傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開關(guān)損耗的影響。為了高效運(yùn)行，IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管 （FRD），如圖 1 所示。隨著 Rohm Semiconductor 最近發(fā)布的一種
2022-07-29 08:07:33
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MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測(cè)試對(duì)影響 IGBT 開關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:511536 車載充電器 PD20W快充汽車一拖二點(diǎn)煙器車載USB擴(kuò)展車充電源轉(zhuǎn)換器插頭 通用蘋果13/12華為小米手機(jī)平板
2023-03-28 13:03:50
IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測(cè)量條件下，所測(cè)得
2012-07-25 09:49:08
的耐固性，避免帶來因dv/dt的誤導(dǎo)通。缺點(diǎn)是電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰，使得柵極承受噪聲能力小，易產(chǎn)生寄生振蕩。 柵極電阻值大——充放電較慢，開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗增大
2011-08-17 09:26:02
IGBT在半橋式電機(jī)控制中的使用IGBT的特性和功能在直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。IGBT，也就是絕緣柵雙極型晶體管，是由
2015-12-30 09:27:49
降低，故在開關(guān)電源（SMPS）中開始應(yīng)用，對(duì)功率MOSFET構(gòu)成一定威脅。 最近幾年，IGBT又進(jìn)入消費(fèi)類電子產(chǎn)品和家用電器，例如變頻空調(diào)（驅(qū)動(dòng)模塊用6只15A～50A/600V的IGBT、熒光燈
2012-06-01 11:08:11
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
降低，但是存儲(chǔ)電荷的增強(qiáng)與耗散引發(fā)了開關(guān)損耗，延遲時(shí)間（存儲(chǔ)時(shí)間），以及在關(guān)斷時(shí)還會(huì)引發(fā)集電極拖尾電流就限制了 IGBT 的開關(guān)頻率。結(jié)合上文所述可以看出 Mosfet 開關(guān)損耗小，開關(guān)速度快，所以
2022-09-16 10:21:27
； 下邊這張圖，一目了然： 單個(gè)脈沖的開關(guān)損耗可由下邊公式算出，在雙脈沖試驗(yàn)中，部分有積分功能的示波器可以測(cè)得單個(gè)脈沖的開關(guān)損耗。 規(guī)格書上給的開關(guān)損耗僅供參考，實(shí)際應(yīng)用中的開關(guān)損耗強(qiáng)烈
2021-02-23 16:33:11
IGBT的工作溫度。同時(shí)，控制執(zhí)行機(jī)構(gòu)在發(fā)生異常時(shí)切斷IGBT的輸入，以保護(hù)其安全。 4 結(jié)束語 IGBT模塊開關(guān)具有損耗小、模塊結(jié)構(gòu)便于組裝、開關(guān)轉(zhuǎn)換均勻等優(yōu)點(diǎn)，已越來越多地應(yīng)用在列車供電系統(tǒng)中
2012-06-01 11:04:33
開關(guān)損耗，使IGBT模塊 發(fā)熱增多，要配合進(jìn)行過熱保護(hù)。Rg阻值的選擇原則是：在開關(guān)損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻，實(shí)際工作中按Rg=3000/Ic 選取。 吸收回路 除了上述減少c、e之間
2012-06-19 11:26:00
Tc的增加，這個(gè)可利用的電流值下降較快，有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的電流值來標(biāo)稱型號(hào)，這個(gè)需要特別注意。3、根據(jù)開關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列 IGBT的損耗主要由通態(tài)損耗和開關(guān)損耗組成
2022-05-10 10:06:52
一個(gè)工頻周期內(nèi)，IGBT在正負(fù)半周期均有開關(guān)，但是在電流為負(fù)的半個(gè)周期內(nèi)，上管IGBT的流過的電流為0，因此開關(guān)損耗為0。 2）當(dāng)針對(duì)上管IGBT模塊分析時(shí)：在一個(gè)工頻周期內(nèi)僅有電流正半周期內(nèi)，Don
2023-02-24 16:47:34
引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小、通斷
2021-09-09 09:02:46
