SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電容
2019-04-10 06:20:15
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的表征效果極差，在任何計(jì)算中都會(huì)導(dǎo)致較大誤差。為了適應(yīng)各種新組件架構(gòu)的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測(cè)量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
MOSFET的輸出電容和輸入電容是什么？
2017-07-21 11:24:47
功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含器件特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對(duì)應(yīng)用中MOSFET的選用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無(wú)二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初始功率損失的計(jì)算，并提供器件性能
2018-10-18 09:13:03
）中，對(duì)G極恒流驅(qū)動(dòng)充電的恒流源IG由測(cè)量?jī)x器內(nèi)部自帶的恒流源提供，而ID由分立元件構(gòu)成恒流源，其工作原理非常簡(jiǎn)單：就是利用功率MOSFET的工作于線性區(qū)的放大特性，調(diào)節(jié)G極的電壓就可以調(diào)節(jié)電流的大小
2017-01-13 15:14:07
明。功率MOSFET所接的負(fù)載：BUCK變換器的功率MOSFET接到電感，因此功率MOSFET所接的負(fù)載為感性負(fù)載。變換器輸出負(fù)載：BUCK變換器的輸出為濾波電容，因此輸出負(fù)載為容性負(fù)載。BUCK
2016-12-16 16:53:16
電阻非常小（目前最小的為2-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件；包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路（1）：等效電路（2）：說(shuō)明實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)
2018-10-25 16:11:27
功率、增益、噪聲和非線性
2010-10-02 11:00:35
[hide]關(guān)于電路功率、增益、噪聲和非線性的問(wèn)題，有興趣的朋友看看吧[/hide]
2013-10-18 15:34:15
、所需驅(qū)動(dòng)電流大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；溫度穩(wěn)定性差，集電極電流具有正溫度系數(shù)，會(huì)發(fā)生熱擊穿和二次擊穿，安全工作區(qū)小；受少子基區(qū)渡越時(shí)間的限制，頻率特性較差，非線性失真嚴(yán)重。功率 MOSFET 輸入阻抗高、所需
2021-05-13 07:44:08
在對(duì)輸入信號(hào)處理的過(guò)程中，許多器件/系統(tǒng)具有線性和非線性特性，不同特性的傳輸特性當(dāng)然對(duì)輸出信號(hào)有不同的影響。具有線性傳輸特性的器件/系統(tǒng)對(duì)于輸入信號(hào)只產(chǎn)生幅度和相位的變化，而不會(huì)產(chǎn)生新的頻率成分。非線性器件/系統(tǒng)能對(duì)輸入信號(hào)的頻率進(jìn)行搬移，或產(chǎn)生新的頻率成份，如諧波和交調(diào)。
2019-07-09 07:56:11
=oxh_wx3、【周啟全老師】開(kāi)關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書(shū)資料來(lái)自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
N5242A，它是非線性網(wǎng)絡(luò)分析測(cè)試儀。PNA-X N5242A非線性矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（NVNA）主要采用兩種方法來(lái)測(cè)量被測(cè)件（DUT）的非線性效應(yīng)：一種是非線性元器件特性表征法，另一種是提取 X 參數(shù)法。
2019-06-03 07:03:12
條件下正確表示直流和動(dòng)態(tài)射頻行為所需的許多其他特性。模型中有什么？一個(gè)模型預(yù)測(cè)PA 晶體管非線性行為的能力主要基于幾個(gè)方面：· 電壓依賴(lài)性電流源(Ids) 的表示· 電壓依賴(lài)性電容（主要是柵極-源極Cgd
2018-08-04 14:55:07
