點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:40
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`WGM-12864COG-38 VER2.0只有10引腳怎么接線(xiàn)`
2013-12-23 13:57:52
AD8040AR-EBZ，14引腳SOIC評(píng)估板，旨在幫助用戶(hù)評(píng)估采用14引腳SOIC封裝的四通道，高速運(yùn)算放大器
2020-05-13 08:06:27
SI4836-DEMO，演示板采用16引腳SOIC封裝的Si4836芯片，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器，集成了從天線(xiàn)輸入到音頻輸出的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟(jì)的電位器進(jìn)行頻率調(diào)諧
2020-07-26 18:05:02
據(jù)我所知，本論壇部分所引用的系列中的大多數(shù)（也許全部）電源插腳都傾向于位于設(shè)備兩側(cè)的中間，或者位于頂端（缺口）兩側(cè)。搜索“帶有電源引腳10和20的20引腳PIC”不會(huì)得到很好的結(jié)果，這可能意味著沒(méi)有
2019-10-17 10:26:11
8引腳LLP封裝尺寸圖 [此貼子已經(jīng)被作者于2008-6-11 14:22:53編輯過(guò)]
2008-06-11 14:22:35
大家好，我打算在逆變器應(yīng)用中使用sic mosfets（2級(jí)或3級(jí)），我搜索了一些制造商和價(jià)格，我看到sct30n120和ST說(shuō)'非常快速和強(qiáng)大的內(nèi)部體二極管（不需要外部續(xù)流二極管，因此，更緊
2019-05-29 06:12:00
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門(mén)極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?b class="flag-6" style="color: red">3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
MOSFET（SCT2[xxx[]系列、SCH2xxx]系列）中，柵極負(fù)偏壓的保證電壓為-6V。請(qǐng)注意，當(dāng)負(fù)偏壓大于-6V時(shí)，閾值可能進(jìn)一步降低。交流（正負(fù)）偏壓時(shí)，反復(fù)進(jìn)行對(duì)陷阱的充放電，因此偏移
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導(dǎo)通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個(gè)減少到4個(gè)。關(guān)于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時(shí)的結(jié)果最理想，無(wú)論哪種SiC-MOSFET的效率均超過(guò)Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
專(zhuān)門(mén)的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個(gè)凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報(bào)告，展示了SiC模塊開(kāi)發(fā)活動(dòng)的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點(diǎn)仍然存在，因?yàn)榭刂坪碗娫措娐返淖罴巡季謱?shí)踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴(kuò)展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類(lèi)似器件將采用TO247-4
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?b class="flag-6" style="color: red">3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開(kāi)關(guān)的突破.SCT
2017-07-27 17:50:07
4引腳封裝的MOSFET 英飛凌已經(jīng)在CoolMOS系列器件中推出新的封裝概念“4引線(xiàn)封裝”,其中，通孔封裝名為“TO-247 4PIN”.如圖3中的虛線(xiàn)框內(nèi)所示，最新推出的TO-247 4引腳模型
2018-10-08 15:19:33
Si4827-DEMO，演示板采用16引腳SOIC封裝的Si4827芯片設(shè)計(jì)，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器集成了從天線(xiàn)輸入到音頻輸出的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟(jì)的電位器進(jìn)行
2020-08-10 09:40:04
CPC7582線(xiàn)路卡接入交換機(jī)的典型CPC7582應(yīng)用框圖。 CPC7582是采用16引腳SOIC或DFN表面貼裝封裝的單片固態(tài)開(kāi)關(guān)
2020-07-30 10:21:46
