的內(nèi)部結(jié)構(gòu),可以在內(nèi)部工作原理中引導(dǎo)和直流電,以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件,被歸類為負(fù)-正-負(fù)(NPN)外延放大器晶體管,最常見于無(wú)線電
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
上選定滿足規(guī)格要求的晶體管。晶體管產(chǎn)品頁(yè)2. 規(guī)格?樣品的獲取部分樣品可從網(wǎng)上申請(qǐng)。3. 向實(shí)際電路(評(píng)估電路)上貼裝晶體管請(qǐng)確認(rèn)選定的晶體管是否在實(shí)際電路上安全工作?在工作的情況下,是否長(zhǎng)期(可靠
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
狀態(tài)),由于電荷的存儲(chǔ)效應(yīng),晶體管工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換將有幾個(gè)微妙(μs)的動(dòng)作延遲,將該時(shí)間稱為“恢復(fù)時(shí)間”。在發(fā)射極連接繼電器線圈時(shí)需要注意線圈的反電動(dòng)勢(shì)在晶體管開關(guān)電路中,如果連接的被控對(duì)象為電動(dòng)機(jī)或
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀,可以獲得晶體管的實(shí)際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
太多,可靠性較差,運(yùn)算速度不快,價(jià)格昂貴,體積龐大,這些都使計(jì)算機(jī)發(fā)展受到限制。于是,晶體管開始被用來(lái)作計(jì)算機(jī)的元件。晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)
2021-01-13 16:23:43
,發(fā)射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí),鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測(cè),電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33
紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作,以及電路特性的測(cè)量,并對(duì)電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
或FET電路的必要性 1.1.1 僅使用IC的場(chǎng)合 1.1.2 晶體管電路或FET電路的設(shè)計(jì)空間 1.2 晶體管和FET的工作原理 1.2.1 何謂放大工作 1.2.2 晶體管的工作原理 1.2.3
2009-11-20 09:41:18
等同hFE,甚至相差很大,所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外,還與管子的工作電流(直流偏置)有關(guān),工作電流IC在正常情況下改變時(shí),β和hFE也會(huì)有所變化;若工作電流變得過(guò)小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管(圖中以NPN為例)由PN結(jié)組成,通過(guò)在基極流過(guò)電流,而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
。 (3)微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路,只能用來(lái)計(jì)算交流分量,不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 (4)晶體管的輸入電阻 RbE(hie)一般可用下列近似公式進(jìn)行估算: 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中,晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合,其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來(lái)基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
晶體管的電參數(shù)可分為哪幾種?晶體管的電參數(shù)在實(shí)際使用中有何意義?
2021-06-08 06:11:12
)用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下:IE=IB+IC3.晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大,是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
300V,一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3.行推動(dòng)管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng)管,應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
和集電極電位的關(guān)系中,可以非常方便地對(duì)晶體管的工作狀態(tài)作出判斷。對(duì)處于共發(fā)射極放大的NPN型晶體管而言,集電極電位>基極電位>發(fā)射極電位時(shí),晶體管工作于放大狀態(tài)。隨著基極注入電流的增大,流出
2012-02-13 01:14:04
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
之一,在重要性方面可以與印刷術(shù),汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)(active)元件。晶體管在當(dāng)今社會(huì)的重要性主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管可以使用高度自動(dòng)化的過(guò)程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力
2010-08-12 13:57:39
硬之城,晶體管這個(gè)詞僅是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱,那么問(wèn)題來(lái)了,晶體管有哪些類型,其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管,英文名稱為transistor,泛指一切以半導(dǎo)體材料為
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03
)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常,NPN晶體管將一塊P型硅(基極)夾在兩塊N型(集電極和發(fā)射極)之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作?以下是說(shuō)明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中,我們看到簡(jiǎn)單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成,形成一個(gè)簡(jiǎn)單的pn結(jié)。而晶體管是通過(guò)背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此,它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中,兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替,MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作,以及電路特性的測(cè)量,并對(duì)電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設(shè)計(jì)放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設(shè)計(jì)射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
。試驗(yàn)表明,仿真1個(gè)月的使用,靜態(tài)功耗降低大約50%,10年降低78%。靜態(tài)功耗是晶體管不工作時(shí)消耗的能量,這是由于晶體管通道上的電流泄漏引起的。而在現(xiàn)今的芯片設(shè)計(jì)中,晶體管大部分時(shí)間是處于這種狀態(tài),因此
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管,鍺PNP晶體管,硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝,晶體管可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量,晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?