，以降低人耳能夠聽見的噪聲。要想優(yōu)化功率開關(guān)的低頻性能，首先是開關(guān)需具有低通態(tài)損耗，其次是低開關(guān)損耗。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器還必須穩(wěn)健可靠，在保護(hù)電路激活前，能夠長時(shí)間耐受電壓電流突變。 因?yàn)槭菃螛O器件，無少數(shù)
2018-11-20 10:52:44
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
車載充電器這部分電路詳細(xì)分析！各個(gè)元件怎樣工作！謝謝！！！
2016-04-19 20:05:10
其他開關(guān)器件。其中，MOSFET主要用于較低的電壓和功率系統(tǒng)，而IGBT更適合較高的電壓和功率應(yīng)用。 IGBT是新能源汽車高壓系統(tǒng)的核心器件，其最核心應(yīng)用為主驅(qū)逆變，此外還包括車載充電器 (OBC
2022-06-28 10:26:31
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
開關(guān)、鉗位感性電路中，MOSFET的關(guān)斷損耗比IGBT低得多，原因在于IGBT 的拖尾電流，這與清除圖1中PNP BJT的少數(shù)載流子有關(guān)。圖7顯示了集電極電流ICE和結(jié)溫Tj的函數(shù)Eoff，其曲線在
2018-08-27 20:50:45
針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的開關(guān)損耗，并對(duì)電路
2021-06-16 09:21:55
。 在實(shí)際應(yīng)用中，計(jì)算IGBT在類似PFC電路中的傳導(dǎo)損耗將更加復(fù)雜，因?yàn)槊總€(gè)開關(guān)周期都在不同的IC上進(jìn)行。IGBT的VCE(sat)不能由一個(gè)阻抗表示，比較簡(jiǎn)單直接的方法是將其表示為阻抗RFCE
2020-06-28 15:16:35
電流；Vac是 PFC 電路RMS輸入電壓；Vout是直流輸出電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，計(jì)算IGBT在類似PFC電路中的傳導(dǎo)損耗將更加復(fù)雜，因?yàn)槊總€(gè)開關(guān)周期都在不同的IC上進(jìn)行。IGBT的VCE(sat)不能
2018-09-28 14:14:34
OBc車載充電器 3Kw OBC 車載充電器 含原理圖、PCB圖、C源代碼、變壓器參數(shù)等生產(chǎn)資料。附贈(zèng)15kwdcdc模塊資料1、這款產(chǎn)品的方案采用的是dsp2803x系列。2、原理圖和Pcb采用AD繪制。
2021-12-29 07:29:20
IGBT系列器件采用改進(jìn)的門控制來降低開關(guān)損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術(shù)的溝槽，TJmax等于175℃。獨(dú)立的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對(duì)高速
2020-07-07 08:40:25
, 圖3 中IGBT 的t r、t f 均大于給定值, 但這并不意味著損耗的上升, 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗還取決于開關(guān)過程中電壓電流的"重疊"程度, 而圖3中的"重迭"明顯
2018-10-12 17:07:13
時(shí)的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
DHR、RGS00TS65DHR。晶體管具有更低的集射極飽和壓降、低開關(guān)損耗、短路耐受時(shí)間為8μs和內(nèi)置非常快速且軟恢復(fù)FRD特點(diǎn)，符合汽車電子的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，且達(dá)到了無鉛標(biāo)準(zhǔn)和通過RoHS認(rèn)證
2019-04-09 06:20:10
描述PMP40286 是一種雙端口車載充電器參考設(shè)計(jì)。此參考設(shè)計(jì)輸出到 5V 3A USB Type-C? 端口和 5V 2.4A USB Type-A 端口。USB Type-C 端口可向后兼容
2018-10-12 15:34:10
我用IGBT設(shè)計(jì)了D類功放，用的管子是FGH60N60SFD，開關(guān)頻率為300kHz，上網(wǎng)查資料發(fā)現(xiàn)IGBT的開關(guān)損耗為圖中公式，查找FGH60N60SFD文檔后計(jì)算開關(guān)損耗為300000*2.46/1000/3.14=235W，我想問一下，開關(guān)損耗真有這么大嗎，是設(shè)計(jì)的不合理還是我計(jì)算錯(cuò)了？
2019-07-25 10:16:28
`車載充電器最重要的特性指標(biāo)便是充電時(shí)間，充電時(shí)間的長短直接反應(yīng)了車載充電器性能的好壞，并影響著用戶的使用體驗(yàn)。接下來在普通乘用車上，對(duì)這款車充進(jìn)行實(shí)地充電測(cè)試。本次測(cè)試選擇了兩種工況，分別為車輛
2018-08-24 16:53:34
