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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>氮化鎵技術(shù)常用的領(lǐng)域有哪些

氮化鎵技術(shù)常用的領(lǐng)域有哪些

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氮化: 歷史與未來

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氮化技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置?

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2019-08-01 07:38:40

氮化技術(shù)推動電源管理不斷革新

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2019-03-14 06:45:11

氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化GaN。早期的氮化材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19

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2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)氮化(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動氮化價格戰(zhàn)伊始。

技術(shù)迭代。2018 年,氮化技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室,正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時氮化
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氮化充電器

現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化充電器了,氮化充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化到底是什么,氮化充電器哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡單做個分析。一、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

氮化為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢

更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化發(fā)展評估

的系統(tǒng)級解決方案,其市場潛力剛剛開始被關(guān)注。氮化如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業(yè)射頻領(lǐng)域的主流應(yīng)用,它從一項(xiàng)高深的技術(shù)發(fā)展為市場的中流砥柱,這一發(fā)展歷程融合了多種因素,是其一致發(fā)揮作用的結(jié)果
2017-08-15 17:47:34

氮化場效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔

本文展示氮化場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

氮化激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過程

波段,隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步,藍(lán)光激光器的性能在不斷提升。    圖3、(a)氮化/藍(lán)寶石模板和(b)GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比(圖中暗斑為位錯缺陷)  在襯底方面,早期的氮化
2020-11-27 16:32:53

氮化電源設(shè)計(jì)從入門到精通的方法

氮化電源設(shè)計(jì)從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58

氮化的卓越表現(xiàn):推動主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來會取代硅芯片嗎?

2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。 Keep Tops氮化什么好處? 氮化的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18

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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具卓越的功率附帶效率。與硅或砷化
2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化(GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報(bào)價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開

功率氮化電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯 整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢

,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

是硅基氮化技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會上,MACOM上海無線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示,硅襯底一些優(yōu)勢,材料便宜,散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實(shí)測案例——氮化GaN半橋上管測試

測試背景地點(diǎn):國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化實(shí)驗(yàn)室測試對象:氮化半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23

NV6115氮化MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD

`明佳達(dá)優(yōu)勢供應(yīng)NV6115氮化MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化MOS絲印:NV6115芯片介紹:NV6115氮化MOS,是針對
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SGN2729-600H-R氮化晶體管

)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R氮化晶體管
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SW1106集成氮化直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制器

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aN2 Pro氮化充電器的選購過程和使用

由于換了三星手機(jī),之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
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技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動汽車市場

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為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

氮化(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化功率芯片?

eMode硅基氮化技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化 FET、氮化驅(qū)動器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化氮化(GaN)、砷化(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11

供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優(yōu)勢,實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問題

客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化
2023-02-01 14:52:03

基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計(jì)

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化)
2023-06-19 08:36:25

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計(jì)從入門到精通?

和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計(jì)上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化、碳化硅、氮化
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計(jì)一個高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何實(shí)現(xiàn)氮化的可靠運(yùn)行

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動器的氮化器件

的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。 氮化器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54

對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題?

氮化技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng),因?yàn)轭l率越高,氮化的優(yōu)勢越明顯。那對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15

射頻GaN技術(shù)正在走向主流應(yīng)用

的射頻技術(shù),碳化硅(SiC)可用于功率或射頻領(lǐng)域。可以肯定的是,氮化不會統(tǒng)治整個射頻應(yīng)用,設(shè)備廠商會像以前一樣,根據(jù)應(yīng)用選擇不同的器件和工藝制程技術(shù),包括三五價化合物與硅材料。“(射頻領(lǐng)域)還是
2016-08-30 16:39:28

將低壓氮化應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路

OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢,一顆氮化可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節(jié)省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此,氮化
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

氮化完整方案深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28

德州儀器助力氮化技術(shù)的推廣應(yīng)用

在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中,一些TI最優(yōu)秀的人才討論當(dāng)今最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于先前使用的硅晶體管,氮化(GaN)可以讓全新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計(jì)有哪些步驟?

以適當(dāng)?shù)淖⒁猓瑴y試設(shè)備和測量技術(shù)引入的寄生元件,特別是在較高頻率下工作,可能會使GaN器件參數(shù)黯然失色,并導(dǎo)致錯誤的測量結(jié)果。  應(yīng)用說明“高速氮化E-HEMT的測量技術(shù)”(GN003)解釋了測量技術(shù)
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。 誤解1:氮化技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證 氮化器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體,于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47

求助,請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?

請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47

硅基氮化與LDMOS相比什么優(yōu)勢?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55

碳化硅與氮化的發(fā)展

電動車?yán)m(xù)航力的提升相當(dāng)?shù)膸椭R虼耍琒iC及GaN功率組件的技術(shù)與市場發(fā)展,與電動車的發(fā)展密不可分。然而,SiC材料仍在驗(yàn)證與導(dǎo)入階段,在現(xiàn)階段車用領(lǐng)域僅應(yīng)用于賽車上,因此,全球現(xiàn)階段的車用功率組件
2019-05-09 06:21:14

第三代半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線,它有1024個元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對比的,是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化器件的建模,可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

、設(shè)計(jì)和評估高性能氮化功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。 應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化領(lǐng)域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì),被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化器件

無可爭議的冠軍。它已經(jīng)在雷達(dá)和5G無線技術(shù)中得到了應(yīng)用,很快將在電動汽車的逆變器中普及。你甚至可以買到基于氮化的USB壁式充電器,它們體積小且功率非常高。不過,還有比它更好的東西嗎?能讓射頻放大器變得
2023-02-27 15:46:36

集成氮化直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制器

靈活應(yīng)對不同的應(yīng)用場景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關(guān)電源. 特性? 集成氮化直接驅(qū)動(6V DRV)? 集成高壓啟動(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46

高壓氮化的未來分析

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

氮化測試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

半導(dǎo)體的未來超級英雄:氮化和碳化硅的奇幻之旅

半導(dǎo)體氮化
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-29 09:37:38

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

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