2019-08-22 08:14:59
一個(gè)光電晶體管設(shè)計(jì),然后在一年后當(dāng)有人想要提高最大工作頻率一百萬(wàn)數(shù)量級(jí)時(shí)被迫對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行大修。重要的性能指標(biāo)對(duì)溫度的敏感性在光電晶體管中比在光電二極管中更高。如果你的產(chǎn)品總是在室溫下工作,這就不是問(wèn)題了
2022-04-21 18:05:28
功率設(shè)計(jì)通常與集成電路 (IC) 邏輯一起使用,以驅(qū)動(dòng)螺線管、發(fā)光二極管 (LED) 顯示器和其他小負(fù)載。 與使用標(biāo)準(zhǔn)單晶體管相比,達(dá)林頓晶體管設(shè)計(jì)具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。該對(duì)中每個(gè)晶體管的增益相乘,從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
FinFET的問(wèn)題更多的是制造而不是泄漏。它可能會(huì)對(duì)幾個(gè)節(jié)點(diǎn)有所幫助,這可能意味著十多年的額外使用。盡管如此,制造過(guò)程中連續(xù)性的損失可能是重大且昂貴的。 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管綜述 CMOS技術(shù)的創(chuàng)新
2023-02-24 15:25:29
的規(guī)則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管,基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
導(dǎo)電,故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示,它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成。 圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
請(qǐng)教:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置,有人說(shuō)是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
此代碼在MPLABX V4.05模擬器中失敗,但實(shí)際工作。有人知道為什么嗎?
2020-03-20 09:42:55
`在電子元器件行業(yè),場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”,那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn),所以在開關(guān)電路中迅速走紅, 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
和集電極之間具有無(wú)限電阻,當(dāng)它完全打開時(shí),發(fā)射極和集電極之間的電阻為0,導(dǎo)致電流流到最大。 實(shí)際上,當(dāng)晶體管在截止時(shí)(即完全關(guān)閉時(shí))運(yùn)行時(shí),我們將有少量漏電流。另一方面,當(dāng)在飽和區(qū)域工作時(shí),該器件具有低
2023-02-20 16:35:09
)。2. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的隔離作用場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)電壓隔離的作用是另外一個(gè)非常重要且常見的功能,隔離的重要性在于:擔(dān)心前一極的電流漏到后面的電路中,對(duì)電路系統(tǒng)的上電時(shí)序,處理器或邏輯器件的工作造成誤判,最終
2019-03-29 12:02:16
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
。現(xiàn)在在2012版本中,我找不到這些真正的晶體管模型,只有一個(gè)通用的晶體管。有人可以幫忙嗎?如何訪問(wèn)ADS2012中的實(shí)際晶體管或其他組件?非常感謝, 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hi, I
2019-02-26 07:19:08
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講,負(fù)載太大壽命會(huì)縮短,最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況,需要檢查實(shí)際使用狀態(tài),并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
,這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎?這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用?