，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁 智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)元件使用；2）智能電網(wǎng)IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：從發(fā)電端來看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中
2019-07-16 07:30:00
是直流輸出電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，計(jì)算IGBT在類似PFC電路中的傳導(dǎo)損耗將更加復(fù)雜，因?yàn)槊總€(gè)開關(guān)周期都在不同的IC上進(jìn)行。IGBT的VCE(sat)不能由一個(gè)阻抗表示，比較簡(jiǎn)單直接的方法是將其表示為阻抗
2017-04-15 15:48:51
的RMS電流式2中，Iacrms是PFC電路RMS輸入電流；Vac是 PFC 電路RMS輸入電壓；Vout是直流輸出電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，計(jì)算IGBT在類似PFC電路中的傳導(dǎo)損耗將更加復(fù)雜，因?yàn)槊總€(gè)開關(guān)周期
2019-03-06 06:30:00
電源需要降低功耗，因此對(duì)高效率開關(guān)器件的需求也在增長。這催生了對(duì)于PFC電路中低損耗開關(guān)器件和更高開關(guān)頻率的需求。東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
IGBT芯片技術(shù)進(jìn)化圖31200V系列器件參數(shù)比對(duì)焊機(jī)領(lǐng)域開關(guān)頻率一般>=20KHz，為適應(yīng)這一頻率要求，特別針對(duì)開關(guān)特性和飽和壓降進(jìn)行折中優(yōu)化，保證降低開關(guān)損耗的前提下導(dǎo)通壓降值不能有顯著增加。因
2014-08-13 09:01:33
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個(gè)優(yōu)勢(shì)。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真，是開關(guān)頻率為5kHz和30kHz時(shí)開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中，5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到0時(shí)，這個(gè)階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關(guān)斷過程中，t6~t7和t7~t8二個(gè)階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。關(guān)斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
的開通過程中，跨越線性區(qū)是產(chǎn)生開關(guān)損耗的最根本的原因。這表明：米勒平臺(tái)時(shí)間在開通損耗中占主導(dǎo)地位，這也是為什么在選擇功率MOSFET的時(shí)候，如果關(guān)注開關(guān)損耗，那么就應(yīng)該關(guān)注Crss或QGD，而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
基于AP3003的車載充電器該怎樣去設(shè)計(jì)？
2021-05-12 07:09:14
就功率半導(dǎo)體而言，高規(guī)格輔助電源發(fā)展中最有前途的方向之一與使用基于硅IGBT和SiC肖特基二極管的“混合”半導(dǎo)體開關(guān)有關(guān)。肖特基二極管的使用可以大幅降低二極管中功率損耗的頻率相關(guān)分量，減少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
在開啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
在本文中，我們將解釋針對(duì)不同的應(yīng)用和工作條件仔細(xì)選擇IGBT變體如何提高整體系統(tǒng)效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導(dǎo)開關(guān)眾所周知，對(duì)于特定電壓下的任何給定過程，降低傳導(dǎo)損耗的努力將導(dǎo)致
2023-02-27 09:54:52
格電池開始新的一天。但是，由于屏幕尺寸與顯示器亮度等耗電元素的原因，現(xiàn)在電池很少能維持到我所需要的使用時(shí)長。解決這一問題的便捷方法是在往返路上給電話充電。車載 DC/DC 充電器不僅正在不斷普及，而且
2018-09-14 15:05:41
常見的車載充電器方案有哪些？
2021-05-19 07:05:45
格電池開始新的一天。但是，由于屏幕尺寸與顯示器亮度等耗電元素的原因，現(xiàn)在電池很少能維持到我所需要的使用時(shí)長。解決這一問題的便捷方法是在往返路上給電話充電。車載 DC/DC 充電器不僅正在不斷普及，而且
2018-09-18 11:31:41
了第二代600V的全新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品的ESD防護(hù)提升至2KV，開關(guān)損耗降低了30%，更加安全、耐用。電源管理類產(chǎn)品展柜前人潮涌動(dòng)LED調(diào)光電源展示`
