過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性 某些情況下，即使使用高速MOSFET也無法降低導通損耗”。本文就其中一個原因即誤啟動現象進行說明。 什么是誤啟動現象 誤啟動是因MOSFET的各柵極電容
2020-12-16 15:03:33
2009 
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。
2020-12-21 14:58:076812 
上一篇文章的內容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復特性 為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢復過程： ? ? 通常把二極管從正向導通轉為反向截止所經過的轉換過程稱為反向恢復過程 。由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復時間長，那就
2022-12-10 17:06:3814762 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231749 
除了上面的伏安特性曲線以外，對于二極管，你還需要知道兩個特性：二極管電容和反向恢復時間。這兩個特性掌握了之后，那對于通常的二極管來說，你該知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:27649 
超快恢復二極管是一種具有開關特性好、反向恢復時間超短的半導體二極管，常用來給高頻逆變裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關器件的功能得到充分發揮。超快恢復二極管是用電設備
2023-07-08 10:08:331016 
基于橋式結構的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統，同步Buck變換器的續流開關管、以及次級同步整流開關管， 其體內寄生的二極管都會經歷反向電流恢復的過程。
2023-12-04 16:05:40822 
之一，原因在于基本所有的LCC和LLC諧振線路，在啟動過程中，前幾個周期都會存在二極管反向恢復過程中另一個MOSFET已經開通，這個時候就會通過很大的di/dt，如果寄生的反向二極管能力不夠，MOSFET就會擊穿而失效。另外寄生二極管的正向電流If是源漏電壓Vsd的函數，如下：
2018-07-12 11:34:11
脈沖下當做開關使用。如果反向脈沖的持續時間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導通, 起不到開關作用。因此了解二極管反向恢復時間對正確選取管子和合理設計電路至關重要。開關從導通狀態向截止狀態轉變
2019-12-03 10:16:05
時間如下圖所示，快恢復二極管的反向恢復時間是電流從正向通過零點到反向，再從反向到規定的低值的時間間隔。其實就是釋放快恢復二極管正向導通期間儲存在PN結擴散電容中的電荷。反向恢復時間決定了快恢復二極管可用
2021-07-30 14:33:17
支持大功率、小功率快恢復二極管FRD和肖特基二極管的TRR反向恢復時間測試,且支持MOSFET/IGBT的寄生二極管/內建二極管。該系統設備可以實時觀察測試曲線，存儲測試數據，自動分析反向恢復時間相關
2023-01-15 09:31:46
本帖最后由 aikstech666 于 2023-1-15 09:41 編輯
通過DI-1nS-1n4148測試三款二極管反向恢復時間，測試結果如下：
2022-11-19 14:21:22
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯的續流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數進行測量與評估。一、FRD工作時的風險評估IGBT模塊中的并聯FRD，是一個
2019-09-27 14:04:00
過程是否有電壓尖峰，評估實際應用是否需要吸收電路；5、評估二極管的反向恢復行為和安全裕量；6、測量母排的雜散電感；雙脈沖測試原理圖1 雙脈沖測試平臺的電路及理想波形IGBT雙脈沖測試的實測電路及電路拓撲
2019-09-11 09:49:33
上面介紹的失效機制，其實有很多應對方法，簡單的有選擇體二極管反向恢復特性較好的MOSFET，或者在電路上或電路架構上進行優化，甚至有些芯片已經集成了硬開關和容模保護等功能，這些就不詳細展開了。
2016-12-12 15:26:49
相比，在啟動過程中，這些空電容會使低端開關Q2的體二極管深度導通。因此流經開關Q2體二極管的反向恢復電流非常高，致使當高端開關Q1導通時足夠引起直通問題。啟動狀態下，在體二極管反向恢復時，非常可能發生
2019-09-17 09:05:04
滿足了發生反向恢復的條件。D1的反向電流iD1疊加上負載電流iload就會在S2的集電極電流上表現為電流尖峰，如圖2所示?！ D2. 雙脈沖測試波形 關于二極管反向恢復特性更為詳細的測試說明，大家
2020-12-08 15:44:26
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
需要談到在半導體中移動的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復特性的不同。右側波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復時的電流和時間。從波形圖可見紅色
2018-11-29 14:34:32
進行了比較，通過實驗及仿真得出有用的結論。1 二極管反向恢復原理以普通PN結二極管為例，PN結內載流子由于存在濃度梯度而具有擴散運動，同時由于電場作用存在漂移運動，兩者平衡后在PN結形成空間電荷區。當
2017-08-17 18:13:40
——測試平臺搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測試方案，集成強大的發生裝置，數據測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件，測試項目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學習評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
單片機 定時器PWM輸出。HS端口 MOSFET 的雙脈沖測試原理圖測試上電順序負載電感自己繞制空心電感，多個電容串并聯。測試波SCT3040KRElectrical characteristics```
2020-07-26 23:24:05
為什么普通整流二極管都沒標反向恢復時間？
2023-04-20 16:43:24
二極管是單向導通，那么反向恢復時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復過程？二極管在開關轉換過程中出現的反向恢復過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復時間(Trr)：35nS引線數量：3 二極管SFF3006反向恢復過程，現代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產生的反向恢復電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們詳細討論了二極管的結電容：勢壘電容和擴散電容。我們也知道了數據手冊中所給出的結電容參數，它的大小和反向恢復時間沒有關系。如下表所示：序號種類型號結電容反向恢復時間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二極管的反向恢復時間①舉例理解如上圖，在二極管正極輸入正負脈沖方波信號，理想二極管輸出應該是高電平和低電平，但實際上二極管有一個反向恢復時間trr。如上圖，在電壓從正向突然變成負向的瞬間，二極管
