損耗是MOSFET的Qg乘以驅動器電壓和開關頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術規格書。驅動器電壓或者實測，或者參考IC的技術規格書。
2020-04-05 11:52:00
3550 
在導通數據中，原本2，742μJ的開關損耗變為1，690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗，柵極驅動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002391 
在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅動器源極引腳的差異和效果。有驅動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認驅動器源極引腳的效果。
2022-06-15 16:06:202920 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
可大大降低開關損耗。順便提一下，PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音樂速度用語。開發旨在trr高速化的FN系列，是為了使逆變器電路和電機驅動器電路的損耗更低，并通過免除外置二極
2018-11-28 14:27:08
了MOSFET結電容隨電壓的變化狀況。圖2由于Q=C*U*t為了方便計算MOSFET所需的驅動功率以及開關損耗，規格書中通常會給出MOSFET 的Q值。圖3中描述了MOSFET開通的過程以及不同的Qg
2018-12-10 10:04:29
外部元器件而不是功率開關本身對集電極或漏極電流進行控制。 電源開關轉換期間的開關損耗就更復雜，既有本身的因素，也有相關元器件的影響。與損耗有關的波形只能通過電壓探頭接在漏源極(集射極)端的示波器觀察
2020-08-27 08:07:20
由外部元器件而不是功率開關本身對集電極或漏極電流進行控制。 電源開關轉換期間的開關損耗就更復雜，既有本身的因素，也有相關元器件的影響。與損耗有關的波形只能通過電壓探頭接在漏源極（集射極）端的示波器
2023-03-16 16:37:04
重要了。一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：（1）開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2017-01-09 18:00:06
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2021-12-29 07:52:21
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
）”一詞所表達的，電路的優先事項一定需要用最大公約數來實現優化。對此，將在Tech Web的基礎知識“SiC功率元器件”中進行解說。另外，您還可以通過ROHM官網下載并使用本次議題的基礎，即Application Note“利用驅動器源極引腳改善開關損耗（PDF）”。
2020-07-01 13:52:06
的開關工作進行比較，而在 Figure 5 所示的電路條件下使 Low Side（LS）的 MOSFET 開關的雙脈沖測試結果。High Side（HS）是將 RG_EXT 連接于源極引腳或驅動器源極
2020-11-10 06:00:00
開關損耗。測試中使用的是最大額定值（RDS（on））為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產品（型號：SCT3040KL）沒有驅動器源極引腳，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
PWM輸入變高時，高壓側驅動器將通過從CBST中抽出電荷開始打開高壓側MOSFET，Q1當Q1打開時，SW引腳將上升到VIN，迫使BST引腳達到VIN+VC（BST），這是足以保持Q1打開的門到源電壓
2020-07-21 15:49:18
的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，并且優化開關
2018-08-30 15:28:30
指令到引腳7時，門驅動輸出，引腳4，迅速上升到VCC電源電位在針腳5處。一旦柵極電壓超過柵極源MOSFET的閾值電壓，VGS（ON），（源是通過負載接地）MOSFET轉動打開并將電源電壓連接到負載
2020-07-14 14:53:05
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
免 MOSFET 的誤工作，但這種寄生電感的影響是三種主要寄生電感中最小的。整個器件的過沖電壓通常由功率回路電感（有時也稱為開關回路電感）造成，而這會產生高開關損耗。共源極電感會在開關瞬變過程中產生對柵極驅動
2022-03-24 18:03:24
產品尺寸，從而提升系統效率。而在實際應用中，我們發現：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅動
2023-02-27 16:14:19
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
增大，但是高頻化可以使得模塊電源的變壓器磁芯更小，模塊的體積變得更小，所以可以通過開關頻率去優化開通損耗、關斷損耗和驅動損耗，但是高頻化卻會引起嚴重的EMI問題。采用跳頻控制方法，在輕負載情況下，通過降低
2019-09-25 07:00:00
。電流開始流入MOSFET時，柵電流降低以限制di/dt。當漏-源電壓開始下降時，柵電流升高以限制開關損耗。與電阻器驅動的MOSFET相比，di/dt階段開關損耗相同，但是在dv/dt階段開關損耗要低
2019-07-24 04:30:00
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。08、開關管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導通損耗，開關損耗，驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
。為了避免這種情況，可采取另加邏輯延時電路，以使H橋電路上、下兩管交替導通時可產生一個“死區時間”，先關后開，防止上、下兩管直通現象。本驅動器電源驅動部分線路簡單，通過對電流前后沿的合理設計，降低了開關損耗，改善了電機的高頻特性，并具有多種保護功能，實際使用中效果良好。
2020-08-25 14:11:27
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
各位大神，可否用IR2113 驅動共源集MOSfet ,且mosfet關斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？一、開關損耗
2021-11-18 07:00:00
開關條件得以改善，降低硬開關的開關損耗和開關噪聲，從而 提高了電路的效率。 圖1 理想狀態下軟開關和硬開關波形比較圖軟開關包括軟開通和軟關斷兩個過程： 理想的軟開通過程是：開關器件兩端的電壓先下
2019-08-27 07:00:00
特別是高電流柵極驅動器，其能夠通過降低開關損耗幫助提升整體系統效率。當FET開關打開或關閉時，就會出現開關損耗。為了打開FET，柵極電容得到的電荷必須超過閾值電壓。柵極驅動器的驅動電流能夠有助于柵極
2022-11-14 06:52:10
大于B管，因此選取的MOSFET開關損耗占較大比例時，需要優先考慮米勒電容Crss的值。整體開關損耗為開通及關斷的開關損耗之和：從上面的分析可以得到以下結論：（1）減小驅動電阻可以減小線性區持續的時間
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關過程，也討論過開關電源的PWM及控制芯片內部的圖騰驅動器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關
2017-02-24 15:05:54
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
適當的電源板設計可以省略。否則，它應盡可能靠近ICM引腳。二極管 D1 用于保護驅動器免受負電壓尖峰的影響，并且應該是具有低電容的快進恢復，如 Diodes 公司的 1N4448HWS-7-F。當開關
2023-02-27 09:52:17
！它在高側柵極驅動器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設計指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側柵極驅動器可能需要對 MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
