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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-總結(jié)

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-總結(jié)

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8050晶體管介紹 8050晶體管工作原理

的內(nèi)部結(jié)構(gòu),可以在內(nèi)部工作原理引導(dǎo)和直流電,以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件,被歸類為負(fù)-正-負(fù)(NPN)外延放大器晶體管,最常見于無(wú)線電
2023-02-16 18:22:30

晶體管ON時(shí)的逆向電流

關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24

晶體管使用的判定方法

上選定滿足規(guī)格要求的晶體管晶體管產(chǎn)品頁(yè)2. 規(guī)格?樣品的獲取部分樣品可從網(wǎng)上申請(qǐng)。3. 向實(shí)際電路(評(píng)估電路)上貼裝晶體管請(qǐng)確認(rèn)選定的晶體管是否在實(shí)際電路上安全工作?在工作的情況下,是否長(zhǎng)期(可靠
2019-04-15 06:20:06

晶體管分類及參數(shù)

及制造工藝分類  晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。  按電流容量分類  晶體管按電流容量可分為小功率晶體管功率晶體管和大功率晶體管工作頻率分類  晶體管
2010-08-12 13:59:33

晶體管可以作為開關(guān)使用!

狀態(tài)),由于電荷的存儲(chǔ)效應(yīng),晶體管工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換將有幾個(gè)微妙(μs)的動(dòng)作延遲,將該時(shí)間稱為“恢復(fù)時(shí)間”。在發(fā)射極連接繼電器線圈時(shí)需要注意線圈的反電動(dòng)勢(shì)在晶體管開關(guān)電路,如果連接的被控對(duì)象為電動(dòng)機(jī)或
2017-03-28 15:54:24

晶體管圖示儀的設(shè)計(jì)與制作資料分享

晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程通過(guò)使用圖示儀,可以獲得晶體管實(shí)際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17

晶體管如何表示0和1

太多,可靠較差,運(yùn)算速度不快,價(jià)格昂貴,體積龐大,這些都使計(jì)算機(jī)發(fā)展受到限制。于是,晶體管開始被用來(lái)作計(jì)算機(jī)的元件。晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室的切換速度可達(dá)
2021-01-13 16:23:43

晶體管性能的檢測(cè)

,發(fā)射極E接紅表筆;PNP的集電極C接紅表筆,發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí),鍺材料的小功率晶體管功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測(cè),電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32

晶體管放大倍數(shù)

在PROTUES如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03

晶體管晶圓芯片

供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開關(guān)二極,肖特基二極,穩(wěn)壓二極等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13

晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些

晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23

晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作,以及電路特性的測(cè)量,并對(duì)電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03

晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)

或FET電路的必要 1.1.1 僅使用IC的場(chǎng)合 1.1.2 晶體管電路或FET電路的設(shè)計(jì)空間 1.2 晶體管和FET的工作原理 1.2.1 何謂放大工作 1.2.2 晶體管工作原理 1.2.3
2009-11-20 09:41:18

晶體管的主要參數(shù)

等同hFE,甚至相差很大,所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外,還與管子的工作電流(直流偏置)有關(guān),工作電流IC在正常情況下改變時(shí),β和hFE也會(huì)有所變化;若工作電流變得過(guò)小或
2018-06-13 09:12:21

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類與特征

是基于代表的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表的參數(shù)如下。雙極晶體管(圖中以NPN為例)由PN結(jié)組成,通過(guò)在基極流過(guò)電流,而在集電極
2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類與特征

相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33

晶體管的開關(guān)作用有哪些?

控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51

晶體管的微變等效電路相關(guān)資料分享

。 (3)微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路,只能用來(lái)計(jì)算交流分量,不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 (4)晶體管的輸入電阻 RbE(hie)一般可用下列近似公式進(jìn)行估算:      式 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25

晶體管的由來(lái)

計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合,其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來(lái)基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40

晶體管的電參數(shù)在實(shí)際使用中有何意義?