2023-02-15 14:24:47
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說過程，我們稱之為反向恢復過程。只要是雙極型器件，就會有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復過程。這種特性嚴重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復這個過程的時間。(a
2023-02-14 15:46:54
二極管反向恢復時間測試儀 長春艾克思科技有限責任公司滿足國家標準：GB/T8024-2010，使用矩形波法測試反向恢復時間。一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
在啟動期間，由于反向恢復dv/dt，零電壓開關運行可能會丟失并且MOSFET可能發生故障?！≡?b class="flag-6" style="color: red">啟動之前諧振電容和輸出電容完全放電。這些空電容導致Q2體二極管進一步導通并且在Q1導通前不會完全恢復
2019-01-15 17:31:58
如何選擇開關電源次級輸出的整流二極管的反向恢復時間？
2023-05-15 17:47:45
?快恢復二極管反向恢復時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。在快恢復二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
10mA；通過電位器螺絲刀，調節反向恢復電流20mA。二極管具有方向，方向如果接得不對，接入錯誤指示燈亮，此時更換二極管方向第五步：示波器讀數。將抓取到的測試波形進行展開為25nS一格，得到如下圖所示的波形
2015-03-11 14:02:20
已經上傳了驅動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復時間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復時間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導通狀態，切換到不導通狀態所需的時間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復過程
2021-01-08 06:22:44
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開關過程的主要參數，以評估Rgon及Rgoff 的數值是否合適，評估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時的實際表現。例如二極管的反向恢復
2021-02-25 10:43:27
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優勢：1.可靠、可重復地測試IGBT及MOSFET (包括第三代半導體器件SiC、GaN )功率半導體動態特征2.測量的特征包括開啟、關閉、開關切換、反向恢復、柵極
2021-05-20 11:17:57
連線的電源短路。圖2顯示的是經修改的評估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復測量的經修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術圖4顯示的是開關
2018-09-03 15:17:37
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:47
效應引起的, 反向恢復時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。該過程使二極管不能在快速連續脈沖下當做開關使用。如果反向脈沖的持續時間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導通, 起不到開關作用。
2020-02-25 07:00:00
請教一下大佬二極管的反向恢復時間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二極管反向恢復時間測試儀一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認驅動器源極引腳的效果。驅動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較為了比較沒有驅動器源極引腳的MOSFET和有驅動源極引腳的MOSFET的實際開關工作情況，我們按照右圖
2022-06-17 16:06:12
測量電路如下圖。由直流電流源供規定的IF，脈沖發生器經過隔直電容器C加脈沖信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。當IRM為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復時間及簡易測試在開關電路中應用的二極管，反向恢復時間是一個主要參數。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速二極管的反向恢復參數與使用條件的關系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 超快速二極管的反向恢復特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測試二極管反向恢復時間穩定可靠。 二 應用范圍 高速信號二極管 三 測量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基礎上進一步改進的二極管反向恢復測試儀，相比較DI-1000，它配備的電腦，可通過電腦設定 di/dt,If，等參數，它可以自動測試二極管，工作最高
2023-10-16 14:52:16
抑制功率二極管反向恢復幾種方案的比較
0 引言
高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為
2009-07-06 08:14:172171 
日前，東芝開發了提高內置二極管恢復特性的構造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會上展示。據悉，該產品耐壓為600V，縮短了內置二極管反向恢復時間。
2013-05-20 11:40:33886 測量一個同步降壓轉換器中的反向恢復不太容易。電流探頭太大，并且會大幅增加功率級環路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個分流電阻器怎么樣？這聽起來是可行的，不過你需要確保這個器件不會引入過大的環路電感。我找到了幾個電阻值在10m，并且具有低電感的電阻器。
2017-04-18 10:19:011846 
快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同
2018-01-24 10:09:0133807 
測試二極管的反向恢復特性一般都需要復雜的測試設備。必須能夠建立正向導通條件、正向閉鎖狀態、及兩者間的過渡。還需要有一種從所得到的波形中提取特征的手段?？偠灾@并不是一項很簡單的例行操，作應由專業人員來完成這項復雜的工作。這個事實說明了工程師們為什么通常都會依賴于公布的數據。
2020-08-03 08:49:544281 