非線性（Integral nonlinearity，INL）積分非線性表示了 ADC 器件在所有的數(shù)值點(diǎn)上對(duì)應(yīng)的模擬值和真實(shí)值之間誤差最大的那一點(diǎn)的誤差值， 也就是輸出數(shù)值偏離線性最大的距離。單位
2023-03-24 18:08:16
由勢(shì)壘電容構(gòu)成的較理想的電容器件，且其增量電容值隨外加電壓而變化 利用該特性可制作變?nèi)荻O管，變?nèi)荻O管在非線性電路中應(yīng)用較廣泛， 如壓控振蕩器、頻率調(diào)制等。
2008-09-10 09:26:16
＞vt時(shí)，； 當(dāng)vd＜0，且時(shí)，id≈–is≈0。 由此可看出pn結(jié)的單向?qū)щ娦浴 ?、 PN結(jié)的電容特性是什么？ 兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體，中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，這就構(gòu)成了電容器。當(dāng)加反電壓
2021-01-15 16:24:54
PT1901C 是一款超高壓線性輸入輸出恒功率 LED 驅(qū)動(dòng) IC，最高輸入電壓可達(dá) 400V，適用于驅(qū)動(dòng)高電壓小電 流 LED 負(fù)載。應(yīng)用方案外部元件極少，布局緊湊，能簡(jiǎn) 單靈活地應(yīng)用于各種小體
2019-03-14 14:17:58
，MOSFET的體二極管是具有pn結(jié)的二極管，因而存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，其特性表現(xiàn)為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較
2018-11-27 16:40:24
作用導(dǎo)致反向工作時(shí)的壓降降低呢？AO4459的一些特性如下：圖2：AO4459的二極管特性圖3：AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開(kāi)通過(guò)程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
摘要：分析了各種負(fù)載（包括純阻性負(fù)載，感性負(fù)載，容性負(fù)載，非線性負(fù)載）下，大功率變頻電源的輸出特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該變頻電源在各種不同性質(zhì)的負(fù)載下輸出電壓及頻率都很穩(wěn)定。 眾所周知，我們所使用的市電
2010-05-18 16:39:41
就比如說(shuō)一個(gè)非線性電阻的伏安特性是：U=I^2,這該怎么設(shè)計(jì)呀，求大神指導(dǎo)啊。
2014-07-01 11:01:45
型層的厚度），這時(shí)勢(shì)壘區(qū)與空間電荷區(qū)并不完全一致（勢(shì)壘厚度遠(yuǎn)大于空間電荷區(qū)）。（3）勢(shì)壘電容：pn結(jié)的勢(shì)壘電容也就是空間電荷區(qū)的電容，而空間電荷區(qū)的厚度與外加電壓有關(guān)，則勢(shì)壘電容是一種非線性電容；并且
2013-05-20 10:00:38
小信號(hào)時(shí)性能較好，能以線性特性進(jìn)行隔離控制。 常用的線性光耦是PC817A—C系列。 開(kāi)關(guān)電源中常用的光耦是線性光耦。如果使用非線性光耦，有可能使振蕩波形變壞，嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)寄生振蕩，使數(shù)千赫的振蕩頻率被
2014-08-21 16:37:16
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
、輸入阻抗高；3、工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高(開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開(kāi)關(guān)損耗小；4、有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且 MOSFET 的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作 Hi-Fi 音響；5、功率 MOSFET 可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無(wú)需均流電阻。
2016-05-23 11:40:20
非線性電阻又有哪些？
2019-07-29 14:19:16
非線性工作區(qū)域，直接用來(lái)傳輸模擬量時(shí)精度較差。圖1 光電耦合器結(jié)構(gòu)及輸入、輸出特性解決方法之一，利用2個(gè)具有相同非線性傳輸特性的光電耦合器，T1和T2，以及2個(gè)射極跟隨器A1和A2組成，如圖2所示
2012-12-13 12:24:34