瞬態操作。圖1所示為硬開關關斷瞬態下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉換器中的MOSFET的典型關斷瞬態波形 當驅動器發出關斷信號后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
的暫態表現形式，若盡量減小分布電感，可使驅動信號由阻尼振蕩變為指數衰減，即可消除MOSFET的高頻開關損耗。同時亦可一定程度上降低振蕩幅值。因此在設計電路時應該盡量使驅動芯片靠近MOSFET，并減小
2018-08-27 16:00:08
前后沿要陡，以便改善電機的高頻響應．本驅動器中由于功率MOSFET管柵極電容的存在，對該管的驅動電流實際表現為對柵極電容的充、放電．極間電容越大，在開關驅動中所需的驅動電流也越大，為使開關波形具有足夠
2008-10-21 00:50:02
很小。寄生電容的降低會使開關時的電荷（Qg、Qgs、Qgd）降低。因此,器件的開關速度會更快,也降低了MOSFET中的開關損耗。同時,驅動電路所需要的能量也比較低,這也降低了驅動器中的損耗。器件內部的密
2012-12-06 14:32:55
MOSFET應用于不同的開關電源以及電力電子系統，除了部分的應用使用專門的驅動芯片、光耦驅動器或變壓器驅動器，大量的應用通常使用PWM IC或其它控制芯片直接驅動。在論述功率MOSFET的開關損耗
2017-02-20 17:46:04
150 kW的電機驅動功率的輸出。阻斷電壓750V、低 VCEsat、低開關損耗、低QG和Cres、低電感設計，Tvjop = 150°C、短時間工作溫度Tvjop = 175°C。 P1、P2
2023-03-23 16:01:54
Coss、Qrr和較低的柵極環路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關損耗。集成柵極驅動的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅動器和保護功能的器件。它是一個
2023-02-14 15:06:51
的圖像。圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段
2018-08-30 15:47:38
MOS管開通時放電引起的損耗。）當測試mos管電流波形時，剛開啟的時候有個電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。開關管MOSFET上的損耗mos
2021-05-18 06:00:00
開關損耗。此外，還要進行開關噪聲的測量，確認其在適當的范圍。MOSFET ON時的速度用R5和R6進行調整MOSFET OFF時的清電荷用二極管D4，以R5進行調整選擇工作電流模式的不連續模式后
2018-11-27 16:58:07
周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為
2018-06-05 09:39:43
電流強度的隔離式柵極驅動器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗，實現更快的開關頻率，從而提高效率，從而改善新的電動汽車型號的驅動范圍。符合 TI 功能安全標準的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅動器附帶大量設計支持工具，可幫助實現。
2022-11-02 12:02:05
較高的高頻電流，特別是在 MOSFET 開關期間。圖 2：降壓功率級和柵極驅動器的“剖析原理圖”（包含感性和容性寄生元素）。有效高頻電源回路電感 (LLOOP) 是總漏極電感 (LD)、共源電感 (LS)（即
2020-11-03 07:54:52
在功率電子(例如驅動技術)中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。
2019-08-09 08:22:15
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
新年伊始，設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統實現更高的效率。高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數類型的FET是固有的。它由p-n結點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS，開關損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:05
38 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，并且優化開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能。
2016-05-09 17:06:562888 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 Mosfet的損耗主要有導通損耗，關斷損耗，開關損耗，容性損耗，驅動損耗
2020-01-08 08:00:0011 用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低 35%左右。此次，針對 SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會社的應用工程師。
2020-11-25 10:56:0030 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關損耗
讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器，可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達100V的電源電壓來驅動兩個N溝道MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關損耗。針對
2022-10-25 09:19:341345 
驅動器和 SiC MOSFET 打開電源開關的大門
2023-01-03 09:45:06433 
開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00978 通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?目前ROHM有驅動器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。
2023-02-09 10:19:20540 
本文的關鍵要點?具備驅動器源極引腳，可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。?具備驅動器源極引腳，可以提高導通速度。
2023-02-09 10:19:20405 
通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的關鍵要點?由于具有驅動器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時需要注意。
2023-02-09 10:19:21356 
－接下來，請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關損耗以及選擇開關P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35557 
場效應管？
選擇合適的柵極驅動器來匹配 MOSFET 對于設計最佳系統至關重要。錯誤的選擇會不必要地增加 MOSFET 的開關損耗，從而降低系統效率。但也是一個錯誤的選擇會大大增加噪聲，可能會增加VS下沖、HO或LO尖峰，并且在極端，導致擊穿，損壞 MOSFET 和
2023-07-24 15:51:430 同步buck電路的mos自舉驅動可以降低mos的開關損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅動可以降低MOS的開關損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉換器，它具有高效、穩定、可靠的特點
2023-10-25 11:45:14523 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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