SiC MOSFET 在開關(guān)狀態(tài)下工作。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，這可能發(fā)生在驅(qū)動器發(fā)生故障的情況下，或者出于某些目的，當(dāng)設(shè)計(jì)者編程時會發(fā)生這種情況。
2022-07-29 08:07:04
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下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進(jìn)行1000小時的直流8A通電測試，結(jié)果如下。試驗(yàn)證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
研究開發(fā)法人科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)合作開發(fā)，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產(chǎn)品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導(dǎo)通電阻（以往產(chǎn)品的1
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電子世界帶來革命性的希望。IGBT為我們提供了一個同時能夠阻止高電壓的晶體管，具有低導(dǎo)通狀態(tài)（即導(dǎo)通）損耗和良好控制的開關(guān)。然而，該裝置的切換速度有限，這導(dǎo)致高開關(guān)損耗，大而昂貴的熱管理以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
設(shè)計(jì)得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
誤導(dǎo)通的話，將有可能發(fā)生在高邊－低邊間流過直通電流（Flow-through Current）等問題。這種現(xiàn)象是SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的開關(guān)引起的。低邊柵極電壓升高是由切換到高邊導(dǎo)
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
低邊和高邊電流監(jiān)測器的架構(gòu)和應(yīng)用是什么
2021-03-11 07:39:28
上面原理圖是 用51單片機(jī)控制mosfet（NPN）開關(guān)的單相全波整流電路，整流橋采用的是IN4007二極管。焊接完畢后變壓器上電，mosfet始終處于導(dǎo)通狀態(tài)，無論單片機(jī)輸出什么信號，即便是把
2019-01-23 11:17:05
MOSFET和逐漸成熟的高壓GaN MOSFET，這些器件都有非常廣泛的應(yīng)用，這里不一一舉例，而這些常用的應(yīng)用按驅(qū)動劃分的話，我覺得可以分為低邊驅(qū)動和非低邊驅(qū)動，低邊驅(qū)動例如PFC中的MOSFET
2016-11-28 13:38:47
的導(dǎo)通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi)，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導(dǎo)通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導(dǎo)通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對兩個波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
40mR導(dǎo)通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實(shí)際應(yīng)用中需要加強(qiáng)散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應(yīng)用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
項(xiàng)目名稱：特種電源開發(fā)試用計(jì)劃：在I項(xiàng)目開發(fā)中，有一個關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實(shí)現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計(jì)劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
Arduino引腳為低電平時，MOSFET保持導(dǎo)通狀態(tài)。如果后面的系統(tǒng)沒有剩余電源（這里與電路無關(guān)），這是為Arduino本身提供電流。由于這個限制，這樣的電路： 當(dāng)arduino輸入為低電平時，將
2018-08-23 10:30:01
、SOURCE引腳的狀態(tài)，將二極管電橋的整流電壓轉(zhuǎn)換為所需的穩(wěn)定DC電壓。通過FB引腳和SOURCE引腳來控制開關(guān)SiC MOSFET的ON寬度（關(guān)斷），通過ZT引腳來控制其OFF寬度（導(dǎo)通）。如欲了解更詳細(xì)
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
是基于技術(shù)規(guī)格書中的規(guī)格值的比較，Eon為開關(guān)導(dǎo)通損耗，Eoff為開關(guān)關(guān)斷損耗、Err為恢復(fù)損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT，至于Err，由于幾乎沒有Irr而極其微小。結(jié)論是開關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
SiC-MOSFET關(guān)斷時導(dǎo)通該MOSFET，強(qiáng)制使Vgs接近0V，從而避免柵極電位升高。評估電路中的確認(rèn)使用評估電路來確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動電路示例，柵極驅(qū)動L為負(fù)電壓驅(qū)動。CN1
2018-11-27 16:41:26
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-04 10:11:25
在開啟時提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的反向恢復(fù)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下的高功率損耗，使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認(rèn)為取代CCM圖騰柱PFC和CLLC轉(zhuǎn)換器中的硅MOSFET［8］。遺憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求一款低邊MOSFET驅(qū)動,輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅(qū)動兩個MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
的門檻變得越來越低，價(jià)格也在逐步下降，應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國內(nèi)品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關(guān)、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經(jīng)直接焊接
2022-09-20 08:00:00
MOSFET幾乎立即完全導(dǎo)通，而相比之下，IGBT顯示出明顯的斜率。這導(dǎo)致Eon能量損失大幅下降。在相同的實(shí)驗(yàn)室條件下操作快速開關(guān)IGBT和東芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
非常接近，但是，SiC器件可以提供更低的柵極電荷和更好的熱規(guī)格。頻譜的另一端是IGBT器件。很明顯，由于SiC MOSFET的低RDSon，這些器件無疑優(yōu)于IGBT，更不用說更低的柵極電荷了。 當(dāng)以
2023-02-24 15:03:59
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅(qū)動電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
，Si-MOSFET在這個比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
。與此同時，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
不能降低高壓MOSFET的導(dǎo)通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除 導(dǎo)通時低摻雜的高耐壓外延層對導(dǎo)通電阻只能起增大作用外并無其他
2023-02-27 11:52:38
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
近年來，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 SiC MOSFET在開/關(guān)切換模式下運(yùn)行。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，當(dāng)驅(qū)動程序發(fā)生故障或設(shè)計(jì)人員為特定目的對其進(jìn)行編程時，可能會發(fā)生這種情況。
2022-07-25 08:05:24974 
和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
2023-02-06 14:39:51645 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時導(dǎo)通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 
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