【摘要】：利用非線性偏振旋轉(zhuǎn)效應(yīng)可在能量對(duì)稱(chēng)的非線性光纖環(huán)鏡中獲得強(qiáng)度相關(guān)損耗輸出,具有該特性的非線性光纖環(huán)鏡可作為強(qiáng)度均衡器來(lái)抑制室溫條件下的摻鉺光纖中的模式競(jìng)爭(zhēng)。對(duì)這種環(huán)鏡在多波長(zhǎng)摻鉺光纖激光器
2010-04-24 10:15:37
小電流時(shí)，MOSFET SLLIMM-nano(顯示線性特性)的正向壓降低于IGBT模塊典型的類(lèi)似于二極管的正向壓降，如圖 2所示，從圖中不難看出，在電流低于0.7A(平衡點(diǎn))時(shí)，超結(jié)MOSFET的靜態(tài)
2018-11-20 10:52:44
保持較高發(fā)射效率的同時(shí)，獲得較好的線性輸入輸出特性。2.1 傳統(tǒng)非線性校正技術(shù)在線性化技術(shù)出現(xiàn)以前，為了避免由于功率放大器非線性引起的信號(hào)失真，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者通常選用功率回退法，即把功率放大器的信號(hào)輸入功率
2018-07-30 18:09:06
采用新技術(shù)，例如D3半導(dǎo)體正在實(shí)施的技術(shù)。新方法在開(kāi)發(fā)新的+FET產(chǎn)品線時(shí)，D3半導(dǎo)體選擇了一種非傳統(tǒng)的技術(shù)方法，將集成應(yīng)用于高壓超結(jié)功率MOSFET?。在傳統(tǒng)的晶體管配置中，沒(méi)有元件來(lái)提供微調(diào)功能
2023-02-27 10:02:15
我在網(wǎng)上查了關(guān)于電感和電容是屬于線性還是非線性元件，有兩種答案，所以來(lái)這邊問(wèn)專(zhuān)業(yè)的人解答。電感和電容是屬于線性和非線性元件？還有怎么判斷是線性還是非線性？
2018-11-13 09:18:19
測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
如何對(duì)測(cè)量非線性電阻伏安特性的電路進(jìn)行multisim仿真？
2023-04-27 16:10:16
計(jì)算MOSFET非線性電容
2021-01-08 06:54:43
）較大，這要求放大器必須具有良好的線性特性，否則非線性影響，如互調(diào)失真，會(huì)導(dǎo)致頻譜再生，進(jìn)而產(chǎn)生鄰道干擾。在設(shè)計(jì)放大器，如WCDMA多載波功率放大器時(shí)，要采用線性化技術(shù)來(lái)補(bǔ)償放大器的非線性，從而提高放大器輸出信號(hào)的頻譜純度，減少鄰道干擾。與此同時(shí)，我們還必須兼顧到放大器的工作效率。
2019-07-23 06:27:28
。產(chǎn)品特色特性集成了控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動(dòng)以及高壓功率MOSFET的LLC半橋功率級(jí)可最多省去30個(gè)外圍元件降低裝配成本并減小PCB布局的環(huán)路面積最高工作頻率為1 MHz大幅降低磁芯尺寸并允許
2019-03-07 14:39:44
可能會(huì)嚴(yán)重影響系統(tǒng)性能。PIM表示"無(wú)源交調(diào)"，它代表兩個(gè)或更多信號(hào)通過(guò)一個(gè)具非線性特性的無(wú)源器件傳輸時(shí)產(chǎn)生的交調(diào)產(chǎn)物。機(jī)械連接部分的相互作用一般會(huì)引起非線性效應(yīng)，這在兩種不同金屬的接合處尤為明顯。實(shí)例包括：松動(dòng)的電纜連接、不干凈的連接器、性能糟糕的雙工器或老化的天線等。
2019-07-10 07:04:25
大家好 哪位大神能指點(diǎn)一下 非線性電容 （basic- non ideal capacitor）屬性卡 “value"下 ”capacitance“ 里面的公式table(%V,-5,1
2015-02-02 17:55:42
電壓，Coss產(chǎn)生的損耗所占的比例非常大，甚至成為主導(dǎo)因素，因此在高壓功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出Eoss的值。目前有些中壓的功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中也列出了Eoss的值。功率MOSFET的電容
2017-03-28 11:17:44
的寄生電容和以下的因素相關(guān)：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結(jié)的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
值的VGS1，在轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性的電流為ID1，器件不可能流過(guò)大于ID1的電流，轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性限制著功率MOSFET的最大電流值。功率MOSFET工作在線性區(qū)時(shí)，最大的電流受到VGS