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過(guò)什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
)條件下,數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒有問(wèn)題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)
2019-04-22 05:39:52
額定值,在不超過(guò)VIN(max)條件下,數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒有問(wèn)題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并
2019-04-09 21:49:36
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大,加速開關(guān)過(guò)程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了,仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中,加速電容的值要通過(guò)觀察開關(guān)波形來(lái)決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
引起的拉應(yīng)力,限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導(dǎo)電Si襯底中的深度擊穿路徑,在兩者之間插入晶格緩沖層(圖2)。硅體和晶體管的有源頂側(cè)。 圖2.格緩沖區(qū) 該緩沖器在確定晶體管的關(guān)鍵可靠性特性中起著
2023-02-27 15:53:50
是Qgd,它描述了柵極漏極開關(guān)和開關(guān)關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷所需的電荷。這兩個(gè)參數(shù)指示關(guān)斷能力和損耗,從而指示最大工作頻率和效率。關(guān)斷時(shí)間toff通常不顯示在晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)中,但可以根據(jù)參考書[1]在給定的開關(guān)電壓
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
。在數(shù)字設(shè)備中,肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路,所以不會(huì)采用電子管。 通過(guò)以上的內(nèi)容可以看到,電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別,這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同,顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向,但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
(RDS(on))。理想情況下,所選器件應(yīng)均勻匹配,以確保靜態(tài)電流在并聯(lián)晶體管之間平均分配。其次,在動(dòng)態(tài)開關(guān)過(guò)程中,如果晶體管柵極缺乏對(duì)稱性,不僅會(huì)導(dǎo)致流經(jīng)晶體管的電流分配不平衡,動(dòng)態(tài)電流和電路寄生參數(shù)
2021-01-19 16:48:15
回波,從而對(duì)遙遠(yuǎn)目標(biāo)進(jìn)行探測(cè)成像。在這種要求苛刻的應(yīng)用中,這些脈沖系統(tǒng)電源采用的晶體管必須具備很高的能效,并能在各種工作條件下驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定的信號(hào)。高能效帶來(lái)低熱量輸出,而高可靠性使得可以在700瓦輸出功率下
2018-11-29 11:38:26
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
`作者:Mountain 畢業(yè)于燕山大學(xué),獲學(xué)士學(xué)位。工作5年多,一直從事醫(yī)療檢測(cè)及分析儀器設(shè)備相關(guān)的硬件電路設(shè)計(jì)工作。最初接到李老師的邀請(qǐng)要寫一篇晶體管使用心得的時(shí)候,內(nèi)心著實(shí)惶恐了一陣,畢竟
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
時(shí),RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),電容C通過(guò)二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
面向工農(nóng)兵晶體管收音機(jī)全國(guó)聯(lián)合設(shè)計(jì)試制總結(jié)
2020-03-15 12:55:47
中,電阻大的一次,紅表筆接的就是B1極。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,上述判別B1、B2的方法,不一定對(duì)所有的單結(jié)晶體管都適用,有個(gè)別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過(guò)準(zhǔn)確地判斷哪極是B1,哪極是B2在實(shí)際
2013-05-27 15:23:44
代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。 本次分享Git在實(shí)際工作中
2020-09-14 18:12:282257 代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。
2020-09-21 09:54:232869 從本章開始進(jìn)入新篇章--“實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)”。在電路設(shè)計(jì)中,通常會(huì)基于電路要求,參考技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格來(lái)選擇適合的晶體管。然而,實(shí)際試制后,非常有可能發(fā)生從電路圖無(wú)法預(yù)測(cè)的瞬態(tài)現(xiàn)象、超乎預(yù)期的波動(dòng)、余量不足等問(wèn)題。
2023-02-10 09:41:03167 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:03180 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:04348 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:04217 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側(cè)流程圖的“⑥確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)”。由于這一系列是以開關(guān)工作為前提介紹的,因此在第⑤步選擇的是“連續(xù)脈沖”。
2023-02-10 09:41:04166 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對(duì)雖然右側(cè)流程圖中沒有提及,但在下面項(xiàng)目中有的第⑦“確認(rèn)芯片溫度”進(jìn)行說(shuō)明。
2023-02-10 09:41:04459
評(píng)論
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