功率MOSFET管
自1976年開發出功率MOSFET以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:121870 在線性模式供電的電子系統中,功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器,電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優勢所在。 ? 在線性模式工作時,MOSFET必須在惡劣工作條件下工作
2022-05-24 16:45:005070 主要內容:利用運放環路穩定性判據對MOSFET線性電源進行頻域與時域工作特性分析
2023-11-07 15:38:27335 柵極電壓來控制漏極電流,驅動電路簡單,需要的驅動功率小,開關速度快,工作頻率高,熱穩定性優于GTR,但其電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置?! ?.功率MOSFET的結構
2019-06-14 00:37:57
演進,今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系,沒有BJT的一些致命缺點,如熱破壞(thermalrunaway)。另外,MOSFET在線性區的壓控電阻
2020-07-06 11:28:15
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET工作原理是一段動畫,解釋mosfet工作原理的,比看模電課本方便,其他都是比較實用的資料,關于功率mosfet的。`
2012-08-16 00:48:15
嗨,我的FET狂熱愛好者同行們,歡迎回到“看懂MOSFET數據表”博客系列的第2部分!作為一名功率MOSFET的產品營銷工程師,在FET數據表的所有內容中,除了電流額定值(本博客系列中的下一篇
2018-09-05 15:37:29
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結構及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
以稱為線性區,這些名稱只是定義的角度不同,叫法不同。問題3:什么是功率MOSFET的放大區,可否介紹一下?問題回復:MOSFET線性工作區和三極管放大區工作原理一樣,如IB=1mA,電流放大倍數為100
2016-12-21 11:39:07
很高的損耗,其損耗計算如下:圖12圖13是MOSFET處于線性放大區長達500uS的波形。如果某些應用需要MOSFET進入放大區,我們必須確定MOSFET處于安全工作區SOA的限制以內。圖13 6.
2018-12-10 10:04:29
,由于大多工作在線性區,計算過程不可能考慮到功率MOSFET的熱電效應。在過去的時候,功率MOSFET采用平面的結構,每個單元的間隔大,很少會產生局部的熱集中,基于TA=25℃的SOA曲線和實際
2016-10-31 13:39:12
功率MOSFET怎樣關斷?能否用PWM實現?怎樣實現?
2023-05-08 16:16:27
,工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念,是DC-DC轉換器的理想選擇;相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本網上廣播將提供功率MOSFET數據表概覽,和闡明具體的數據表參數和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝,取決于目標應用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了,這方面的技術文章看了不少,但實際應用選型方面的文章不是很多。在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。
2021-04-23 07:04:52
時刻并不一樣,因此開通時刻和關斷時刻的米勒平臺電壓VGP也不一樣,要分別根據各自的電流和跨導計算實際的米勒平臺電壓。(2)模式M2:t6-t7在t6時刻,功率MOSFET進入關斷的米勒平臺區,這個階段
2017-03-06 15:19:01
-t4完全開通,只有導通電阻產生的導通損耗,沒有開關損耗。t1-t2、t2-t3二個階段,電流和電壓產生重疊交越區,因此產生開關損耗。同時,t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區,因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
)中,對G極恒流驅動充電的恒流源IG由測量儀器內部自帶的恒流源提供,而ID由分立元件構成恒流源,其工作原理非常簡單:就是利用功率MOSFET的工作于線性區的放大特性,調節G極的電壓就可以調節電流的大小
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
MOSFET的穩態特性總結1)功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線:2)說明:功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點:當門極不加控制時,其反向導通的穩態工作點同二極管。3)穩態特性總結:門
2021-08-29 18:34:54
MOSFET的穩態特性總結(1):功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線(2):說明功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點:當門極不加控制時,其反向導通的穩態工作點同二極管。(3):穩態特性總結
2021-09-05 07:00:00
在功率MOSFET的數據表中,列出了開通延時、開通上升時間,關斷延時和關斷下降時間,作者經常和許多研發的工程師保持技術的交流,在交流的過程中,發現有些工程師用這些參數來評估功率MOSFET的開關損耗
2016-12-16 16:53:16
柵極(Gate),漏極(Drain)和源極(Source)。功率MOSFET為電壓型控制器件,驅動電路簡單,驅動的功率小,而且開關速度快,具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
簡單;2.輸入阻抗高,可達108Ω以上;3.工作頻率范圍寬,開關速度高(開關時間為幾十納秒到幾百納秒),開關損耗??;4.有較優良的線性區,并且場效應管(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多
2011-12-19 16:52:35
、所需驅動電流大,驅動電路復雜;溫度穩定性差,集電極電流具有正溫度系數,會發生熱擊穿和二次擊穿,安全工作區??;受少子基區渡越時間的限制,頻率特性較差,非線性失真嚴重。功率 MOSFET 輸入阻抗高、所需
2021-05-13 07:44:08
?傳輸曲線不是線性的也不是其他函數特征,而是階梯狀,為什么?2.三極管的放大區也是線性區,這個時候的線性是哪兩個值的線性關系?Ib和Ic嗎?3.運放的線性放大區,是不是隨著輸入信號(U+-U-)*放大
2022-07-28 11:51:05
LT1028運放線性工作區大致在什么范圍呢?或者運放的同向輸入端-反向輸入端的值最大多少時,在線性工作區呢?