通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性我們開設了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復特性，并確認 MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0023 ，它有普通整流二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復時間呢？它和結電容之間有什么關系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復時間： 普通二極管：反向恢復時間一般 500ns以上； 快恢復二極管：反向
2021-09-22 15:07:0331377 
快恢復二極管工作原理及特點作用快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管
2021-11-07 13:35:5929 有更加深入的了解時，這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉換器的一個特別明顯的非理想狀態就是同步降壓或升壓轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此
2021-11-10 09:40:225682 
二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程
2022-02-09 11:34:043 內部二極管的trr特性。 01?反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使
2022-08-13 22:50:201790 
救世主GaN來了！第1部分：體二極管反向恢復。
2022-11-03 08:04:342 650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復超結 MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應用
2022-11-15 20:17:570 上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復特性，并確認MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:081646 
本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合上一篇文章的內容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:08662 
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現象。
2023-02-13 09:30:041666 
本文的關鍵要點?在LLC轉換器中，如果偏離預期的諧振條件，MOSFET體二極管的反向恢復電流會引發直通電流，這可能會造成開關損耗增加，最壞的情況下可能會導致MOSFET損壞。
2023-02-13 09:30:14920 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
（一）IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數及性能； 獲取IGBT開通和關斷過程的參數； 評估驅動電阻是否合適； 開通和關斷過程是否有不合適的震蕩； 評估二極管的反向恢復行為和安全
2023-02-22 15:07:1511 、導通延
遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化
率、反向恢復電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、柵極串聯等效電阻、雪崩耐量進行測
2023-02-23 09:20:462 反向恢復時間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲電荷，二極管繼續反向導通。反向流動的時間稱為反向恢復時間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:305422 
內部二極管的trr特性。01 ? 反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用唯
2023-03-03 09:59:130 當我們對于用實際組件來實現轉換器有更加深入的了解時，這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉換器的一個特別明顯的非理想狀態就是同步降壓或升壓轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化
2023-04-15 09:15:122506 
肖特基二極管的反向恢復時間表示的是從正向導通狀態切換到反向截止狀態時所需的時間。它是指當肖特基二極管從正向導通到反向截止時，電流停止流動，并且由于電荷存儲效應而需要一定的時間才能完全恢復到截止狀態的時間。
肖特基二極管是一種特殊構造的二極管，具有快速開關速度和低反向恢復時間的特點。
2023-08-24 15:45:111717 并不能像理想二極管那樣完美的工作，它在正向偏置電壓瞬間變為反向偏置電壓的時候，并不能立刻恢復到截止狀態，這里存在一個逐漸轉變的過程，這個過程我們稱之為反向恢復過程。 反向恢復過程 通常我們把二極管從正向導通轉為反
2023-11-01 16:48:03535 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性
2023-12-13 14:42:08213 
器件損壞。為了保護二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復電路。 二極管反向恢復電路是一種用于減小反向恢復電流的電路，通常由二極管和電感器構成。當二極管處于正向導通狀態時，電感器存儲了能量；當二極管從導
2023-12-18 11:23:57597 二極管反向恢復電流是指二極管在截止狀態突然轉為正向偏置時，會出現一個瞬時的反向電流。這個反向電流也被稱為反向恢復電流或逆向恢復電流。 二極管是一種具有兩個電極（正級和負級）的電子元件，用于將電流限制
2023-12-22 15:08:04613 反向恢復過程。 反向恢復過程是指當二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時，電流不能立即停止流動，而是經過一個反向電流的過程。這個過程通常包括兩個階段：反向恢復時間和存儲時間。 反向恢復時間（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
當對二極管施加正向電壓時，電子和空穴會不斷擴散并存儲大量電荷，從而導致反向恢復過程的存在。 在施加正向電壓時，P區的空穴向N區擴散，N區的電子向P區擴散。這使得勢壘區（耗盡區）變窄，并在P區和N區內
2024-01-12 17:17:25320 
二極管的反向恢復時間（Reverse Recovery Time）是衡量其從導通狀態切換到截止狀態時性能的一個重要參數。 反向恢復時間是指二極管從正向導通狀態切換到反向截止狀態時，反向電流
2024-01-31 15:15:47472 
），并測量其響應來工作。 雙脈沖測試是一種專門用于評估功率開關元件，如MOSFET和IGBT的開關特性及與之并聯的體二極管或快速恢復二極管（FRD）的反向恢復特性的測試方法。這種測試特別適用于分析在導通過程中由于反向恢復現象而產生損耗的電路。 通過施加兩連
2024-02-23 15:56:27303 
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