晶體管的電參數(shù)可分為哪幾種?晶體管的電參數(shù)在實(shí)際使用中有何意義?
2021-06-08 06:11:12

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

)用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下:IE=IB+IC3.晶體管工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大,是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

300V,一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3.行推動(dòng)的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng),應(yīng)選用、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38

晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降

和集電極電位的關(guān)系,可以非常方便地對(duì)晶體管工作狀態(tài)作出判斷。對(duì)處于共發(fā)射極放大的NPN型晶體管而言,集電極電位>基極電位>發(fā)射極電位時(shí),晶體管工作于放大狀態(tài)。隨著基極注入電流的增大,流出
2012-02-13 01:14:04

晶體管簡(jiǎn)介

關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18

晶體管詳解

之一,在重要方面可以與印刷術(shù),汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)(active)元件。晶體管在當(dāng)今社會(huì)的重要主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管可以使用高度自動(dòng)化的過(guò)程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力
2010-08-12 13:57:39

晶體管工作原理

硬之城,晶體管這個(gè)詞僅是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱,那么問(wèn)題來(lái)了,晶體管有哪些類型,其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管,英文名稱為transistor,泛指一切以半導(dǎo)體材料為
2016-06-29 18:04:43

晶體管工作原理是什么?

利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03

IGBT絕緣柵雙極晶體管

)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作晶體管
2019-05-06 05:00:17

IGBT絕緣柵雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)

)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作晶體管
2019-03-27 06:20:04

NPN晶體管的基本原理和功能

兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常,NPN晶體管將一塊P型硅(基極)夾在兩塊N型(集電極和發(fā)射極)之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作?以下是說(shuō)明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23

NPN型和PNP型晶體管工作狀態(tài)解析

晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程,我們看到簡(jiǎn)單的二極由兩塊半導(dǎo)體材料組成,形成一個(gè)簡(jiǎn)單的pn結(jié)。而晶體管是通過(guò)背靠背連接兩個(gè)二極而形成的三端固態(tài)器件。因此,它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01

PNP晶體管工作原理,如何識(shí)別PNP晶體管

一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu),兩個(gè)PN結(jié)二極相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48

RF功率晶體管耐用的三個(gè)電氣參數(shù)驗(yàn)證

能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管耗散掉。但在比較不同耐用晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37

SGNE045MK晶體管

)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19

[原創(chuàng)] 晶體管(transistor)

晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室
2010-08-13 11:36:51

multisim仿真中BFG35晶體管能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替

multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替,MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18

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上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作,以及電路特性的測(cè)量,并對(duì)電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36

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。試驗(yàn)表明,仿真1個(gè)月的使用,靜態(tài)功耗降低大約50%,10年降低78%。靜態(tài)功耗是晶體管工作時(shí)消耗的能量,這是由于晶體管通道上的電流泄漏引起的。而在現(xiàn)今的芯片設(shè)計(jì)晶體管大部分時(shí)間是處于這種狀態(tài),因此
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,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎?這種耐用適用于哪些類型的應(yīng)用?   
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2022-04-21 18:05:28

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2023-02-16 18:19:11

什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

FinFET的問(wèn)題更多的是制造而不是泄漏。它可能會(huì)對(duì)幾個(gè)節(jié)點(diǎn)有所幫助,這可能意味著十多年的額外使用。盡管如此,制造過(guò)程連續(xù)的損失可能是重大且昂貴的。  鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管綜述  CMOS技術(shù)的創(chuàng)新
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關(guān)于PNP晶體管的常見問(wèn)題

的規(guī)則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極,基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56

單極型晶體管工作原理和特點(diǎn)

導(dǎo)電,故稱為單極型晶體管。  單極型晶體管工作原理  以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示,它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成。    圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16

單結(jié)晶體管

請(qǐng)教:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置,有人說(shuō)是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49

單結(jié)晶體管仿真

各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06

雙極性晶體管的基本原理是什么?

NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23

在仿真器實(shí)際工作中向PIC24F16KL401 EEPROM寫入失敗

此代碼在MPLABX V4.05模擬器失敗,但實(shí)際工作。有人知道為什么嗎?
2020-03-20 09:42:55

場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路的特別應(yīng)用,你未必全都清楚

`在電子元器件行業(yè),場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”,那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn),所以在開關(guān)電路迅速走紅, 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路的有何特別
2019-04-16 11:22:48

基本晶體管開關(guān)電路,使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

和集電極之間具有無(wú)限電阻,當(dāng)它完全打開時(shí),發(fā)射極和集電極之間的電阻為0,導(dǎo)致電流流到最大。  實(shí)際上,當(dāng)晶體管在截止時(shí)(即完全關(guān)閉時(shí))運(yùn)行時(shí),我們將有少量漏電流。另一方面,當(dāng)在飽和區(qū)域工作時(shí),該器件具有低
2023-02-20 16:35:09

如何判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管方向,學(xué)會(huì)這幾步輕松搞定

)。2. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的隔離作用場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)電壓隔離的作用是另外一個(gè)非常重要且常見的功能,隔離的重要在于:擔(dān)心前一極的電流漏到后面的電路,對(duì)電路系統(tǒng)的上電時(shí)序,處理器或邏輯器件的工作造成誤判,最終
2019-03-29 12:02:16

如何提高微波功率晶體管可靠

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠
2021-04-06 09:46:57

如何改善晶體管的損耗

  為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下:    加速電路一  在加速電路一,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49

如何訪問(wèn)ADS2012實(shí)際晶體管或其他組件?

。現(xiàn)在在2012版本,我找不到這些真正的晶體管模型,只有一個(gè)通用的晶體管。有人可以幫忙嗎?如何訪問(wèn)ADS2012實(shí)際晶體管或其他組件?非常感謝, 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hi, I
2019-02-26 07:19:08

如何選擇分立晶體管

來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管
2023-11-24 08:16:54

安全使用晶體管的判定方法

使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講,負(fù)載太大壽命會(huì)縮短,最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況,需要檢查實(shí)際使用狀態(tài),并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01

射頻功率晶體管究竟有多耐用?

,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎?這種耐用適用于哪些類型的應(yīng)用?
2019-08-22 06:13:27

常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么?

晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40

怎么解決bandgap晶體管的熱噪聲問(wèn)題?

bandgap晶體管的熱噪聲比較大,通過(guò)什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25

數(shù)字晶體管的原理

)條件下,數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒有問(wèn)題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)
2019-04-22 05:39:52

數(shù)字晶體管的原理

額定值,在不超過(guò)VIN(max)條件下,數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒有問(wèn)題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并
2019-04-09 21:49:36

有什么方法可以提高晶體管的開關(guān)速度呢?

電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大,加速開關(guān)過(guò)程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了,仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用,加速電容的值要通過(guò)觀察開關(guān)波形來(lái)決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33

概述晶體管

晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

引起的拉應(yīng)力,限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導(dǎo)電Si襯底的深度擊穿路徑,在兩者之間插入晶格緩沖層(圖2)。硅體和晶體管的有源頂側(cè)。  圖2.格緩沖區(qū)  該緩沖器在確定晶體管的關(guān)鍵可靠特性起著
2023-02-27 15:53:50

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

是Qgd,它描述了柵極漏極開關(guān)和開關(guān)關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷所需的電荷。這兩個(gè)參數(shù)指示關(guān)斷能力和損耗,從而指示最大工作頻率和效率。關(guān)斷時(shí)間toff通常不顯示在晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè),但可以根據(jù)參考書[1]在給定的開關(guān)電壓
2023-02-27 09:37:29

求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管

求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42

電子晶體管在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別

。在數(shù)字設(shè)備,肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路,所以不會(huì)采用電子。  通過(guò)以上的內(nèi)容可以看到,電子晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別,這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同,顯然適應(yīng)更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子是必然的發(fā)展方向,但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合仍需使用電子
2016-01-26 16:52:08