2016-08-15 14:31:59
速率為電容器充電。 采用耗盡模式 MOSFET 的恒流源 4. 高壓斜坡發(fā)電機(jī) 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備等應(yīng)用需要輸出電壓和時(shí)間之間具有線性關(guān)系的高壓斜坡。耗盡型MOSFET可以配置為設(shè)計(jì)高壓斜坡發(fā)生器
2023-02-21 15:46:31
阻抗下會(huì)出現(xiàn)頻率偏移現(xiàn)象，由此導(dǎo)致電子設(shè)備工作不穩(wěn)定甚至出現(xiàn)失效，產(chǎn)生嚴(yán)重影響，因此解決VCO的非線性特性（如頻率牽引）測(cè)試問(wèn)題并由此實(shí)現(xiàn)最優(yōu)匹配顯得日益重要和緊迫。
2019-07-05 06:18:20
新人想模擬個(gè)TVS二極管在8/20波形下的瞬態(tài)特性。鉗位電壓。但是自己建模后怎么模擬都是線性的，做不出來(lái)非線性。。。求教各位大神，如何在pspice里仿真非線性的元器件呢？
2015-01-09 21:30:41
請(qǐng)問(wèn)ADE7953的IRMSA和VRMS寄存器輸出值是線性的還是非線性的？或者是在某些值區(qū)間是線性的而某些值區(qū)間是非線性的？希望專(zhuān)家能答疑一下，謝謝了。
2018-07-27 08:19:20
范圍。因?yàn)榻酉聛?lái)的幾篇將談超級(jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話(huà)題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出
2018-11-28 14:28:53
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn)，是在平面型結(jié)構(gòu)中開(kāi)一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
的基本特性 1、靜態(tài)特性；其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖2所示。 漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱(chēng)為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs
2023-02-27 11:52:38
非線性電阻電路 4.1 非線性電阻元件的特性 4.2 非線性電阻電路的方程 4.3 圖解分析法 4.4 小信號(hào)分析法 4.5 分段線性分析法&#
2008-12-04 18:07:31
0 詳細(xì)地介紹了有關(guān)鉑電阻的非線性特性并提出三種線性化校正方法。關(guān)鍵詞：溫度傳感器;鉑電阻;非線性;校正
2009-06-12 11:25:5333 對(duì)于pH 中和過(guò)程的控制，由于其本身具有嚴(yán)重的非線性特性，因而對(duì)于此過(guò)程的控制十分困難。鑒于此，本文提出了Hammerstein 系統(tǒng)非線性預(yù)測(cè)控制方法，并應(yīng)用仿真和試驗(yàn)的方法分
2009-06-20 10:23:1116 高功率放大器非線性失真聯(lián)合抑制方法:高功率放大器引入的非線性失真將導(dǎo)致帶內(nèi)信號(hào)失真、頻譜擴(kuò)展(鄰道干擾)和誤碼率惡化。在剖析高功率放大器非線性輸入輸出特性的基礎(chǔ)
2009-10-20 18:00:4211 運(yùn)放的非線性應(yīng)用電路－比較器:非線性應(yīng)用：是指由運(yùn)放組成的電路處于非線性狀態(tài)，輸出與輸入的關(guān)系 uo=f( ui ) 是非線性函數(shù)。確定運(yùn)放工作區(qū)的方法：判斷電路中有無(wú)負(fù)反
2009-12-07 23:43:400 激光焊接過(guò)程是典型的具有噪聲和擾動(dòng)影響的非線性系統(tǒng)。利用Hammerstein 模型的線性和非線性分離的特性可以建立起關(guān)于激光焊接過(guò)程的非線性模型，并以此為基礎(chǔ)得到非線性系
2009-12-22 14:09:2210 研究了一種典型CMOS 源耦合差分對(duì)管電路（OTA）的非線性特性，得到非線性失真項(xiàng)。據(jù)此，導(dǎo)出了由OTA 構(gòu)成模擬電阻和模擬電感以及其他一些模擬元件電路的非線性特性解析式，這
2010-01-07 14:52:1317 信號(hào)的放大需要放大電路工作在其近似的線性條件下才有意義．借助數(shù)學(xué)方法，對(duì)構(gòu)成放大的電路的重要器件BJT和MOSFET的非線性進(jìn)行了對(duì)比，并結(jié)合其各自的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析了2類(lèi)器件