SI4840-DEMO，SI4840 MCU演示板，數(shù)字無(wú)線(xiàn)電調(diào)諧器。 SI4840-DEMO板采用24引腳SSOP封裝的Si4840芯片設(shè)計(jì)，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器集成了從天線(xiàn)輸出到音頻輸入的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟(jì)的電位器進(jìn)行頻率調(diào)諧
2020-08-04 10:04:06
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
3引腳GND是給誰(shuí)提供參考電平的？
在AD5445的datasheet中所有的3引腳連接到模擬部分，但是在AD5445開(kāi)發(fā)板中，3引腳連接到數(shù)字部分，請(qǐng)問(wèn)哪個(gè)正確？
2023-12-20 06:52:39
ADP5023CP-EVALZ，ADP5023微功率管理單元評(píng)估板。 ADP5023采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5023是三通道器件，共用一個(gè)通用PCB評(píng)估板
2019-08-05 08:39:27
ADP5024CP-EVALZ，ADP5024微功率管理單元評(píng)估板。 ADP5024采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5024是三通道器件，共用一塊通用PCB評(píng)估板
2019-07-31 07:40:10
ADP5034-1-EVALZ，ADP5034微功率管理單元評(píng)估板。 ADP5034采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5034是四通道器件，共用一個(gè)評(píng)估板
2019-08-01 06:59:57
ARDUINO UNO R3中的ATMEGA16U2-MU的33引腳是干嘛的，封裝不是只有32個(gè)嗎，該怎么畫(huà)封裝呢？
2016-08-29 18:06:40
EVAL-ADCMP551BRQ，評(píng)估板，采用ADCMP551，雙通道高速PECL比較器，提供16引腳QSOP封裝
2019-07-30 08:58:27
EVAL-PRAOPAMP-4RUZ，通用精密評(píng)估板，分別采用8引腳SOIC，MSOP和LFCSP封裝的ADA4077-2雙通道運(yùn)算放大器。用于LFCSP封裝的裸露焊盤(pán)連接。該P(yáng)RAOPAMP評(píng)估板
2019-11-01 09:06:39
JRC4558是一種常見(jiàn)的雙運(yùn)算放大器芯片，常用于音頻放大電路，他有兩種封裝形式，單列，和雙列方式，引腳布局分別見(jiàn)下圖 單列JRC4558引腳圖雙列JRC4558引腳圖4558引腳功能如下：（雙列
2020-07-17 18:24:30
用c8051f系列的單片機(jī)，c2口下載程序，封裝不知道怎么做。庫(kù)里面好像沒(méi)有10引腳的。
2012-07-09 16:09:44
演示電路采用16引腳TSSOP熱增強(qiáng)型封裝，采用LT3475-1雙路降壓1.5A LED驅(qū)動(dòng)器。演示電路設(shè)計(jì)用于從高輸入電壓驅(qū)動(dòng)兩個(gè)1.5A LED串（每個(gè)通道一個(gè)）
2019-09-03 08:44:28
功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專(zhuān)為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計(jì)的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從
2018-10-23 16:22:24
運(yùn)放OPA2188引腳3 4短路，芯片壞了好幾個(gè)啥原因
2017-11-28 12:54:52
/////////////Cox 3引腳ToGOLE最大速度：2.65 MHz//////////// /中間速度（速度相等的情況下，安全的方式）PixSoftdR＆AMP=＝PixOftTi面罩；/ /透明銷(xiāo)PixSoftdR
2019-09-06 11:01:51
目前正在設(shè)計(jì)基于STM32F103的PCB。該封裝采用VFQFPN 36引腳封裝，并具有大型散熱墊。此部件的數(shù)據(jù)表似乎并未顯示此焊盤(pán)的引腳編號(hào)或功能。我是否認(rèn)為是：a）一個(gè)孤立的墊b）接地墊c）其他的東西
2018-09-17 15:00:39
STM32的48引腳芯片程序燒到64引腳里，可以運(yùn)行么
2023-09-21 07:02:52
1.TC397的VDDP3引腳的主要功能是什么？用來(lái)給類(lèi)似外部FLASH供電使用的嗎？
2.我是否可以不使用VDDP3引腳，講VDDP3引腳串聯(lián)一個(gè)100nf電容到GND？
3.TC3X系列是否有硬件設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊(cè)？
2024-02-01 08:28:25
TC7650引腳功能是什么？1腳和8腳 5腳是什么腳什么意思？
2011-06-13 17:21:11
dsp28335引腳圖ADc引腳如何連接
2017-03-09 15:51:54
302的連接要求也就是這里要求2腳接vtref,我們?cè)賮?lái)看stlink的引腳定義可以看出除了302的12.2引腳Vtref找不到外，302的12.1引腳SWDIO與stlink的SWIO的說(shuō)法也不太一致，我們?cè)偌?xì)細(xì)的來(lái)看下。SW模式只需要4根線(xiàn),SWDIO,SWDCLK,GND和VCC....
