本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出，出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 11:28:32
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針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211845 
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45943 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時間變長。另外，Vdd較低時發(fā)熱量也會減少，所以耐受時間會更長。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時，急劇的dI/dt可能會引發(fā)較大的浪涌電壓。請使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評估事例的設(shè)計目標和電路使用評估板進行性能評估測量方法和結(jié)果重要檢查點MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當(dāng)時雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開關(guān)器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
。在探頭上的短彈簧現(xiàn)在連接到該接地銅箔。該方式用很少的努力，就可以簡單和精確地進行測量。 圖2: 含細小管腳測試觸針的HZ355無源探頭如果在探頭基本配置中不含圖1彈簧探針，你也可以自制（DIY
2017-10-11 09:45:21
無源電壓探頭是示波器最常用的探頭。雖然其它專用探頭擴展了示波器作為測量系統(tǒng)的范圍和功能，但是通用的無源電壓探頭則作為示波器的工作端工具，每天都被工程師和技術(shù)人員所使用。經(jīng)過兩年的用戶調(diào)查、設(shè)計創(chuàng)新
2017-12-13 11:52:06
P6139B探頭是高帶寬，高阻抗，10x無源電壓探頭，10MΩ輸入阻抗，更小的探尖和更細的探頭前端方便探測密集的電路，在不同的補償范圍內(nèi)支持泰克示波器。是最高帶寬、最低探頭負載的無源探頭。無源探頭
2017-12-14 11:59:22
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過了半個小時的帶載實驗，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對于
2020-06-10 11:04:53
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
比如，IRFP460，它的UGS(th)最小是2V，最大是4V，其特性曲線如下圖所示。那么它的柵源間的電壓要設(shè)置多大好呢？
2012-08-31 10:19:09
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真
2016-05-07 15:38:04
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真
2016-09-21 19:52:12
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真（中文）
2016-03-10 14:50:01
儀器設(shè)備的說明書，并按正確的方法使用。三、正確的測量方法實例 1 和 2 被測信號的特點都是對大地存在共模電壓，在觀測的頻率下共模電壓對大地的源阻抗較低。而單端探頭和通用示波器是接大地的，那么直接連接測量
2019-10-23 07:00:00
` 在示波器的應(yīng)用場合中，除了有些RF或高速數(shù)字的場合用電纜直接測量以外，很多板上的調(diào)試工作都是借助探頭完成的。探頭是示波器測量系統(tǒng)的一部分，很多高帶寬的探頭都必須是有源探頭，有源探頭內(nèi)部的有源
2018-04-26 10:50:47
的MOSFET電容器Cgs將開始放電。此時，MOSFET阻斷特性保持不變。這個t1階段被稱為延時，它表征著MOSFET的響應(yīng)時間。當(dāng)MOSFET柵源電壓Vgs達到柵極平臺電壓Vgs（Miller
2018-10-08 15:19:33
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
電源設(shè)計問題及其測量需求是什么？怎么消除電壓探頭和電流探頭之間的時間偏差？怎么消除探頭零偏和噪聲？
2021-05-08 06:47:53
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
使用各種不同的數(shù)字示波器進行相關(guān)電氣信號量的測量，測量的時候都需要與示波器相匹配的探頭，與示波器相匹配的探頭種類也非常多，包括無源探頭(包括高壓探頭，傳輸線探頭)、有源探頭（包括有源單端探頭、有源差
2017-12-13 11:48:36
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
- 柵極-源極電壓: 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V Qg-柵極電荷: 100 nC -小工作溫度: - 55 C -大工作溫度: + 155 C 配置: Single 通道模式
2020-03-04 10:34:36
，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
，動態(tài)范圍小，靜電敏感，校準麻煩，因此，每個工程師使用示波器的入門級探頭通常是無源探頭。最常見的500Mhz的無源電壓探頭適用于一般的電路測量和快速診斷，可以滿足大多數(shù)的低速數(shù)字信號、TV、電源和其它的一些典型的示波器應(yīng)用。
2019-05-21 10:16:29
了解差分信號。差分信號是互相參考，而不是參考接地的信號。例如，圖1開關(guān)電源中半橋上下開關(guān)管(Q1，Q2管)中電壓信號；圖2多相電源系統(tǒng)中電壓信號，以上信號在本質(zhì)上是“漂浮”在地之上。3.差分信號的測量方法
2015-12-17 17:10:32
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點來講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。高阻無源探頭中還有 2 個特殊的種類。一類是高壓探頭，其衰減比可達100:1 或 1000:1，所以測量電壓范圍很大；還有一類是 1:1 的探頭，即信號沒有衰減就進入示波器，由于不象 10：1
2018-04-02 09:17:49
探頭有很多類別，差分探頭在開關(guān)電源應(yīng)用非常常見，安泰測試將針對差分信號的測量，詳細為您解答差分探頭差分信號的常見測量方法。
2020-10-26 11:29:477024 有經(jīng)驗的工程師都知道，如果我們要使用 數(shù)字示波器來進行電源測量的話，就必須先測量MOSFET開關(guān)器件漏極、源極間的電壓和電流，或IGBT集電極、發(fā)射極間的電壓。但是如果我們需要完成這一測試測量任務(wù)
