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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實現(xiàn)承諾的效率增益

圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實現(xiàn)承諾的效率增益

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圖騰PFC介紹

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圖騰電路兩個三極管導(dǎo)通的問題!

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橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢,如主動有源鉗位反激式(ACF)、圖騰PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
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淺析SiC功率器件SiC SBD

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2019-05-07 06:21:51

電機(jī)驅(qū)動集成的故事

可以解決這些問題。柵極驅(qū)動器IC實現(xiàn)圖騰電路相同的功能,但有許多額外的好處:柵極驅(qū)動器IC節(jié)省了空間和資源,因為它將所有組件集成到單個封裝。因此,物理尺寸較小,設(shè)計更直接,裝配更容易。柵極驅(qū)動器
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電機(jī)驅(qū)動集成的經(jīng)驗分享

廣泛用于許多不同的應(yīng)用,包括電動機(jī)驅(qū)動,主要是由于其成本低并易于使用,但仍然存在一些限制和缺點。 圖1:典型的推挽/圖騰柵極驅(qū)動電路 例如,晶體管可以產(chǎn)生熱,這在一些系統(tǒng)引起熱問題?;蛘邇蓚€晶體管
2017-04-01 15:22:24

碳化硅如何改進(jìn)開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計?

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2023-02-23 17:11:32

設(shè)計基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向EV車載充電器

均高于96.5%的原型,其中CCM圖騰PFC轉(zhuǎn)換器為67 kHz,CLLC諧振轉(zhuǎn)換器為150-300 kHz。通過將功率半導(dǎo)體和功率磁器件集成在同一工具散熱器上,由于650V SiC MOSFET的低功率損耗,因此在雙向高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用(例如EV的OBC)可以實現(xiàn)高功率密度和高效率
2019-10-25 10:02:58

請教圖騰驅(qū)動電路問題

單片機(jī)IO口驅(qū)動,用圖騰驅(qū)動MOS,輸入10V,為啥VGS電壓還不到5V啊。我想用10V電壓給到VGS
2021-10-17 10:16:05

請問圖騰電路原理如何分析?

自己想做一個控制直流電機(jī)正反轉(zhuǎn)得電路,在網(wǎng)上搜了一些資料,發(fā)現(xiàn)用H橋做電機(jī)驅(qū)動電路可以實現(xiàn),自己想用4個三極管搭建一個H橋,但是具體的原理分析,還是一知半解,如線圖1,這個是我在網(wǎng)上搜到的電路
2019-01-11 14:47:41

車載OBC及開關(guān)電源等高效應(yīng)用方面采用圖騰無橋PFC取代傳統(tǒng)的PFC或交錯并聯(lián)PFC

車載OBC及開關(guān)電源等高效應(yīng)用方面采用圖騰無橋PFC取代傳統(tǒng)的PFC或交錯并聯(lián)PFC
2022-06-08 22:22:09

采用SiC-FET的PSR反激參考設(shè)計

描述 此設(shè)計采用帶 SiC-FET 的低成本初級側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700,適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出:25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07

降低二極管橋式整流器的導(dǎo)通損耗方案

) MOSFET很難在圖騰PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下工作,因為體二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅(SiC) MOSFET采用全新的技術(shù),比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52

高頻臨界模式圖騰PFC解決方案TIDA-00961 FAQ

同樣使用 GaN實現(xiàn)效率PFC參考設(shè)計PMP20873是基于CCM模式的,方案采用CrM控制是出于什么考慮?TI GaN LMG3410 避免了Si MOSFET的反向恢復(fù)問題,因而可用于實現(xiàn)圖騰
2019-03-07 06:45:04

FET給出30dB增益范圍的AGC電路

FET給出30dB增益范圍的AGC電路
2006-01-01 05:40:451044

圖騰PFC技術(shù)賦能更高能效的電源

PFC技術(shù)
大大通發(fā)布于 2022-11-29 14:41:39

圖騰PFC來了,你準(zhǔn)備好了嗎

。 圖1顯示的是一個圖騰PFC結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)的PFC相比,電力傳導(dǎo)路徑只包含一個二極管,而不是兩個。此外,碳化硅 (SiC) 二極管被MOSFET所取代,以實現(xiàn)同步
2021-11-10 09:40:544612

圖騰PFC控制器顯著提高電源整體能效

  在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管的損耗一直對電源整體效率和散熱管理造成相當(dāng)大的挑戰(zhàn),如果用“圖騰柱”配置的開關(guān)取代傳統(tǒng)的二極管,并同時整合升壓PFC功能,可大大減少橋堆損耗,顯著提高整體能效。
2022-05-19 20:19:102874