2016-03-17 10:42:05
摘 要：針對(duì)礦用永磁操動(dòng)機(jī)構(gòu)饋電開關(guān)智能控制器采用的鉛酸蓄電池在充電過程中存在充電過度、充電不足、電池過熱和充電速度慢等諸多問題，設(shè)計(jì)了一種以atmega16 單片機(jī)為核心的智能充電器。采用
2018-11-26 16:45:31
這一趨勢(shì)。在圖5中，IGBT的開通損耗、二極管反向恢復(fù)損耗和關(guān)斷損耗與三款IGBT的寄生直流母線雜散電感進(jìn)行了對(duì)比。圖5圖5作為雜散電感Ls函數(shù)的開關(guān)損耗。通過提高雜散電感，可降低IGBT（左側(cè)
2018-12-10 10:07:35
持續(xù)的環(huán)境。為了實(shí)現(xiàn)這一改變，需要一個(gè)緊密聯(lián)系的充電基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)。這些EV充電系統(tǒng)需要更高的開關(guān)頻率，以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的高度緊湊性和更高的效率。除了電動(dòng)汽車充電器領(lǐng)域，UPS系統(tǒng)還傾向于在更高的開關(guān)頻率下
2020-09-02 15:49:13
紋波大。 為了降低器件的開關(guān)損耗，可以采用圖5所示的軟開關(guān)電路。給MOSFET設(shè)計(jì)的關(guān)斷延時(shí)確保了IGBT的ZVS關(guān)斷。在電流上升模式中，MOSFET分擔(dān)了輸出濾波電流，其電壓應(yīng)力為IGBT的一半
2012-11-29 14:29:17
紋波大。 為了降低器件的開關(guān)損耗，可以采用圖5所示的軟開關(guān)電路。給MOSFET設(shè)計(jì)的關(guān)斷延時(shí)確保了IGBT的ZVS關(guān)斷。在電流上升模式中，MOSFET分擔(dān)了輸出濾波電流，其電壓應(yīng)力為IGBT的一半
2012-12-05 16:10:53
150 kW的電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率的輸出。阻斷電壓750V、低 VCEsat、低開關(guān)損耗、低QG和Cres、低電感設(shè)計(jì)，Tvjop = 150°C、短時(shí)間工作溫度Tvjop = 175°C。 P1、P2
2023-03-23 16:01:54
歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化
2018-08-30 15:47:38
打造了一個(gè)兼顧品質(zhì)與性價(jià)比的完美方案，除支持雙向充電之外，還有助于實(shí)現(xiàn)很高的系統(tǒng)集成度。這使得該器件非常適合諸多快速開關(guān)汽車應(yīng)用，如車載充電器（OBC）、功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC
2021-03-29 11:00:47
0.99，PFC電路中常用IGBT作為功率器件，應(yīng)用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、綠色環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。 ③充電器 UPS的充電器常用的有反激式、BOOST升壓式和半橋式。大電流充電器中
2012-03-29 14:07:27
的功能。圖1：線性充電器圖圖2：開關(guān)充電器圖線性充電器開關(guān)充電器功耗大，充電電流大更高的效率和更低的功耗簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)；小解決方案尺寸更復(fù)雜的設(shè)計(jì)降低成本更多組件；本更高無電磁干擾（EMI）問題開關(guān)噪聲可能需要更多的布局考慮適用于對(duì)小電池或
2019-03-21 06:45:06
損耗的IGBT芯片，如根據(jù)高頻應(yīng)用場(chǎng)合開關(guān)損耗占的比重大的特點(diǎn)開發(fā)出低關(guān)斷損耗高飽和壓降的IGBT芯片。圖5是英飛凌IGBT在焊機(jī)中應(yīng)用的DN2,KS4和T4芯片的飽和壓降和開關(guān)損耗分布圖。圖中的縱軸
2018-12-03 13:47:57
是為密勒電容（CGD）充電。在米勒時(shí)刻期間，漏極電流在IOUT端是恒定的，而VDS從VIN開始下降。在這段時(shí)間內(nèi)的功率損耗通過等式2表示：在等式3中加上總開關(guān)損耗的結(jié)果：注意，在圖1中，t2比第三個(gè)時(shí)段
2018-06-05 09:39:43
的功能。圖1：線性充電器圖圖2：開關(guān)充電器圖線性充電器開關(guān)充電器功耗大，充電電流大更高的效率和更低的功耗簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)；小解決方案尺寸更復(fù)雜的設(shè)計(jì)降低成本更多組件；本更高無電磁干擾（EMI）問題開關(guān)噪聲可能需要更多的布局考慮適用于對(duì)小電池或
2019-04-01 06:30:00
請(qǐng)問各位大神，空調(diào)的PFC電路的IGBT，帶FRD跟不帶FRD有什么區(qū)別？