2021-04-29 15:05:441036 為高共模電壓高壓差分信號，VGs2為低共模電壓低壓差分信號，VDS2為高壓對地信號。根據(jù)信號類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測量，VDS2既可采用高阻無源探頭測量，也可采用差分探頭測量
2021-09-27 08:51:15589 
測量方法。 差分探頭的常用測量方法有三種： 一種就是使用兩個探頭進行兩項單端測量：這是一種常用方法，也是進行差分測量最不希望的方法。測量到地的信號（單端）及使用示波器的數(shù)學(xué)運算函數(shù)（通道A信號減去通道B），就可測量差
2022-03-31 17:31:051075 建立的探頭模型和對暫態(tài)電壓精確測量實驗分析 1、實驗平臺 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的雙脈沖測試平臺，以驗證所建立的探頭模型和對暫態(tài)電壓精確測量所做的分析，實驗平臺
2022-03-31 17:32:27611 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 高壓差分探頭是電力工程師常用的測量方法，但與普通探頭相比，高壓差分探頭的使用有很多細節(jié)。 用高壓差分探頭測量220V（峰值約620V）電源模塊的電壓。主要注意事項如下： 測量前，必須了解被測電源
2022-07-22 11:02:372055 
和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
探頭有很多種，差分探頭在開關(guān)電源中的應(yīng)用非常普遍，差分探頭差分信號的常用測量方法如下。
2022-10-14 15:40:244260 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的關(guān)鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關(guān)速度較快時，觀察到的波形會發(fā)生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察到的波形會與真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:21652 
關(guān)鍵要點?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測波形上。
2023-02-09 10:19:22345 
驅(qū)動芯片，需要考慮如下幾個方面： 驅(qū)動電平與驅(qū)動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場合，其面對的由于寄生參數(shù)所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:04
79 時，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過負向安全電壓，干擾驅(qū)動電路輸出電壓等問題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運行，需從驅(qū)動側(cè)對 S
2023-02-27 14:43:028 差分探頭的構(gòu)造 高壓差分探頭是由兩個相等的導(dǎo)線組成的。這些導(dǎo)線通常被稱為探頭的 “兩極”，并連接到高阻抗輸入放大器上。高阻抗輸入放大器有很高的電阻值，因此可以使電流流過探頭時保持非常小的影響。 二、常見測量方法
2023-03-30 14:41:271496 
紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 示波器探頭是一種用于測量電路中電壓信號的工具，電壓量程是指探頭能夠測量的最大和最小電壓范圍。了解探頭的電壓量程，可以幫助我們在實際測量電路時進行選擇。以下是關(guān)于示波器探頭電壓量程的詳細解讀
2023-04-17 10:46:323863 
紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 泰克探頭是一種常用的測試工具，主要用于測量電流和電壓。它的操作方法簡單易懂，可以幫助用戶快速準確地測量電器設(shè)備中的電流和電壓，為維護和保養(yǎng)設(shè)備提供便利。下面詳細介紹一下泰克探頭的使用方法。
2023-05-23 11:00:19902 普通電壓探頭是電子測量領(lǐng)域中廣泛使用的一種探頭。它是一種用于測量電路中電壓的設(shè)備，通過將其連接到電路中的測量點，可以將電壓信號轉(zhuǎn)換為可讀取的電信號。普通電壓探頭的構(gòu)成非常重要，它決定了探頭的性能
2023-08-04 11:37:54407 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用： 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13687 探頭的使用方法和技巧 1. 檢查設(shè)備 在使用磁場探頭之前，首先要檢查設(shè)備是否正常工作。檢查傳感器的連接是否牢固，是否有損壞或老化現(xiàn)象。同時，確保磁場探頭與測量設(shè)備相配合，以便獲得準確的測量結(jié)果。 2. 放置探頭 將磁場探
2024-01-05 14:31:42260 分別與兩個探頭相連，并且通過差分測量技術(shù)將這兩個信號之間的差異顯示出來。使用差分探頭可以測量差分信號的幅度，相位以及時延等參數(shù)。 差分探頭的使用方法是將差分探頭的探頭端連接到待測試的差分信號源上，通常一個探頭
2024-01-05 14:38:02160 探頭阻抗如何影響電源軌的測量？ 探頭阻抗是指測試電源軌時用于連接到被測電路的測量電纜和夾具的電阻性質(zhì)。它對測量結(jié)果的影響非常重要，因為電源軌的測量精確性依賴于能否準確地測量電源電壓、電流和波形。本文
2024-01-08 11:42:12161 示波器電流探頭可以測量多大電壓？ 示波器電流探頭是一種用于測量電流信號的工具，它可以將電流轉(zhuǎn)換為可觀測的電壓信號。然而，實際上示波器電流探頭并不能直接測量電壓，它只能間接測量電壓。 示波器電流探頭
2024-01-08 14:55:32347 高壓差分探頭是連接示波器使用嗎？ 高壓差分探頭是一種專門用于連接示波器的測量工具，它可以幫助工程師和技術(shù)人員在測量高壓電路時提供安全、準確的測量結(jié)果。本文將詳細介紹高壓差分探頭的原理、優(yōu)點和適用范圍
2024-01-08 15:29:59168 普通探頭如何測量電壓？ 普通探頭是一種常見的電子測試工具，用于測量電壓。本文將詳盡、詳實、細致地講解普通探頭如何測量電壓的原理、使用方法、注意事項等方面的內(nèi)容。 一、普通探頭的原理 普通探頭主要
2024-01-08 15:55:40357 詳細介紹電流探頭測量小電流的方法和技巧? 電流探頭是廣泛應(yīng)用于電子測試和測量的一種設(shè)備，其主要作用是測量電路中的電流大小。在許多情況下，我們需要測量的是小電流，因此掌握電流探頭測量小電流的方法
2024-01-08 16:09:11301
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