砷化鎵芯片和硅芯片區(qū)別砷化鎵芯片的襯底是什么

　　砷化鎵具有更高的電子遷移率和飽和遷移速率，而且還有獨(dú)特的半絕緣性。除此之外，砷化鎵材料還具有耐熱、耐輻射及對磁場敏感等特性，使砷化鎵材料具有特殊用途和多樣性，應(yīng)用已延伸到硅、鍺器件所不能達(dá)到的領(lǐng)域。

　　砷化鎵芯片主要用于電子器件的制造，如晶體管、集成電路、光電器件、激光器件等。此外，它還可以用于電子元件的封裝、電路板的制作、電子設(shè)備的維修等。

　　砷化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

　　砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。

　　砷化鎵芯片和硅芯片的主要區(qū)別在于性能和成本。砷化鎵芯片具有更高的性能，但成本也更高，而硅芯片的性能較低，但成本也較低。此外，砷化鎵芯片的功耗更高，而硅芯片的功耗更低。

　　（1）硅、鍺屬于間接禁帶半導(dǎo)體，導(dǎo)帶底和價帶頂不在K空間同一點(diǎn)，形成半滿能帶不僅吸收能量（輻射光子，hv=Ec-Ev），還要改變動量（輻射聲子，動量ΔP=約化普朗克常數(shù)*k），做電子器件。

　　（2）GaAs為直接禁帶半導(dǎo)體，導(dǎo)帶能量最小值和價帶能量最大值處于k=0處，形成半滿能帶只需吸收能量（輻射光子），做光學(xué)器件。

　　補(bǔ)充：如果半導(dǎo)體內(nèi)摻入雜質(zhì)，引入復(fù)合中心能級，則輻射光子時會出現(xiàn)三條譜線hv1=Ec-Et，hv2=Et-Ev，hv3=Ec-Ev，發(fā)生譜線紅移。

　　據(jù)悉，硅之所以能當(dāng)之無愧地成為了現(xiàn)代計算機(jī)芯片的基礎(chǔ)，不僅僅是因為它是一種半導(dǎo)體材料，更是因為它是一種非常豐富的元素。在地殼上，硅是僅次于氧第二豐富的元素，但是你基本上無法在自然界找到硅單質(zhì)，因此它常以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在。

　　砷化鎵芯片的襯底是什么

　　砷化鎵襯底主要分為半絕緣GaAs襯底和半導(dǎo)體GaAs襯底，其中前者的晶片中，襯底與形成在頂部的外延晶體管器件絕緣，主要應(yīng)用于制作射頻電路器件。

　　我們看到外延就是在基板上從無到有一層一層長起來的，因此基板襯底的選擇和工藝處理十分重要。因為真正的器件有效工作層，厚度可能也就幾個微米到幾十微米。

　　襯底既是器件的支撐，也是外延層的生長籽晶，它對光電子器件的性能影響很大，選擇襯底我們需要有幾個基本的要求：

　　1）襯底晶面取向;

　　2）表面腐蝕坑密度;

　　3）雜質(zhì)類型和密度‘

　　4）襯底厚度和尺寸大小。

　　例如一個硅摻雜的N型砷化鎵基板：

　　Si-Dopant GaAs Wafer

　　Diameter ： 100．5±0．5mm（4”）

　　Thinkness ：625±25um（4”）