2017-04-24 09:31:50
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)（通用應(yīng)用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
，相應(yīng)地IGBT關(guān)斷時(shí)拖尾電流更短。更薄的晶片和因此而縮短的通道，帶來了三重效益——通態(tài)損耗降低大約40%；開關(guān)損耗未增加；生產(chǎn)成本比早期器件降低10%（圖1c）。這十年，IGBT制造商的重點(diǎn)一直是
2018-12-03 13:47:00
MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。
2010-05-25 09:05:201169 
英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制
來將IGBT 開關(guān)損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源（SMPS）應(yīng)用。
2019-08-16 17:31:582007 本文主要闡述了車載充電器的使用方法及使用注意事項(xiàng)，另外還介紹了車載充電器安裝方法。
2020-03-27 14:25:126722 本文首先介紹了車載充電器的作用，其次闡述了車載充電器的正負(fù)極，最后介紹了車載充電器的輸入電壓。
2020-03-27 14:37:4116780 本文首先闡述了車載充電器的危害，其次介紹了車載充電器的選購方法，最后介紹了車載充電器使用注意事項(xiàng)。
2020-03-27 14:53:385542 LT3585：輸入電流可調(diào)的閃光燈充電器和IGBT驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-14 17:20:234 大家好，這期我們?cè)倭囊幌?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的開關(guān)損耗，我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會(huì)釋放功率，對(duì)外做功產(chǎn)生熱量。那為什么IGBT開關(guān)
2022-04-19 16:00:383402 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
車載充電器充不進(jìn) 車載電器充不進(jìn)電原因： 1、車載充電器要是不兼容你的手機(jī)就充不進(jìn)電。沒完全兼容，充電電流會(huì)小； 2、要是兼容，車載充電器質(zhì)量太差，輸出電流太小，充電效果不明顯，會(huì)感覺
2023-02-14 15:54:451294 0 引言 絕緣柵型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由MOSFET和功率雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件。IGBT既具有MOSFET的高速開關(guān)
2023-02-22 15:19:511 是流控、而MOSFET是壓控。BJT導(dǎo)通損耗小，但開關(guān)損耗大；三個(gè)電極，分別是基極（B）、集電極（C）、發(fā)射極（E）MOSFET開關(guān)損耗小，但導(dǎo)通損耗大，三個(gè)電極，分別是柵極（G）、漏極（D）、源極（S）而IGB
2023-02-22 14:00:530 從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
車載充電器怎么使用 車載充電器的使用方法：1、準(zhǔn)備車載充電器，車載充電器底部是正極，兩邊的觸點(diǎn)是負(fù)極； 2、將車載充電器底部直接插到點(diǎn)煙器里固定； 3、點(diǎn)煙器的LED指示燈亮起即可
2023-06-01 14:11:041222 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
供應(yīng)SGTP40V65FDR1P7650V、40Aups逆變器igbt，具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:31:303 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
速度、效率、損耗、應(yīng)用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開關(guān)模式下，當(dāng)IGBT開關(guān)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，由于電流和電壓較大，會(huì)產(chǎn)生大量的開關(guān)損耗。而在軟開關(guān)模式下，IGBT在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中能夠在合適的時(shí)機(jī)通過控制電壓和電流的波形，來減少開關(guān)損耗。 開關(guān)速度： 硬開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
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