電源和 DC-DC 轉換器成為可能。在設計研究中，在Traco Power 電源單元的 PFC 階段實現并測量了 GaN 晶體管的使用。對優缺點以及相關的技術問題進行了詳細的研究和描述。 近幾十年來，電力電子領域發展迅速。這主要是由于越來越快的半導體開關，這使得設計更小的用于存儲電能的組件成為可能
2021-10-14 15:33:00
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)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:287388 
8050的情況下，補碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術額定值通常是相同的。區別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動力，并允許在用戶端實現多種功能
2023-02-16 18:22:30
作者: 德州儀器設計工程師謝涌；設計與系統經理Paul Brohlin導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
一、晶體管開關電路：是一種計數地接通-斷開晶體管的集電極-發射極間的電流作為開關使用的電路，此時的晶體管工作在截止區和飽和區。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
本帖最后由 elecfans電子發燒友 于 2017-10-24 22:44 編輯
在四種常用晶體管開關電路（2種NMOS，2種PMOS）一文中，介紹了晶體管構成的開關電路。這里我們使用所述
2016-08-30 04:32:10
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
2018-07-09 10:27:34
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數測量技術報告摘 要晶體管的參數是用來表征管子性能優劣和適應范圍的指標，是選管的依據。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數測試系統，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
時，先將hFE/ICEO選擇開關置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測晶體管的三個引腳插個測試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。2．放大能力的檢測 晶體管的放大能力可以用萬用表
2012-04-26 17:06:32
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
-發射極間流過電流。如前面的特征匯總表中所示，關于驅動，需要根據與放大系數、集電極電流之間的關系來調整基極電流等。與MOSFET顯著不同的是，用于放大或導通/關斷的偏置電流會流經晶體管（基極）。另外
2018-11-28 14:29:28
相關的參數，以及雙極晶體管的集電極-發射極相關的參數。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
型號的晶體管。 5．開關三極管的選用小電流開關電路和驅動電路中使用的開關晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
驅動篇 – BJT晶體管應用感謝閱讀本文，在接下來很長的一段時間里，我將陸續分享項目實戰經驗。從電源、單片機、晶體管、驅動電路、顯示電路、有線通訊、無線通信、傳感器、原理圖設計、PCB設計、軟件設計
2021-07-21 06:31:06
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
)：13.0效率（％）：33額定電壓(V)：40形式：封裝形式分立晶體管封裝形式類別：法蘭盤技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
基于SiC HEMT技術的GaN輸出功率> 250W預匹配的輸入阻抗極高的效率-高達80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
和雙極技術。產品型號：IGN1090M800產品名稱： L波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk = 800w @ 128us / 2% / 50v1.090ghz操作頻率
2019-05-20 09:16:24
和雙極技術。產品型號：IGN2856S40產品名稱：晶體管IGN2856S40產品特性SiC HEMT技術中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預匹配內阻抗100%高功率射頻測試負柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號：IGT2731L120產品名稱： S波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
集電極提前有一定的電流。當輸入基極電流變小時，可以減小集電極電流;當輸入基極電流增加時，集電極電流增加。減少的信號和增加的信號都可以放大。3） NPN晶體管開關讓我們談談薩圖拉晶體管的模式。如上圖所示
2023-02-08 15:19:23
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
、PNP晶體管的應用PNP晶體管用于源出電流，即電流流出集電極。PNP 晶體管用作開關。這些用于放大電路。當我們需要通過按下按鈕關閉某些東西時，就會使用 PNP 晶體管。即緊急關閉。用于達林頓對電路。用于
2023-02-03 09:44:48
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
了功率晶體管的性能。如 (1)開關晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術上的簡化， (3)晶體管的復合——達林頓， (4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計》(上)面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關特性好，驅動功率高，但驅動電路復雜;GTR和普通雙極結型
2023-02-03 09:36:05
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
鰭式場效應晶體管優勢 更好地控制通道 抑制短通道效應 更低的靜態漏電流 更快的開關速度 更高的漏極電流（每個封裝的驅動電流更大） 更低的開關電壓 低功耗 鰭式場效應晶體管缺點 難以
2023-02-24 15:25:29
光敏晶體管日光開關電路
2019-03-12 11:44:10
電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計(下)》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術
2017-06-22 18:05:03
對芯片作底層支撐的場效應晶體管，一款能起良好穩壓作用的芯片非常重要。因此在進行開關電源設計時，工程師會更多地考慮使用更優質的場效應晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應晶體管的什么性能呢？應從
2019-04-01 11:54:28
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路，可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
探索晶體管驅動負載的技巧.pdf {:1:}
2013-05-16 09:37:25
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-08-19 04:00:00
=0.65V/10k=65μA)IB=Ii-IR2=Ii-65μA 即Ii在65μA以下時，IB沒有電流流過，VO [VCE(sat)]上升。因此，在低電流區域不能測定VO。關于數字晶體管的開關動作
2019-04-22 05:39:52
的開關動作關于數字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
的內部電路中也是采用這種技術。如下圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開關速度快，正向壓降比PN結小，準確來說叫做肖特基勢壘二極管。由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來應該
2023-02-09 15:48:33
有沒有關于晶體管開關的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
，開辟了新的可能性。GaN晶體管可以實現高得多的dV/dt壓擺率，因此可以比硅MOSFET更快地切換，從而顯著降低開關損耗。GaN晶體管的另一個優勢是沒有反向恢復電荷，傳統硅MOSFET設計的反向恢復
2017-08-21 14:36:14
） 和芯片照片 （b） 的框圖 圖 8：48 V – 12 V 降壓轉換器中單片 GaN 功率級（綠色）和外部驅動的等效分立 GaN 晶體管（藍色）解決方案之間的效率比較，頻率為 1 MHz（實線
2023-02-24 15:15:04
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
求一個晶體管開關時間的測試搭建電路，有脈沖發生器，直流電源，示波器。
2020-03-05 22:57:43
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
電子產品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
將會導致高頻振蕩電壓。如果這些無法解決這些問題，將可能導致晶體管損壞。 盡管傳統硅晶體管的并聯配置技術已經十分成熟，但對于GaN器件并聯技術研究還鮮有涉及。考慮到GaN器件驅動的特殊性以及其高速開關
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
電極-發射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
這個晶體管為什么是開關管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
工作于開關狀態的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產生瞬態過電流和瞬態過電壓，這種現象稱為電應力。電應力的本質是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是,電力電子行業中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時,近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關,從而可提高能源轉換效率和密度
2020-12-26 04:10:19426 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 ) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:021649 
如何高效、安全地驅動Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:42
1 GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426
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