2023-11-15 07:16:23
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統設計的過程中,選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
MOSFET的補償原理也隨之問世。相對于傳統的功率MOSFET,其RDS(on)XA大幅降低背后的基本原理是,通過位于P通道的受體對n漂移區施體進行補償,如圖1所示。 圖1對于擊穿電壓較低的產品而言
2018-12-07 10:21:41
狀況。和硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET相比較,硅基LDMOSFET有失真小、線性度好、成本低的優點,成為目前RF 功率 MOSFET的主流技術。手機基站中功率放大器的輸出功率范圍從5W到超過250W
2019-07-08 08:28:02
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外,幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅(SiC)MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
電壓。導通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻,和上述的線性區工作狀態并不相同。功率MOSFET的內部二極管導通的反向工作狀態,因為其S、D極的電壓為二極管的壓降,因此并沒有線性區的過程,也就
2017-04-06 14:57:20
在線性反饋工作區內很高,反相輸入端保持與非反相輸入端相等,即相當于VIREF。放大器產生自己的輸出值,以使 MOSFET Q2和Q3工作于線性區,因而會消耗穩流電源的功率。源極電流值與電流環基準
2009-09-29 10:57:37
;自1976年開發出功率MOSFET以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如<br/>高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V;低導通電阻MOSFET其阻值僅
2010-08-12 13:58:43
,發現不能開機工作的系統越來越多,客戶工程師才開始重視這個問題,找到功率MOSFET的供應商,對方的FAE說功率MOSFET都正常,沒有問題,于是就不再處理。由于系統板上使用了當時作者所在公司的PWM
2019-08-08 21:40:31
可變電阻區(線性區)3、怎么徹底了解電子負載中MOS管工作在可變電阻去(線性區),始終沒有弄清楚其中的原理,還請高手解答4、如下圖所示左邊輸出特性曲線、右邊轉移特性曲線
2020-08-31 14:18:23
關于汽車電子功率MOSFET技術,總結的太棒了
2021-05-14 06:13:01
各位大神,這是我在做的一個板子,分兩路,都是減法器后面加一個反相放大器,我的連接是正常的,可是不太明白為什么不在線性區工作??!之前使用lm675t做同相放大的時候發現是可以完美輸出的。
2015-04-16 18:12:36
L1050 是一款高功率因數,低諧波電流的線性恒流驅動方案,適合25W以上的LED 照明產品應用。L1050 采用專利的分段導通控制模式,驅動外置MOSFET,控制LED 從市電汲取平滑的、正弦形狀
2017-11-20 16:59:33
、效率高、成本低的優勢,因此,較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續可調(0~45V) 的小功率穩壓電源設計實例??傮w結構與主電路為該電源的總體結構框圖。工作原理如下:基于MOSFET控制的大范圍連續可調(0~45V) 的小功率穩壓電源設計實例2圖1 原理方框圖全橋整流電路將電網
2021-11-12 08:50:12
將工作在飽和區,其飽和導通壓降很大,如圖3所示,MOSFET的VDS(ON)在短路時達到14.8V,MOSFET功耗會很大,從而導致MOSFET因過功耗而失效。如果MOSFET沒有工作在飽和區,則其導
2018-09-30 16:14:38
,另外偏置電路比較簡單,設計的放大電路增益高,線性好?! ”疚牡拇?b class="flag-6" style="color: red">功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場效應管(MOSFET)來設計的,采取AB類推挽式功率放大方式,其工作頻段為O 6M~10MHz,輸出
2019-06-19 06:30:29
` 本帖最后由 wangka 于 2011-9-23 17:23 編輯
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難
2011-09-23 17:22:52
本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場效應管(MOSFET)來設計的,采取AB類推挽式功率放大方式,其工作頻段為O 6M~10MHz,輸出的脈沖功率為1200W。經調試使用,放大器工作穩定
2021-04-20 06:24:04
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法?SenseFET方法檢測電流的工作原理是什么?影響電流檢測準確性的原因有哪些?
