān)閉)EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法,可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年,第一款增強(qiáng)型氮化晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化功率集成電路- 將GaN FET、氮化基驅(qū)動電路和電路保護(hù)集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55

第三代半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底,因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫,能在高溫環(huán)境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間GaN將在高功率,高頻率射頻市場優(yōu)勢明顯相比于4G,5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化器件

了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù):氮化(GaN)。對于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景,他們表達(dá)了樂觀的看法。他們稱氮化器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36

高壓氮化的未來分析

的應(yīng)用。“氮化就像一個超級增壓引擎,”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說,“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快,動力更加強(qiáng)勁,并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

的應(yīng)用。“氮化就像一個超級增壓引擎,”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說,“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快,動力更加強(qiáng)勁,并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2018-08-30 15:05:50

Sumitomo(住友)射頻氮化手冊

Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45

氮化測試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

博方嘉芯氮化射頻功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶嘉興科技城 總投資25億元

11月7日,氮化鎵(GaN)射頻功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗,嘉興科技城管委會副主任曹建弟,浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負(fù)責(zé)人出席簽約儀式。
2019-11-08 16:07:506907

總投資25億元!博方嘉芯氮化射頻功率器件項(xiàng)目開工了

浙江嘉興南湖區(qū)一季度重大項(xiàng)目集中開竣工活動儀式舉行,浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化射頻功率器件項(xiàng)目等多個項(xiàng)目在現(xiàn)場集中開工。
2020-03-05 16:01:156167

浙江博方嘉芯氮化射頻功率器件項(xiàng)目開工 將對“中國芯”打造提供強(qiáng)勁助力

4月10日,浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化射頻功率器件項(xiàng)目正式開工。
2020-04-13 10:30:055691

氮化功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151946

氮化功率器件的工藝技術(shù)說明

氮化功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同,本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342704

氮化功率器件結(jié)構(gòu)和原理

氮化功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化功率器件結(jié)構(gòu) 氮化功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667

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