電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

(RDS(on))。理想情況下,所選器件應(yīng)均勻匹配,以確保靜態(tài)電流在并聯(lián)晶體管之間平均分配。其次,在動(dòng)態(tài)開關(guān)過(guò)程,如果晶體管柵極缺乏對(duì)稱,不僅會(huì)導(dǎo)致流經(jīng)晶體管的電流分配不平衡,動(dòng)態(tài)電流和電路寄生參數(shù)
2021-01-19 16:48:15

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

回波,從而對(duì)遙遠(yuǎn)目標(biāo)進(jìn)行探測(cè)成像。在這種要求苛刻的應(yīng)用,這些脈沖系統(tǒng)電源采用的晶體管必須具備很高的能效,并能在各種工作條件下驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定的信號(hào)。高能效帶來(lái)低熱量輸出,而高可靠使得可以在700瓦輸出功率下
2018-11-29 11:38:26

請(qǐng)問(wèn)如何選擇分立晶體管

來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管
2018-12-12 09:07:55

資深工程師談晶體管使用心得:用晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)功率負(fù)載的控制

`作者:Mountain 畢業(yè)于燕山大學(xué),獲學(xué)士學(xué)位。工作5年多,一直從事醫(yī)療檢測(cè)及分析儀器設(shè)備相關(guān)的硬件電路設(shè)計(jì)工作。最初接到李老師的邀請(qǐng)要寫一篇晶體管使用心得的時(shí)候,內(nèi)心著實(shí)惶恐了一陣,畢竟
2016-06-03 18:29:59

這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家

這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56

防止開關(guān)晶體管損壞的措施

時(shí),RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。  3、充放電型RCD阻尼電路    圖三  圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),電容C通過(guò)二極被充電
2020-11-26 17:26:39

面向工農(nóng)兵晶體管收音機(jī)全國(guó)聯(lián)合設(shè)計(jì)試制總結(jié)

面向工農(nóng)兵晶體管收音機(jī)全國(guó)聯(lián)合設(shè)計(jì)試制總結(jié)
2020-03-15 12:55:47

(雙基極二極)單結(jié)晶體管工作原理

,電阻大的一次,紅表筆接的就是B1極。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,上述判別B1、B2的方法,不一定對(duì)所有的單結(jié)晶體管適用,有個(gè)別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過(guò)準(zhǔn)確地判斷哪極是B1,哪極是B2在實(shí)際
2013-05-27 15:23:44

Git在實(shí)際工作中的基本使用方法

代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。 本次分享Git在實(shí)際工作中
2020-09-14 18:12:282257

Git在實(shí)際工作中的使用方法

代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。
2020-09-21 09:54:232869

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-實(shí)際工作中適用性確認(rèn)和準(zhǔn)備

從本章開始進(jìn)入新篇章--“實(shí)際工作中適用性確認(rèn)”。在電路設(shè)計(jì)中,通常會(huì)基于電路要求,參考技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格來(lái)選擇適合的晶體管。然而,實(shí)際試制后,非常有可能發(fā)生從電路圖無(wú)法預(yù)測(cè)的瞬態(tài)現(xiàn)象、超乎預(yù)期的波動(dòng)、余量不足等問(wèn)題。
2023-02-10 09:41:03167

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)

在本章中將介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:03180

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)

在本章中將介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:04348

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)實(shí)際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)

在本章中將介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:04217

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)

在本章中介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側(cè)流程圖的“⑥確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)”。由于這一系列是以開關(guān)工作為前提介紹的,因此在第⑤步選擇的是“連續(xù)脈沖”。
2023-02-10 09:41:04166

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)芯片溫度

在本章中介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對(duì)雖然右側(cè)流程圖中沒有提及,但在下面項(xiàng)目中有的第⑦“確認(rèn)芯片溫度”進(jìn)行說(shuō)明。
2023-02-10 09:41:04459

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