2021-04-21 07:16:38
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟,并通過
2021-01-11 16:14:25
計算MOSFET非線性電容
2021-01-08 06:54:43
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了,這方面的技術文章看了不少,但實際應用選型方面的文章不是很多。在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
MOSFET最大漏極電流是MOSFET工作時允許通過的最大漏極電流.最大耗散功率是MOSFET正常工作時,其漏極允許的耗散功率
2012-07-09 17:59:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
MOSFET最大漏極電流是MOSFET工作時允許通過的最大漏極電流.最大耗散功率是MOSFET正常工作時,其漏極允許的耗散功率
2012-07-05 11:01:48
有些情況下
MOSFET進入
線性模式(來自非常高的柵極輸入),它的Vds變得不穩定,并且從一個值到另一個值大幅擺動。有時候,它會在一個收斂點上穩定或有時擺動“平均值”。它發生得非??欤虼藢τ诖蠖鄶?/div>
2018-09-26 15:08:40
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
功率MOSFET的Coss會產生開關損耗,在正常的硬開關過程中,關斷時VDS的電壓上升,電流ID對Coss充電,儲存能量。在MOSFET開通的過程中,由于VDS具有一定的電壓,那么Coss中儲能
2017-03-28 11:17:44
和突然,因為通常的觀點都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數,因此可以并聯工作。當多個并聯工作的功率MOSFET其中的一個溫度上升時,由于其具有正的溫度系數,導通電阻也增加,因此流過的電流減小
2016-09-26 15:28:01
和摻雜輪廓3、功率MOSFET寄生電容的非線性MOSFET的電容是非線性的,是直流偏置電壓的函數,圖3示出了寄生電容隨VDS電壓增加而變化。所有的MOSFET的寄生電容來源于不依賴于偏置的氧化物電容
2016-12-23 14:34:52
的漏極導通特性 當MOSFET工作在線性區(恒流區)時MOSFET具有信號放大功能,柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導保持一定的約束關系。柵極的電壓和漏極的電流的關系就是MOSFET的轉移特性。?其中
2016-11-29 14:36:06
的限制,也就是最大的電流IDM和最大的VGS要滿足功率MOSFET的轉移工作特性或輸出特性限制:其中,gfsFS為跨導。圖3:轉移工作特性器件工作在線性區,功耗為電流和壓降乘積,因此產生較大功耗,此電流該
2016-08-15 14:31:59
`本書介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類導電溝道槽結構特殊的場效應管,它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關器件。本書深入解讀了MOSFET的關鍵特性和指標,通過圖表讓讀者
2019-03-06 16:20:14
所需的功率。在正常工作期間,耗盡型 MOSFET 由于其低靜態電流而消耗的功率最小。這種方法的主要優點是理論上啟動序列后的功耗為零,從而提高了整體效率。此外,它在PCB上占用的面積更小,可實現寬輸入
2023-02-21 15:46:31
的MOSFET設計了一種商標CoolMOS,這種結構從學術上來說,通常稱為超結型功率MOSFET。圖3:內建橫向電場的SuperJunction結構垂直導電N+區夾在兩邊的P區中間,當MOS關斷
2018-10-17 16:43:26
t3 時間后,輸出電容充電基本完成,就是電容的電壓基本等于輸入電壓,在這個過程中,MOSFEGT 工作在線性區,控制平臺的電壓 VGP,就相當于控制了最大的浪涌電流,浪涌電流就不會對系統產生影響
2020-03-24 07:00:00
采用了正方形單元;摩托羅拉公司 (Motorola)的TMOS采用了矩形單元按“品”字形排列?! ?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET的工作原理 截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN
2023-02-27 11:52:38
請問:驅動功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET的結構和工作原理功率MOSFET的種類:按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P
2008-08-12 08:43:32103 功率MOSFET
2009-09-23 19:35:0636 功率MOSFET的工作原理,規格和特性均與變極式功率電晶體有所不同。
2009-11-20 11:02:2950 信號的放大需要放大電路工作在其近似的線性條件下才有意義.借助數學方法,對構成放大的電路的重要器件BJT和MOSFET的非線性進行了對比,并結合其各自的內部結構分析了2類器件
