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電子發燒友網>模擬技術>IGBT芯片的電熱性能分析

IGBT芯片的電熱性能分析

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關于對IGBT關斷過程的分析

上一篇,我們寫了基于感性負載下,IGBT的開通過程,今天,我們就IGBT的關斷過程進行一個敘述。對于IGBT關斷的可以基于很對方面進行分析,而今 天我們從電壓電流對IGBT的關斷過程進行分析
2023-02-22 15:21:339

如何理解IGBT的熱阻和熱阻抗

隨著功率器件封裝逐漸面向大電流、小型化,產品的散熱性能顯得尤為重要。熱設計在IGBT選型和應用過程中至關重要,關 系到模塊應用的可靠性、損耗以及壽命等問題,而模塊的熱阻和熱阻抗是系統散熱評估環節
2023-02-23 16:11:225

IGBT會用到哪些陶瓷基板?

IGBT模塊是由不同的材料層構成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。
2023-03-29 17:21:04561

FCBGA封裝的CPU芯片熱性能影響因素研究

摘要:散熱設計是芯片封裝設計中非常重要的一環,直接影響芯片運行時的溫度和可靠性。芯片內部封裝材料的尺寸參數和物理特性對芯片散熱有較大影響,可以用芯片熱阻或結溫的高低來衡量其散熱性能的好壞。通過
2023-04-14 09:23:221127

封裝設計中的熱性能考量

國際半導體設備與材料協會標準 SEMI G38-0996 和固態技術協會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示,其中T3是集成電路芯片處的溫度。作為衡量芯片熱性能
2023-05-16 11:02:51557

電源模塊設計與驗證之電熱協同分析

針對電熱協同電路仿真,以IGBT為例:功率管的導通和開關損耗, 每一次的開關過程,Rds的電阻都是一直變化的,從大到小或者從小到大,而且開關的過程DS之間是有電流的,功率損耗會使IGBT發熱,功耗
2023-05-29 17:11:58425

如何通過優化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰

在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰》,我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時,你不可避免地會降低功率。在那篇文章中,我們介紹了芯片縮小
2023-03-17 09:30:15441

如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰

們的思維從芯片轉移到模塊設計上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導致了熱阻抗的增加,進而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可
2023-03-17 09:31:22551

電源之LDO-3. LDO的熱性能

一、基本概念二、LDO的熱性能與什么有關? 三、 如何提高LDO的熱性能
2023-07-19 10:33:541361

高壓IGBT短路分析性能改進

場 終止 ( FS) 層 n 型注入劑量和集電區硼注入劑量對 IGBT 芯片內部熱點位置變化的影響進行了研 究。仿真結果表明,提高 FS 層 n 型注入劑量可將熱點由元胞溝道轉移到 FS /n- 結附近,有利于 IGBT 抗短路能力的提升; 通過對 FS 層和集電區注入劑量的優化,通態壓降在常溫和高溫
2023-08-08 10:14:470

壓接型IGBT芯片動態特性實驗平臺設計與實現

摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用,研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規模化 IGBT 并聯封裝設計具有
2023-08-08 09:58:280

華為具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝專利解析

從國家知識產權局官網獲悉,華為技術有限公司日前公開了一項名為“具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝”專利,申請公布號為CN116601748A。
2023-08-18 15:19:06528

電熱管和電熱盤哪個好?

電熱管和電熱盤哪個好? 電熱管和電熱盤是目前市場上應用較廣泛的兩種電加熱設備。不論是工業生產還是家庭使用,都可以看到它們的身影。但是,在眾多消費者面前,一個常見的問題是:電熱管和電熱盤哪個好?為了解
2023-09-26 16:17:082583

如何確定電熱管加熱介質的需求?

、穩定性、流動性以及適用溫度范圍等方面的考慮。希望通過本文的介紹,能為讀者解決相關問題提供一些參考意見。 1、熱導率的考慮: 熱導率是衡量一個材料導熱性能的重要參數,對于確定電熱管加熱介質需求至關重要。熱導率高的介
2023-09-26 11:58:26337

igbt芯片igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么?

igbt芯片igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281270

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