單結(jié)晶體管有幾個(gè)pn結(jié)

　　單結(jié)晶體管只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。單結(jié)晶體管廣泛應(yīng)用在振蕩、延時(shí)和觸發(fā)等電路中，最常見的電路就是馳張振蕩器電路。

　　單結(jié)晶體管的文字符號(hào)是VT。單結(jié)晶體管在電路中的文字符號(hào)是VT。單結(jié)晶體管是由PN結(jié)、電阻組成的半導(dǎo)體器件，早期稱為雙基極二極管。

　　單結(jié)晶體管怎么測(cè)量好壞

　　（1）測(cè)量PN結(jié)正向電阻

　　將萬(wàn)用表置R×100或R×1k檔，測(cè)量發(fā)射極。與任一基極間的正向電阻，正常時(shí)為幾千歐至十幾千歐，比普通二極管

　　電阻略大，反向電阻應(yīng)趨于無(wú)窮大。一般以正、反向阻值比大于100倍為好。

　　（2）測(cè)量基極電阻RBB

　　萬(wàn)用表仍置于R×100或R×1k檔測(cè)量基極b1、b2間的阻值應(yīng)在2～10kΩ范圍內(nèi)．若阻值過(guò)大或過(guò)小，均不宜使用．

　　（3）測(cè)負(fù)阻特性

　　測(cè)負(fù)阻特性時(shí)，應(yīng)在基極b1～b2間外接10V直流電源，如圖一所示．正常時(shí)，萬(wàn)用表表針應(yīng)在無(wú)窮大處，表明管子處于截止?fàn)顟B(tài)，還遠(yuǎn)末達(dá)到負(fù)阻區(qū)，發(fā)射極電流很小。若萬(wàn)用表表針向右方偏轉(zhuǎn)，則表明管子無(wú)負(fù)阻特性，不能使用。

　　圖一　負(fù)阻特性檢測(cè)電路