轉(zhuǎn)變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來(lái)越大的影響力。 ? 器件設(shè)計(jì) GaN器件設(shè)計(jì)根據(jù)類型我們可以分為三個(gè)部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關(guān)注的是射頻以及功率方面的應(yīng)用。 ? ? GaN射頻器件設(shè)計(jì) GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
4002 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:533169 
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開(kāi)關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說(shuō)，必須將超過(guò)Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開(kāi)關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
一.功率電子器件及其應(yīng)用要求功率電子器件大量被應(yīng)用于電源、伺服驅(qū)動(dòng)、變頻器、電機(jī)保護(hù)器等功率電子設(shè)備。這些設(shè)備都是自動(dòng)化系統(tǒng)中必不可少的，因此，我們了解它們是必要的。近年來(lái)，隨著應(yīng)用日益高速發(fā)展
2018-05-08 10:08:40
功率電子器件及其應(yīng)用要求
2019-04-10 11:47:48
電子器件是指什么？電子器件可分為哪幾種？電子器件有何作用？
2021-11-05 08:32:42
誰(shuí)有電子器件測(cè)試儀相關(guān)方面的資料啊？求共享。{:1:} 好頭痛哦
2012-04-30 11:09:24
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
光子學(xué)是什么？納米光子學(xué)又是什么？光子器件與電子器件的性能有哪些不同？
2021-08-31 06:37:56
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
功率電子器件概覽
2019-04-10 12:24:53
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
求助一些網(wǎng)購(gòu)的技巧：在那些網(wǎng)上買電子器件材料，花費(fèi)可以減到最小？求助。。。。。。。。。。
2013-06-12 12:39:38
（GaN）和碳化硅（SiC）晶體管等化合物半導(dǎo)體器件限制了高頻條件下的開(kāi)關(guān)損耗，加速了電路越來(lái)越小的趨勢(shì)。事實(shí)上，高頻操作導(dǎo)致電子電路的收縮，這要?dú)w功于減小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。這一點(diǎn)對(duì)于
2023-09-06 06:38:52
在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)？
2021-02-22 07:16:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子
2017-07-11 14:06:55
由于設(shè)備本來(lái)用的老電子器件不生產(chǎn)了，現(xiàn)在找到一款貼近老電子器件的新器件，我想問(wèn)一下用新器件替換的時(shí)候，需要注意哪些方面，有哪些指標(biāo)是特別重要的。
2023-03-14 17:14:21
。但是，SiC器件需要對(duì)其關(guān)鍵規(guī)格和驅(qū)動(dòng)要求有新的了解才能充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。本文概述了EV和HEV的功率要求，解釋了為什么基于SiC的功率器件非常適合此功能，并闡明了其輔助器件驅(qū)動(dòng)器的功能。在簡(jiǎn)要討論了
2019-08-11 15:46:45
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
、陰抗匹配等系統(tǒng)級(jí)功能。PEBB最重要的特點(diǎn)就是其通用性。基于新型材料的電力電子器件SiC（碳化硅）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率
2017-11-07 11:11:09
本文由QYResearch整理發(fā)布 電力電子器件的回顧電力電子器件又稱作開(kāi)關(guān)器件，相當(dāng)于信號(hào)電路中的A/D采樣，稱之為功率采樣，器件的工作過(guò)程就是能量過(guò)渡過(guò)程，其可靠性決定了系統(tǒng)的可靠性。根據(jù)可控
2017-05-25 14:10:51
【不懂就問(wèn)】在書上看到的說(shuō)，電力電子器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，這樣損耗很小，但是不是說(shuō)功率器件在不停開(kāi)關(guān)過(guò)程中有大量損耗嗎？這個(gè)矛盾嗎？而且開(kāi)關(guān)電源的功率管工作在飽和區(qū)，而線性電源的功率管工作在線性區(qū)，這個(gè)和上面又有什么關(guān)系？
2018-01-23 16:10:48
電力電子器件1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件——電力二極管1.3 半控型器件——晶閘管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型電力電子器件 小結(jié)
2009-09-16 12:09:44
甚至無(wú)法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對(duì)發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢(shì)，有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
請(qǐng)問(wèn)一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
如題所說(shuō)，希望各位前輩能指導(dǎo)的具體點(diǎn)，而不是說(shuō)簡(jiǎn)單說(shuō)需要光學(xué)情況或需要看清電子器件的簡(jiǎn)單說(shuō)明，最好能具體到哪種產(chǎn)品上。
2020-08-25 08:08:51
比如某個(gè)型號(hào)的二極管、三極管的額定整流電流等，請(qǐng)問(wèn)到哪里可以查到電子器件的電參數(shù)？
2015-07-25 04:59:24
集成微電子器件
2018-11-07 22:02:15
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)。 2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為_(kāi)_______，而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為_(kāi)_______。 3.電力電子器件組成
2009-01-12 11:31:46
62 電力電子器件及應(yīng)用1.1 電力電子器件概述一、電力電子器件的分類按照器件的控制能力分為以下三類：半控型器件：晶閘管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其特
2009-04-14 21:08:49146 電力電子器件電子教案:第一節(jié) 電力電子器件概述第二節(jié) 不可控器件——二極管第三節(jié) 半控型器件——晶閘管第四節(jié) 典型全控型器件第五節(jié) 其他新型電力電子器件第
2009-09-19 19:40:320 功率電子器件及其應(yīng)用要求
功率電子器件大量被應(yīng)用于電源、伺服驅(qū)動(dòng)、變頻器、電機(jī)保護(hù)器等功率電子設(shè)備。這些設(shè)備都是自動(dòng)
2009-05-12 20:28:08801 功率電子器件概覽
一． 整流二極管：二極管是功率電子系統(tǒng)中不可或缺的器件，用于整流、續(xù)流等。目前比較多地使用如下三種選
2009-05-12 20:32:471374 
