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電子發燒友網>模擬技術>工作于線性區功率MOSFET的設計-3

工作于線性區功率MOSFET的設計-3

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PFC中功率MOSFET常見的一種失效形式是什么

比較慢,特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況,會導致功率MOSFET管的驅動在起動的過程中,由于驅動電壓不足,容易進入線性工作,功率MOSFET反復不斷的進入線性工作,工作一段時間后,就會形成局部熱點而損壞。
2023-02-16 10:58:19531

工作線性區的功率MOSFET的設計-1

在筆記本電腦主板、LCDTV主板、STB機頂盒等電子系統應用中,內部有不同電壓的多路電源,通常需要采用功率MOSFET作為負載切換開關,控制不同電壓的電源的上電時序;同時還有USB接口,用于輸出5V
2023-02-16 11:26:59936

工作線性功率MOSFET的設計-2

MOSFET的RDS是正溫度系數;VGS低于5.5V時,溫度越高電流越大,功率MOSFET的的RDS是負溫度系數。
2023-02-16 14:07:081362

功率MOSFET結構以及工作原理

mosfet結構和工作原理 MOSFET的原意是: MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET (Field Effect Transistor
2023-02-22 14:13:471001

功率MOSFET的SOA安全工作區域

功率MOSFET的數據手冊中會有一個看似復雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個安全工作區域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311176

MOSFET的基本工作原理和特性

以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理,還有必要關注MOSFET在通態時的特性,會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:09836

功率MOSFET內部結構和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件,通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34197

功率MOSFET的結構與工作原理

工作原理 功率MOSFET主要由四層結構組成:柵極(Gate)、漏極(Drain)、源極(Source)和氧化層(Oxide)。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層,漏極與源極之間有一層導電溝道。當柵極施加正向電壓時,會在氧化層下方形成一個導電通道,使漏極和
2024-01-17 17:24:36295

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