2021-11-12 06:13:45
100引腳tqfp封裝下載 附件為.p文件，直接inport to your library.即可使用。
2008-06-11 14:52:58
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開(kāi)展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開(kāi)展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開(kāi)箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
的比較明顯對(duì)應(yīng)TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件首先在官網(wǎng)下載了開(kāi)發(fā)板的user guide進(jìn)行學(xué)習(xí)，有個(gè)整體的了解，開(kāi)發(fā)板
2020-05-19 16:03:51
。碳化硅有優(yōu)點(diǎn)相當(dāng)突出。是半導(dǎo)體公司兵家必爭(zhēng)之地。應(yīng)用場(chǎng)景;評(píng)估板采用常見(jiàn)的半橋電路配置，并配有驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電源、過(guò)電流保護(hù)電路及柵極信號(hào)保護(hù)電路等評(píng)估板的主要特點(diǎn)如下：? 可評(píng)估 TO-247-4
2020-07-26 23:24:05
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來(lái)講，最重要的參數(shù)是門(mén)極電荷
2020-07-16 14:55:31
如題，BMS電路板上有一個(gè)五引腳的芯片，SOT23-5封裝，其中2引腳和5引腳接地，4引腳接電源。絲印有點(diǎn)看不清，好像是B5JG或B5J0。可能是什么芯片呢？
2015-04-29 21:00:34
°C 時(shí)典型值的兩倍。采用正確封裝時(shí)，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡(jiǎn)化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
ROHM一直專(zhuān)注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
stm32引腳配置的總結(jié)有很長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)有具體去看stm32引腳配置了，最近在引腳上的配置遇到了問(wèn)題才發(fā)現(xiàn)引腳的配置已經(jīng)忘的差不多了。為了以后再引腳配置的時(shí)間更好更快的回憶，做一篇小總結(jié)方便自己查看。首先是引腳的結(jié)構(gòu)圖，了解這個(gè)圖就可以對(duì)引腳配置有比較清楚的掌握了。輸入模式(模擬/浮空/上拉/下拉)
2022-01-10 07:02:11
我們目前正在努力禁用 SCT 輸入引腳上的內(nèi)部上拉電阻。我們使用的是 OM13084 板，我們使用的引腳是：表頭：J1.19引腳：P2_6功能：T3_CAP3 我們?cè)谀睦锟梢栽O(shè)置這個(gè)引腳的模式？根據(jù) UM10503 第 258 頁(yè)，該引腳的復(fù)位狀態(tài)可以是中性或上拉。
2023-03-29 08:58:55
阻僅為Si-MOSFET（9Ω）的1/8（1.15Ω）。由此，可大幅降低損耗、即可大幅減少發(fā)熱，有些條件下還可實(shí)現(xiàn)散熱器的小型化。此外，封裝采用TO-3PFM，可確保工業(yè)設(shè)備要求的絕緣相應(yīng)的爬電距離。同樣
2018-12-05 10:01:25
概述：CX522-054是一款用作CRT彩電中的CPU芯片，早期用作于索尼KV-1882等系列彩電中。CX522-054采用42引腳DIP封裝工藝。
2021-04-13 06:27:05
ADA4853-3YRU-EBZ，通用評(píng)估板，提供采用14引腳TSSOP封裝的三路，高速運(yùn)算放大器
2020-05-13 06:08:14
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
有人知道為什么嘛，說(shuō)說(shuō)看，POE識(shí)別電路這個(gè)D7的4引腳負(fù)極不是應(yīng)該和D10的4引腳負(fù)極相連嘛，怎么直接接地了？
2022-08-31 10:37:26
求助自彈式Micro SD（小卡，8引腳）卡座封裝？
2014-05-26 09:14:02
求這款芯片的型號(hào)或封裝，推薦一款類(lèi)似的芯片也可以1.用在手環(huán)上用來(lái)采集生物信號(hào)的2.尺寸大概長(zhǎng)5x寬43.意法的運(yùn)放芯片，14引腳4.絲印為ST78589 VA1834 phl423
2018-10-23 08:44:49
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測(cè)量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開(kāi)關(guān)器件大多都配有用來(lái)冷卻的散熱器，在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無(wú)法將電壓