2010-02-28 19:29:1416 自1976年開發出功率MOSFET以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V;低導通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ;工作頻率范圍從直流到達數
2010-06-07 08:22:4840 功率MOSFET并聯均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究,詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:073401 狀況。和硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET相比較,硅基LDMOSFET有失真小、線性度好、成本低的優點,成為目前RF 功率 MOSFET的主流技術。
2018-10-11 08:33:005899 自2018年開始,功率MOSFET的平均售價持續上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產品成長幅度最顯著,已位居價格中的首位。
2019-07-05 14:52:445040 、全控式、單極型的特點主要適用于對功率器件工作頻率需求較高的領域。 寬禁帶半導體材料迭代引領功率MOSFET性能演進。功率MOSFET主要通過制程縮小、技術變化、工藝進步與材料迭代這四種方式不斷提高自身的性能以滿足世界電氣化程度不斷加深帶來的電力需求。其中
2022-11-30 10:38:39908 電子負載,線性穩壓器或A類放大器等應用程序在功率MOSFET的線性區域內運行,這需要高功耗能力和擴展的正向偏置安全工作區(FBSOA)特性。這種工作模式與通常使用功率MOSFET的方式不同,后者
2021-05-27 11:13:473330 ),可能導致器件損壞。A類音頻放大器、有源DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低壓DC電機控制或電子負載等線性模式應用要求功率 MOSFET 器件在電流飽和區域內工作。 ? 作者
2022-08-25 15:34:411601 成功率MOSFET的線性能模型工作版-AN50006_CN
2023-02-09 19:33:150 線性模式下的功率 MOSFET-AN50006
2023-02-09 21:42:0711 ”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。功率MOSFET可分為增強型和耗盡型,按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
2023-02-15 15:47:36426 功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現出非線性的特性,超結結構的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術
2023-02-16 10:52:42280 比較慢,特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況,會導致功率MOSFET管的驅動在起動的過程中,由于驅動電壓不足,容易進入線性區工作,功率MOSFET反復不斷的進入線性區工作,工作一段時間后,就會形成局部熱點而損壞。
2023-02-16 10:58:19531 在筆記本電腦主板、LCDTV主板、STB機頂盒等電子系統應用中,內部有不同電壓的多路電源,通常需要采用功率MOSFET作為負載切換開關,控制不同電壓的電源的上電時序;同時還有USB接口,用于輸出5V
2023-02-16 11:26:59936 MOSFET的RDS是正溫度系數;VGS低于5.5V時,溫度越高電流越大,功率MOSFET的的RDS是負溫度系數。
2023-02-16 14:07:081362 mosfet結構和工作原理 MOSFET的原意是: MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET (Field Effect Transistor
2023-02-22 14:13:471001 在功率MOSFET的數據手冊中會有一個看似復雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個安全工作區域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311176 以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理,還有必要關注MOSFET在通態時的特性,會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:09836 MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件,通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34197 與工作原理 功率MOSFET主要由四層結構組成:柵極(Gate)、漏極(Drain)、源極(Source)和氧化層(Oxide)。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層,漏極與源極之間有一層導電溝道。當柵極施加正向電壓時,會在氧化層下方形成一個導電通道,使漏極和
2024-01-17 17:24:36295
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