精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

電子發燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>模擬技術>氮化鎵(GaN)是什么

氮化鎵(GaN)是什么

收藏

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

氮化GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化GaN產品應用

大家清晰的了解GaN產品。 1.從氮化GaN產品的名稱上對比 如下圖所示,產品GaN標示圖。納微:GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC,而英諾賽科: E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0023135

氮化鎵(GaN)如何應對設計和可持續性挑戰

為了提高采用率,電動汽車必須提供安全性和便利性,在這種情況下,這主要與提高續航效率、更好的充電基礎設施和更快的充電時間有關。硅器件不太可能達到所需的水平,因此工程師們正在轉向寬帶隙(WBG)材料,尤其是氮化鎵(GaN)。
2022-12-14 14:37:361188

氮化(GaN)功率集成電路集成和應用

氮化(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19

氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

被譽為第三代半導體材料的氮化GaN。早期的氮化材料被運用到通信、軍工領域,隨著技術的進步以及人們的需求,氮化產品已經走進了我們生活中,尤其在充電器中的應用逐步布局開來,以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術促進電源管理的發展

的挑戰絲毫沒有減弱。氮化GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技術助力電源管理革新

能源并占用更小空間,所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25

氮化GaN技術怎么實現更高的功率密度

從“磚頭”手機到笨重的電視機,電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間,而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸,但卻很難更進一步。在現有尺寸規格下,硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網絡,以及未來的機器人、可再生能源直至數據中心技術,功率都是一個至關重要的因素。“工程師現在處于一個非常尷尬的境地,一方面他們無法在現有空間內繼續提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間,”德州儀器產品經理Masoud Beheshti說,“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51

氮化GaN接替硅支持高能效高頻電源設計方案

在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化充電器

是什么氮化GaN)是氮和化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化GaN)技術電源管理

我們可以想象一下:當你駕駛著電動汽車行駛在馬路上,電動車充電設備的充電效率可以達到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅動比目前應用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進口袋。電子設備的未來取決于電源管理創新或者設想一下:每個簡單的互聯網搜索查詢使用的電力足以灼燒一個60瓦燈泡約17秒。現在乘上每天發生的數十億次的查詢,便可以獲得數十億千瓦時的能耗。更有效地管理能源并占用更小空間,所...
2021-11-15 09:01:39

CG2H80015D-GP4 氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)

` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00

CGH40010F氮化GaN)高 電子遷移率晶體管

`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化GaN)高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00

CGHV96100F2氮化GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

MACOM射頻功率產品概覽

MACOM六十多年的技術傳承,運用bipolar、MOSFET和GaN技術,提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32

MACOM:適用于5G的半導體材料硅基氮化GaN

多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化GaN)因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實測案例——氮化GaN半橋上管測試

測試背景地點:國外某知名品牌半導體企業,深圳氮化實驗室測試對象:氮化半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化GaN)?

氮化,由(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么是氮化GaN)?

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化系列”,告訴大家什么是氮化GaN)?
2019-07-31 06:53:03

傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

光隔離探頭應用場景之—— 助力氮化GaN)原廠FAE解決客戶問題

GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化芯片的優異開關性能所引起的測試難題,下游的氮化應用工程師往往束手無策。某知名氮化品牌的下游客戶,用氮化半橋方案作為3C消費類產品的電源,因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03

同步整流在氮化GaN充電器中有哪些應用?

MP6908之所以受到這么多產品應用設計,主要是有什么特點?把同步整流管分別放在次級側的低端和高端有什么區別嗎?
2021-07-02 06:33:45

如何用集成驅動器優化氮化性能

導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29

第三代半導體材料氮化/GaN 未來發展及技術應用

重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側展示的是鍺化硅基MIMO天線,它有1024個元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對比的,是右側氮化
2019-04-13 22:28:48

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

氮化 (GaN) 應用

氮化 (GaN) 電源解決方案,氮化 (GaN) 在充電器和適配器中的應用技術交流;
2021-11-22 09:26:58

CMPA0060002F氮化 (GaN) 晶體管 (HEMT)

Cree 的 CMPA0060002F 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優越的與硅或砷化相比的特性,包括更高的擊穿率電壓
2022-05-17 18:34:26

CMPA0060002D氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 的 CMPA0060002D 是一種氮化 (GaN) 高電子基于移動晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路(MMIC) 。 與硅相比,GaN 具有更優越的性能或砷化,包括更高的擊穿
2022-05-18 10:06:16

CGH40006S氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40006 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-05-18 11:55:04

CGH40006P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 的 CGH40006P 是無與倫比的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 該CGH40006P,運行來自 28 伏電源軌,提供通用寬帶解決方案到各種射頻和微波
2022-05-18 14:14:48

CGH40010P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40010 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-05-19 10:31:34

CGH27015P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH27015 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管,專為高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH27015 成為 VHF 的理想選擇;通訊;3G;4G
2022-05-20 09:31:48

CGH09120F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH09120F 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH09120F 成為 MC-GSM 的理想
2022-05-25 10:00:31

CGH21120F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH21120F 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH21120F 非常適合 1.8
2022-05-25 10:13:50

CGH25120F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH25120F 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為實現高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH25120F 成為
2022-05-25 10:45:16

CGH27030S氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH27030 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH27030 成為 VHF 的理想選擇;通訊
2022-05-25 10:56:08

CGH27060F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH27060F 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH27060F 成為 VHF 的理想選擇
2022-05-30 09:25:37

CGH31240F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH31240F 是一款專為高效設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH31240F 成為 2.7 –3.1 GHz
2022-05-30 10:03:05

CGH40025P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40025 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-09 10:41:30

CGH40045F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40045 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40045;從 28 伏電壓軌運行;提供一般用途;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-09 11:33:44