2010-02-28 19:29:1416 非線性元件特性曲線的測(cè)定及曲線繪制
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹 ?、了解非線性元件的伏安特性； 2、學(xué)習(xí)非線性元件伏安特性曲線的測(cè)試方法； 3、掌握繪制
2008-10-17 22:58:58
5170 非線性電阻特性研究 若通過(guò)元件的電流強(qiáng)度與施加到它的兩端的電壓之間不是線性關(guān)系．就稱(chēng)這種元件為非線性元件 . 由于通過(guò)元件的電
2008-11-24 15:20:193598 
大功率變頻電源輸出特性和實(shí)驗(yàn)分析
摘要：分析了各種負(fù)載（包括純阻性負(fù)載，感性負(fù)載，容性負(fù)載，非線性負(fù)載）下，大
2009-07-14 08:21:421114 
非線性部件的模擬
所謂非線性特性，是指它的輸出與輸入信號(hào)之間的關(guān)系是非線性．在實(shí)際物理系統(tǒng)中，往往許多部件在不同程度上都
2009-07-25 10:54:391249 
本文運(yùn)用基于頻域的Tsypkin軌跡法和基于時(shí)域的Hamel軌跡法對(duì)該非線性系統(tǒng)的控制特性作了詳細(xì)的分析。通過(guò)一個(gè)36W 的自激LC 串聯(lián)諧振 聯(lián)負(fù)載型電子鎮(zhèn)流器的設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)，
2011-02-16 17:52:0255 本內(nèi)容提供了功率MOSFET與高壓集成電路的知識(shí)概括。眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有理想開(kāi)關(guān)的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)
2011-07-22 11:28:47235 非線性應(yīng)用：是指由運(yùn)放組成的電路處于非線性狀態(tài)，輸出與輸入的關(guān)系 uo=f（ ui ） 是非線性函數(shù)。
2017-08-30 16:49:3416 呈非線性變化。 傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器用來(lái)校正感測(cè)元件輸出的非線性特性。在這篇文章中，我們研究了兩種廣泛用于校正感測(cè)元件非線性的方法：1）查找表（LUT）或內(nèi)插法； 2）多項(xiàng)式或曲線擬合。文中對(duì)這兩種方法做出了對(duì)比，并討
2017-11-22 10:58:390 具有非線性電學(xué)參數(shù)的材料，其電導(dǎo)率或介電常數(shù)能夠隨著空間電場(chǎng)做出自適應(yīng)的改變，從而達(dá)到智能改善絕緣介質(zhì)空間電場(chǎng)分布均勻性的效果，可用于緩解高壓設(shè)備局部集中的高電場(chǎng)。目前，國(guó)內(nèi)外已經(jīng)能夠制備出具
2018-01-15 16:34:250 本文主要介紹了非線性電路的分析方法_非線性電路分析舉例。在模擬電子電路中，用圖解的方法，說(shuō)明非線性元件晶體管的伏安特性、輸入特性和輸出特性，比較直觀明了，有助于學(xué)生對(duì)非線性元件晶體管工作特性的理解
2018-03-13 15:30:4126727 
針對(duì)超級(jí)電容及DC-DC電路的非線性特性，設(shè)計(jì)了超級(jí)電容儲(chǔ)能系統(tǒng)的非線性控制算法。通過(guò)分析電路的工作狀態(tài)，建立了電路仿射非線性系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)型，利用狀態(tài)反饋精確線性化理論推導(dǎo)出電路狀態(tài)量與占空比函數(shù)
2018-03-20 16:36:271 在開(kāi)關(guān)模式應(yīng)用中的作用類(lèi)似于“開(kāi)-關(guān)開(kāi)關(guān)”。在線性模式下，由于同時(shí)發(fā)生高漏極電壓和電流，導(dǎo)致高功耗，功率MOSFET承受高熱應(yīng)力。當(dāng)熱電應(yīng)力超過(guò)某個(gè)臨界極限時(shí)，硅中會(huì)出現(xiàn)熱熱點(diǎn)，從而導(dǎo)致器件失效[1]。 圖1 N溝道功率MOSFET的輸出特性 圖1顯示了N溝道功
2021-05-27 11:13:473330 
特性的系統(tǒng)的。作為課程的補(bǔ)充，下面討論一下不為人所重視的運(yùn)算放大電路的非線性特性。 ▌01?運(yùn)算放大器的非線性 1.運(yùn)算放大電路 作為信號(hào)處理的常用器件，運(yùn)算放大器，在其信號(hào)處理范圍之內(nèi)，通常認(rèn)為是線性器件。也就是
2021-03-10 16:06:2512856 
