在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。
2022-06-29 11:30:50
5045 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 近年來，SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，這對電力電子行業的發展意義重大。據Yole預測，到2023年SiC功率器件市場規模預計將達14億美元，其主要的市場增長機會在汽車領域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產品開發。
2021-07-08 16:31:581605 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
擊穿場強、高飽和電子漂移速率、化學性能穩定以及抗輻射等優點， 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用寬禁帶半導體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達、電子對抗系統以及通信系統等
2019-08-12 06:59:10
。我們就SCS3系列的特點、應用范圍展望等，采訪了負責開發的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
與Si的比較開發背景SiC的優點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構成開關損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
本帖最后由 chenyuchenyucy 于 2018-11-16 12:45 編輯
功率驅動自舉元器件
2017-09-30 09:33:44
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯網）的發展做出貢獻
2019-04-12 05:03:38
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯網）的發展做出貢獻
2019-07-11 04:17:44
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯網）的發展做出貢獻
2019-07-15 04:20:14
實現了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產。另外，在傳統的硅半導體功率元器件領域，實現了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產品群。下面介紹這些產品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
。特別是對于負責進行通信管理的數據中心而言，其服務器的小型化和效率提升已經成為困擾各制造商的技術難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有助于實現電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46
半導體相比，損耗更低，高溫環境條件下工作特性優異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人們當然關注SiC之類的新材料，但是，目前占有極大市場份額和應用領域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
確實無法在21世紀單芯片化。羅姆積極致力于走在22世紀前端的一體化封裝電源的開發，敬請期待未來羅姆具有前瞻性的的產品陣容。 而在羅姆提出的四大發展戰略中，其中之一便是“強化以SiC為核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領域有三年多的學習和開發經驗，曾設計過基于半橋級聯型拓撲的儲能系統，通過電力電子裝置實現電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
%的小型化與4kg的輕量化，與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比，實現了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊，采用了ROHM獨有
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
全國電子設計比賽要到了，不知道要備些哪些芯片，不管賽題類型。大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2015-06-03 18:13:47
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
崛起。④SiC功率元器件的開發背景和優點SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。通過將SiC應用到功率元器件上，實現以往Si功率元器件無法
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
的一種最具有優勢的半導體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質因子。SiC功率器件的研發始于20世紀90年代.目前已成為新型功率半導體器件研究開發的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
之間電壓被多次轉換，每次轉換都會發生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不能完全達到零，但為了接近零，羅姆日以繼夜在進行反復的研究和開發。羅姆認為通過這些研發結果降低損耗、減少CO2排放，可以提高羅姆的企業存在價值。
2019-06-21 07:20:58
(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點如表1所示，其絕緣擊穿電場強度較高。只要利用這個性質，就可提高與Si元件相同結構時的耐壓性能。只要實現有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02
電壓、電流供應電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應電力”的范圍中，半導體也發揚著重要的作用，從“處置電力(功率)”的含義動身，其中心半導體部件被稱為功率元器件或功率半導體。 在功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 隨著降低環境負荷的要求日益提高，功率元器件市場在不斷增長。而且，為了進一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現行Si的動向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發展的功率元器件
2012-10-22 11:10:361024 引言SiC功率器件已經成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 
使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車的應用中具有極大優勢。據悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優異的物理和化學特性，能夠極大地提升現有能源的轉換效率。新能源汽車
2020-08-26 09:56:32653 ROHM于2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 前言 在Tech Web的“基礎知識”里新添加了關于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是
2022-12-01 18:08:391964 的功率器件企業、磁性元器件企業針對這些市場，開發出性能更優的產品滿足這些市場的需求。 今年10月，磁性元器件大廠威世(Vishay)公司推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT，可用來提高白色家電、醫療、通信應用以及工業的功率
2021-07-11 16:46:231167 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領域營收
2021-05-03 16:18:0010175 
的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經實現了量產。
2021-04-20 16:43:09
57 功率元器件——第4代SiC MOSFET。 羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品，目前不僅可供應裸芯片，還可供應分立封裝的產品。該產品有助于實現車載逆變器和各種開關電源
2022-03-19 11:12:212089 隨著電力電子變換系統對于效率和體積提出更高的要求，SiC（碳化硅）將會是越來越合適的半導體器件。尤其針對光伏逆變器和UPS應用，SiC器件是實現其高功率密度的一種非常有效的手段。本文主要介紹SiC技術優點、缺點及目前應用層面的一些瓶頸。
2022-05-09 15:50:175 了設計的復雜程度。SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環保型產品和系統。
2022-06-15 16:00:341368 碳化硅器件正在幾個大容量功率應用中取代其現有的硅對應物。隨著 SiC 市場份額的持續增長，該行業正在消除大規模商業化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件的成本、相對缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
介紹碳化硅功率二極管，包括碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）、碳化硅PiN二極管（PiN），碳化硅結/肖特基二極管（JBS），然后介紹碳化硅聚碳場效應管、DMOSFET和幾種MESFET，第三部分是關于碳化硅雙極器件，如BJT和IGBT。最后，討論了SiC功率器件開發過程中的挑戰，特別是其材料生長和封裝。
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
非隔離型柵極驅動器與功率元器件
2023-02-08 13:43:24355 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 根據市場分析機構 Yole 預測，在未來 5 年內，SiC 功率器件將很快占據整個功率器件市場的 30%，SiC 行業（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:161106 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54139 ”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協議。根據該合作協議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。 之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術開發合作伙伴關系”，并基于合作伙伴關系進行了密切的技術合作，開展了適用于電動汽車的
2023-06-21 08:10:02287 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 
范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
三菱電機將投資Coherent的新SiC業務； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發展SiC功率器件業務。 三菱電機集團近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達成協議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
smt元器件有哪些優點
2023-12-25 10:11:16271 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43107 
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