電力電子器件與應(yīng)用
2012-06-19 13:39:4229699 
據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464 第2章 電力電子器件
2016-12-15 22:08:531 安華高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光電耦合器新產(chǎn)品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制造的功率半導(dǎo)體器件等的門極驅(qū)動(dòng)。新產(chǎn)品的最大特點(diǎn)是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:001 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向。
2017-10-17 17:23:191633 器件。 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)，是制作高壓、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料。碳化硅電力電子器件，特別是SiC MOSFET器件是下一代高效電力電子器件技術(shù)的核心。 碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)基于微電子所4英寸硅工藝平臺(tái)，
2017-11-08 15:14:3637 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管（晶體管、開(kāi)關(guān)管）。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來(lái)體積、重量以及成本的大幅減低。SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域可以按電壓劃分：
2018-06-05 17:21:096462 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767 
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:037275 
該GaN功率器件可以應(yīng)用在快速充電設(shè)備中, 令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況，進(jìn)而確保此功率器件在進(jìn)行快速充電時(shí)能夠很好的運(yùn)行使用。
2020-03-16 15:34:303656 
通過(guò)使用SiC功率元器件，大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。
2020-06-06 11:12:422875 上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類。自20世紀(jì)50年代以來(lái)，真空管僅還在頻率很高（如微波）的大功率高頻電源中在使用，而電力半導(dǎo)體器件已取代了汞弧整流器
2021-01-07 15:31:1237192 電力電子器件的損耗包括哪些 電力電子器件的損耗主要包括有開(kāi)通、關(guān)斷、通態(tài)損耗。 在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為開(kāi)關(guān)損耗。另外，si的二極管
2021-01-07 15:40:0330907 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)
2021-05-03 16:18:0010175 
日前，SiC & GaN功率器件設(shè)計(jì)和方案商派恩杰官方正式宣告與德國(guó)Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團(tuán)隊(duì)。
2021-09-09 09:39:171065 電力電子技術(shù)的核心是電能的變換與控制，常見(jiàn)的有逆變（即直流轉(zhuǎn)交流）、整流（即交流轉(zhuǎn)直流）、變頻、變相等。在工程中拓展開(kāi)來(lái)，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。但千變?nèi)f化離不開(kāi)其核心——功率電子器件。
2022-03-11 11:20:172699 
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 /dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅(qū)動(dòng)特性。為了加深大家對(duì)高速功率半導(dǎo)體器件的理解，今天我們以SiC和GaN為例來(lái)聊一下這個(gè)話題，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化鎵 (GaN)。盡管迄今為止它在低壓應(yīng)用（大約 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高電子遷移率晶體管 (HEMT) 并不適用于中壓（大致定義為 1.2 至 20 kV） ) 應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)和許多電網(wǎng)應(yīng)用。這
2022-07-29 10:35:011569 
在基本半導(dǎo)體特性（帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個(gè)電子伏特，臨界電子場(chǎng)為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748 
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動(dòng)態(tài)特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國(guó)內(nèi)外眾多科研團(tuán)隊(duì)的目光，近些年已取得了重要進(jìn)展。
2022-12-15 16:25:35754 本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350 
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類，目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:433961 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時(shí)，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子器件，以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸受到人們的關(guān)注。
2023-12-06 09:53:18381 由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級(jí)應(yīng)用的后起之秀，例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。
2023-12-08 14:33:47513 功率等級(jí)的功率轉(zhuǎn)換、更快的開(kāi)關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領(lǐng)域，從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化鎵（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
氮化物半導(dǎo)體具有寬禁帶、可調(diào)，高光電轉(zhuǎn)化效率等優(yōu)點(diǎn)，在紫外傳感器，功率器件，射頻電子器件，LED照明、顯示、深紫外殺菌消毒、激光器、存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，被認(rèn)為是有前途的發(fā)光材料。
2024-01-15 18:18:56672 
SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō)，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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