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1所示。相對(duì)于傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，超結(jié)結(jié)
2021-05-02 11:41:003017 
如果負(fù)載的電壓和電流是非線性的，則它是非線性負(fù)載。感性和電容性負(fù)載均為非線性負(fù)載，線性負(fù)載為電阻性負(fù)載。感性負(fù)載是指負(fù)載的總電感。它不是指純電感。例如，電感和電阻串聯(lián)連接。這是一個(gè)感性負(fù)載。相同的容性負(fù)載意味著該負(fù)載總體上表現(xiàn)出電容特性，而不是純電容。
2021-04-27 16:50:3512345 面向非線性動(dòng)態(tài)的保精度-稀疏特性核回歸模型
2021-07-02 15:00:473 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 繼前篇的Si晶體管的分類(lèi)與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開(kāi)關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
功率MOSFET在開(kāi)通的過(guò)程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS
2023-02-16 10:45:04908 
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù)，讀過(guò)功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到：輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性
2023-02-16 10:54:291157 
描述了其輸出電壓和電流之間的關(guān)系。它們可以被分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。 1. 截止區(qū)： 當(dāng)MOSFET的柵源極電壓為負(fù)時(shí)，MOSFET處于截止區(qū)。在這個(gè)區(qū)域里，MOSFET的輸出電流幾乎為零。在這種情況下，MOSFET的導(dǎo)通能力很弱，它無(wú)法傳遞信號(hào)或功率。
2023-09-21 16:09:322678 信號(hào)進(jìn)行采樣，保持電路則用來(lái)保持采樣結(jié)果，在采樣周期結(jié)束后輸出一個(gè)恒定的電平。 通常情況下，S/H被認(rèn)為是線性電路，其輸出與輸入的關(guān)系符合線性關(guān)系。但實(shí)際上，由于器件的非線性特性、電容的分布以及交叉耦合等因素，S/H在一定程度上也存在非線性的現(xiàn)象。
2023-10-31 09:41:17269 線性負(fù)載什么意思？非線性負(fù)載是什么意思？ 線性負(fù)載是指在電路中，電流和電壓之間的關(guān)系是線性的，也就是電壓與電流成比例的關(guān)系。線性負(fù)載通常包括電阻、電感和電容等，這些元件的電流與電壓之間的關(guān)系是線性
2023-11-13 16:10:031080 什么是集成運(yùn)放的非線性區(qū)？集成運(yùn)放工作在線性區(qū)和非線性區(qū)有什么區(qū)別？ 集成運(yùn)放的非線性區(qū)是指在其輸入信號(hào)超過(guò)一定范圍時(shí)，輸出信號(hào)的增益不再保持線性關(guān)系，而是產(chǎn)生失真現(xiàn)象。在集成運(yùn)放的非線性區(qū)域，輸入
2023-11-22 16:18:071940 逆變器輸出特性與非線性負(fù)載——看似簡(jiǎn)單的整流電路詳解（六）
2023-12-01 16:44:44299 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
線性電阻和非線性電阻的區(qū)別? 線性電阻和非線性電阻是兩種常見(jiàn)的電子元件，它們?cè)陔娐分芯哂胁煌?b class="flag-6" style="color: red">特性和行為。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地討論線性電阻和非線性電阻的區(qū)別。 首先，我們先來(lái)了解什么是電阻。電阻
2023-12-07 17:03:52431 HarmonyOS 非線性容器特性及使用場(chǎng)景 非線性容器實(shí)現(xiàn)能快速查找的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，其底層通過(guò) hash 或者紅黑樹(shù)實(shí)現(xiàn)，包括 HashMap、HashSet、TreeMap、TreeSet
2024-02-19 20:23:11154
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