安森美圖騰PFC控制器顯著提高電源整體效率

在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管的損耗一直對電源整體效率和散熱管理造成相當(dāng)大的挑戰(zhàn), 如果用“圖騰柱”配置的開關(guān)取代傳統(tǒng)的二極管,并同時整合升壓PFC功能,可大大減少橋堆損耗,顯著提高整體能效。
2022-06-30 09:18:121012

NCP1680圖騰PFC CRM模式電感計算表

安森美NCP1680 圖騰PFC CRM模式 電感計算表
2022-09-20 17:14:0233

SiC FET性能和優(yōu)勢及起源和發(fā)展介紹

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展,直至最新一代產(chǎn)品,并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:55857

SiC FET的起源和發(fā)展

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787

NCP1680 – CrM 圖騰PFC IC 技巧和竅門

NCP1680 – CrM 圖騰PFC IC 技巧和竅門
2022-11-15 20:18:1811

CCM和CRM的圖騰PFC哪個效率更高?

派恩杰在在報告中闡述了他們的圖騰PFC設(shè)計在CRM比設(shè)計在CCM獲得了更高的效率和功率密度,也得到更好的EMI特性,軟開關(guān)的實現(xiàn)可以提高頻率。
2022-11-17 17:05:392663

圖騰PFC階段隨著SiC FET的成熟而成熟

這種布置的要點是,它可以被解構(gòu)為相當(dāng)于一個全橋交流整流器,然后是一個功率因數(shù)校正升壓電路,但實際上與功率流一致的元件更少,損耗更低。圖騰電路中只需要兩個線路交流整流二極管,甚至可以用同步整流
2023-02-17 09:28:131447

圖騰PFC和LLC電源如何應(yīng)對高密度設(shè)計的挑戰(zhàn)?

)。使用無橋PFC來取代輸入整流橋可以提高效率。 通過在圖騰PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ,有可能實現(xiàn)更高的功率密度和效率,因為在這個功率水平上,開關(guān)頻率比其他方案高得多。了解 安森美(onsemi)的圖騰PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對高密度設(shè)計挑戰(zhàn) ,報名參加第
2023-02-20 21:55:061589

雙相PFC電路的工作原理

的開關(guān)損耗。有橋TM PFC主功率電路中沒有高頻全控開關(guān)管組成的橋臂,也不需要做AC極性判斷,與TCM控制方式的圖騰PFC拓?fù)湎啾龋刂齐y度大大降低了;而對比CCM控制,又可以獲得較高的電能轉(zhuǎn)化效率。
2023-03-23 09:26:352889

交錯TCM圖騰柱無橋PFC仿真

TCM圖騰柱即臨界模式圖騰柱,也叫CRM圖騰柱或BCM圖騰柱。
2023-06-23 10:55:001734

找方案 | 基于Microchip dsPIC33CK256MP506 高性能DSP開發(fā)的4KW圖騰PFC數(shù)字電源方案

隨著效率要求的逐步提高,無橋PFC得到越來越多的應(yīng)用。而無橋PFC中,圖騰PFC由于可以消除二極管的損耗而成為效率最高的PFC線路,硅管做圖騰PFC,只能做CrM或者DCM,CCM下反向恢復(fù)損耗
2022-11-21 16:18:341142

SiC FET — “圖騰” 象征?

圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個構(gòu)想,許多工程師都在尋找能夠有效實現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今,人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢的理想開關(guān)。了解應(yīng)對方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212

基于GD32E505的圖騰PFC雙向儲能逆變器設(shè)計

基于GD32E505的圖騰PFC雙向儲能逆變器設(shè)計
2023-09-27 15:24:131059

聯(lián)合SiCFET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果

聯(lián)合SiCFET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499

采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩(wěn)壓LLC電源

采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩(wěn)壓LLC電源
2023-11-24 18:06:32446

還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!

還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
2023-11-29 16:49:23277

SiC FET神應(yīng)用,在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率

SiC FET神應(yīng)用,在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155

圖騰PFC浪涌測試慢管失效

圖騰柱(Totem Pole)是一種用于驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),它通過驅(qū)動NPN和PNP晶體管形成雙極性開關(guān)來實現(xiàn)電流放大和開關(guān)控制功能。功率因數(shù)校正(Power Factor
2023-12-07 13:37:52419

基于TAE32F5300主控芯片的1KW GaN圖騰PFC+LLC數(shù)字控制電源方案

高等特點,其主要性能參數(shù)如下:基于TAE32F5300芯片的1KW圖騰PFC+LLC的電源方案可以實現(xiàn),得益于芯片的如下性能:具有ERPU協(xié)處理器,節(jié)約算法運(yùn)算耗時1
2022-08-03 15:26:51

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