CGH40120P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40120 是無與倫比的;氮化GaN);高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-13 10:19:53

CGH40120F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40120 是無與倫比的;氮化GaN);高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-13 10:22:02

CGH40180PP氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40180PP 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波
2022-06-14 10:58:02

CGHV14250P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14250 是一款專為高效設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGHV14250 非常適合 1.2
2022-06-15 11:00:55

CGHV14800P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款專為高效設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGHV14800 非常適合 1.2
2022-06-15 11:29:50

CGHV27030S氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

CGHV27030S 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),提供高效率;高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常適合頻率為 700-960
2022-06-15 11:50:12

CGHV35060MP氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV35060MP 是一款 60W 輸入匹配;針對 S 波段性能進行了優化的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7
2022-06-16 17:11:06

CGHV37400F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV37400F 是專為高效設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7
2022-06-22 10:13:50

CGHV40030F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40030 是無與倫比的;專為高效率而設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L;S 和 C 波段放大器
2022-06-22 10:58:47

CGHV40030P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40030 是無與倫比的;專為高效率而設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L;S 和 C 波段放大器
2022-06-22 11:01:14

CGHV40050F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 09:16:15

CGHV40050P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 09:19:21

CGHV40100F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40100 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 14:28:12

CGHV40180F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CGHV40200PP氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是無與倫比的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波
2022-06-24 09:54:07

CGHV50200F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGHV50200F 成為對流散射通信的理想選擇
2022-06-27 09:17:27

CGHV59070P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070;從 50 伏電壓軌運行;提供一般用途;適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:11:15

CGHV96130F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32

CMPA0060025D氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:34:19

CMPA0060025F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:37:17

CMPA2060035D氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA2060035 是一種基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 09:32:29

CMPA2060035F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA2060035 是一種基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 09:38:22

CMPA2560025D氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:41:06

CMPA2560025F氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:46:15

CMPA2560025F-AMP氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:48:03

CMPA2735015D氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化相比,GaN 具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 11:22:27

CMPA2735015S氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化相比,GaN 具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 11:28:20

CMPA2735030D氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化相比,GaN 具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 14:09:52

CMPA2735030S氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化相比,GaN 具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 14:12:41

CMPA2735075D氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:26:31

CMPA2735075F1氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:28:23

CMPA2738060F氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA2738060 是基于氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓
2022-06-29 09:19:52

CMPA5259025S氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA5259025F 是專為實現高效率而設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益; 和寬帶寬能力;這使得 CMPA5259025F 非常適合
2022-06-29 09:59:22

CMPA5259050D氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA5259050 是專為實現高效率而設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益; 和寬帶寬能力;這使得 CMPA5259050 非常適合 5.2
2022-06-29 10:16:37

CMPA5259050S氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMPA5259050 是專為實現高效率而設計的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益; 和寬帶寬能力;這使得 CMPA5259050 非常適合 5.2
2022-06-30 09:34:43

CMPA5259080S氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Cree 的 CMPA5259080S 是氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優越的與硅或砷化相比的特性,包括更高的擊穿率電壓,更高
2022-07-01 10:20:20

CMPA5585030D氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:30:08

CMPA5585030F氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:32:18

氮化鎵(GaN)技術超越硅實現更高電源轉換能效

氮化鎵(GaN)技術超越硅 實現更高電源轉換效率——來自安森美半導體Onsemi
2015-12-23 11:06:2028

氮化GaN功率元件產業逐步發展

2016年氮化鎵(GaN)功率元件產業規模約為1,200萬美元,研究機構Yole Développemen研究顯示預計到2022年該市場將成長到4.6億美元,年復合成長率高達79%。
2018-05-22 17:02:218235

氮化鎵(GaN)取代硅,成高頻電源的主要技術

在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-07-15 10:25:009

小米上架55W氮化GaN充電器

近日,小米上架了兩款充電器,一個是小米充電器120W秒充版,售價249元,另一個是小米氮化GaN充電器55W,售價99元。兩款充電器均附送數據線。
2021-01-29 09:33:081821

氮化鎵(GaN)技術的優勢及應用領域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相,目前廣泛應用于商業和國防領域,但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后,可能會成為忠實支持者。
2022-03-10 09:27:148935

一文詳細了解氮化鎵(GaN)技術

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 :其屬性、優點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅動的環境下發揮越來越重要的作用。
2022-03-17 08:29:0413646

氮化鎵(GaN)功率半導體之預測

氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度,更高的熱導率和更低的導通電 阻,氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優越。 氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060

采用 TO-247 封裝的 650V,35 mΩ 氮化鎵(GaN) FET-GAN041-650WSB

采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495

650V,50mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN063-650WSA

650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245

學技術 | 氮化鎵(GaN)與硅(Si)的MOS開關比較

付出更大的成本?本文會以適配器(Adaptor)的應用來做說明。圖1目標產品應用種類氮化鎵(GaN)是橫向結構的功率元件,其具有小于硅(Si)的十分之一以下的閘極電荷(
2022-12-09 14:41:082746

干貨 | 氮化GaN驅動器的PCB設計策略概要

干貨 | 氮化GaN驅動器的PCB設計策略概要
2023-09-27 16:13:56484

論文研究氮化GaN功率集成技術.zip

論文研究氮化GaN功率集成技術
2023-01-13 09:07:473

半導體“黑科技”:氮化鎵(GaN)是何物?

氮化鎵(GaN)被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料,今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下,這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663

氮化鎵(GAN)有什么優越性

GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性:氮化鎵(GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53437

英特爾發力具有集成驅動器的氮化GaN器件

在最近的IEDM大會上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用于高度集成的48V設備。
2023-12-14 09:23:06548

已全部加載完成