2022-09-20 08:00:00
。 SCT63240提供輸入欠壓保護(hù)，過(guò)流保護(hù)，短路保護(hù)以及過(guò)溫等完善的芯片保護(hù)機(jī)制。該轉(zhuǎn)換器采用19引腳3mmx4mm的超扁平QFN封裝。特性? 寬范圍4.2V-17V輸入電壓? 支持20W功率輸出? 集成4
2020-01-03 15:29:19
電源ICFSDH321,FSDL321用于機(jī)頂盒、DVD、衛(wèi)星接收器機(jī)等開(kāi)頭電源中，采用8腳雙列直插封裝 FSDH321、FSDL321引腳功能 。
2021-05-06 13:49:00
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關(guān)鍵點(diǎn)，接下來(lái)介紹其概要和特點(diǎn)。＜特點(diǎn)＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準(zhǔn)諧振方式降頻功能待機(jī)時(shí)消耗電流低：19uA無(wú)負(fù)載時(shí)消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
3引腳GND是給誰(shuí)提供參考電平的？在AD5445的datasheet中所有的3引腳連接到模擬部分，但是在AD5445開(kāi)發(fā)板中，3引腳連接到數(shù)字部分，請(qǐng)問(wèn)哪個(gè)正確？
2018-10-01 19:14:13
2812 flash要求GPIOF4引腳要求為高電平嗎？如果是要求高電平，要接電源嗎？還是該引腳本身是高電平？3.燒寫(xiě)2812FLASH完成后，重新啟動(dòng)是否要求GPIOF4引腳要求為高電平嗎？如果是要求高電平，要接電源嗎？還是該引腳本身是高電平？2. 燒寫(xiě)完成后，為了實(shí)現(xiàn)從FLASH啟動(dòng)DSP，
2018-06-11 09:28:54
求問(wèn).....28335只有176引腳的么？有沒(méi)有小一點(diǎn)比如144引腳的呢？還有哪里能找到TMS320F28335PGFA的Altium Designer原理圖和LQFP封裝呢?
2018-08-31 09:27:55
MCS-51系列單片機(jī)的XTAL1和XTAL2引腳是什么？
2020-11-12 07:11:55
的兩種SiC功率MOSFET，電流強(qiáng)度為45A，輸出電阻小于100微歐姆。這些元件將采用HiP247新型封裝，該封裝是專(zhuān)為SiC功率元件而設(shè)計(jì)，以提升其散熱性能。SiC的導(dǎo)熱率是矽的三倍。以意法半導(dǎo)體
2019-06-27 04:20:26
輕觸開(kāi)關(guān)四引腳怎么連接
2016-02-22 16:40:04
為RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID約為50A時(shí)的波形。紅色曲線(xiàn)的TO-247-4L為4引腳封裝，藍(lán)色的TO-247N為以往的3引腳封裝，其中的SiC MOSFET芯片是相同的。我們先來(lái)
2020-07-01 13:52:06
)，支持最高開(kāi)關(guān)頻率和150 kV/μs的最高共模瞬變抗擾度。ADuM4121提供5 kV rms隔離，采用寬體8引腳SOIC封裝。圖3. ADuM4135框圖圖4. ADuM4121框圖圖5.
2018-10-22 17:01:41
供應(yīng)LM339電壓比較器采用SOP-14封裝，提供lm339引腳圖及功能關(guān)鍵參數(shù) ，主要應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)和工業(yè)類(lèi)電子產(chǎn)品中，進(jìn)行電平檢波和低電平探測(cè)。更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-07 15:49:31
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。
2019-09-24 14:39:281964 ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過(guò)采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器
2020-11-25 10:56:00
30 。該晶體管滿(mǎn)足了對(duì)適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開(kāi)關(guān)器件迅速增長(zhǎng)的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:332312 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR系列”。
2023-02-16 09:55:04931 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
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