碳化硅(SiC)是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發展,目前國際上已經量產碳化硅(SiC)器件的廠商有ROHM、Infineon和Cree
2018-12-13 11:26:119157 碳化硅(SiC),通常被稱為金剛砂,是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在,但其出現相對罕見。然而,自從1893年以來,粉狀碳化硅就已大規模生產,用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史,主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02887 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
與硅相比,SiC有哪些優勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
據應急管理部消防救援局發布的數據顯示,全國每年約發生2000起電動車火災。其中80%的火災都是在夜間充電的過程中.而致人傷亡的案例中,90%發生在門廳過道以及樓梯間等場所。為減少電動車火災帶來的損失
2023-04-04 15:49:28
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料,因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應用前景,包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
,熱導率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都優于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應用領域,在5G/數據中心等空間受限和節能領域,低損耗是應用的推動力;在電動汽車領域,更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用,處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料,可以用來構建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關注,不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
精細化,集成化方向發展。 在新技術驅動下,汽車電子行業迎來新一輪技術革命,行業整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,車用電路板也會向上成長。車用電路板穩定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業者
2020-12-16 11:31:13
在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下,碳化硅的機械強度都很高。25℃下,SiC的彈性模量,拉伸強度為1.75公斤/平方厘米,抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
,能夠有效降低產品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導率大的特點,應用開關頻率可達到1MHz,在高頻應用中優勢明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
的2倍,所以S使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優點,在相同的功率等級下,設備中功率器件的數量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小,同時效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
)------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題:羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播時間:2018
2018-07-27 17:20:31
,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件,可以降低驅動器損耗,提高開關頻率,降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業主要進步發展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括:新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域,在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
近年來,因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動,碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度,更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實現變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
系統能做得越小巧,則電動車的電池續航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應用產品領域逐漸擴散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
和無源元件,使整體系統縮小50%以上,從而大大節省整體元件和制造成本。欲了解更多信息,請查閱安森美半導體最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列的新聞稿。
2018-10-29 08:51:19
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,可以顯著降低功率損耗并實現更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統的復雜性,從而降低了電源系統的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
的整體系統尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時降低功率損耗。創能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
,換向電感只能在DBC設計的限制范圍內得到改善。由此產生的換向電感約為 20nH,對于 6 組功率模塊,這允許在中低功率范圍內使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中,MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術:1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
的碳化硅功率器件。 而作為車載產品,且承擔的是充電這一功率變換部分,整車廠對于產品中元器件使用的要求,也相應提高。為了更好的滿足這樣的要求提升,車規級器件則成了首選。泰科天潤作為中國碳化硅(SiC
2023-02-27 14:35:13
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發現了,它的特點是:化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級,并能夠監控和保護各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC),俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不過,自 1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史,主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:4554 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32140 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產品性能和可靠性,保持慣有領先地位,更加適合電動汽車和高能效工業應用
2021-12-17 17:23:252461 碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統效率的潛力。在太陽能行業,碳化硅逆變器優化在成本節約方面也發揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。一開始,了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392345 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來,全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 碳化硅(SiC) 是第三代半導體,相較于前兩代半導體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求。
2023-01-16 10:22:08412 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 (SiC)技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術的需求繼續增長,這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率,同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實現碳化硅技
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅(SiC)是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片,這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420965 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強,在熱、化學、機械方面都非常穩定。
2023-02-08 13:42:083923 功率半導體碳化硅(SiC)技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術的需求繼續增長,這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:448 sic碳化硅電機 碳化硅(SiC)器件損耗小、耐高溫并能高頻運行,被公認為將推動新能源汽車領域產生重大技術變革。世界各工業強國和大型跨國公司紛紛投入了大量的人力物力,特斯拉等國外車企開發的SiC電機
2023-02-17 14:10:171499 2021年6月8日—推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊
2023-02-20 15:45:011 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 驅動、不間斷電源和電動車電路的效率和穩定性。拿慧制敏造半導體的碳化硅二極管來分析,碳化硅二極管在600V到1200V的電壓范圍內采用單二極管和雙二極管(封裝尺寸從DPAK到TO-247),包括陶瓷絕緣型TO-220,
2023-02-21 10:06:42898 SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為:KN3D06065F(650V碳化硅二極管,電流6A,貼片
2023-02-21 10:12:241680 什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結構,晶體制備,晶體生長,器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817 6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:22:28480 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08743 6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621 電動汽車(EV)電池系統從400V到800V的轉變使碳化硅(SiC)半導體在牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC/DC轉換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 來源:TechSugar 碳化硅器件正處于起飛之時。 編輯:感知芯視界 相對于硅材料,碳化硅具有諸多優勢,這也讓它在越來越多領域得到廣泛應用,并逐漸有取代之勢。 電動車和新能源推動碳化硅需求增
2023-08-14 12:27:01468 基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發指南-結構和規格
2023-11-27 16:15:55331 前段時間,奧迪宣布年底生產碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時Lucid也發布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423 碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 龍頭廠商 理想汽車 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。 隨著汽車行業電動化和綠色低碳轉型的持續深入,高壓純電動車因其能效更高、續航里
2023-12-22 08:20:01284 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379
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