羅姆開發(fā)出了正向電壓僅為1.35V的SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS210AG/AM”，已從2012年6月開始樣品供貨。該產(chǎn)品與該公司的原產(chǎn)品相比，正向電壓降低了10％，“為業(yè)界最小”（該
2012-06-13 11:31:42
1253 本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時參考！
2022-07-06 18:10:021885 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
特性，能夠提高高溫環(huán)境下功率系統(tǒng)的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復(fù)二極管的動態(tài)特性:反向恢復(fù)時間短，反向恢復(fù)電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性進(jìn)行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區(qū)別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
，已實(shí)施了評估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗(yàn)相同的試驗(yàn)中，確保了充分的可靠性。另外，關(guān)于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
上升而増加，而SiC-SBD則能夠保持幾乎恒定的trr。此外，高溫工作時，開關(guān)損耗也幾乎沒有増加。另外，SiC-SBD的正向電壓VF為1V左右，與Si-FRD幾乎同等，但溫度系數(shù)則表現(xiàn)為與Si-FRD相反
2019-03-27 06:20:11
○SCS230KE2120030360TO-247○SCS240AE265040270TO-247 SCS240AE2HR65040270TO-247○SCS240KE2120040420TO-247 需要詳細(xì)搜索或比較時，請點(diǎn)擊這里。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBD
2018-12-04 10:09:17
vs IF）、以及正向電壓與抗浪涌電流特性（VF vs IFSM）比較圖。第2代SiC-SBD通過改善制造工藝，保持了與以往產(chǎn)品同等的漏電流和trr性能，同時將VF降低了約0.15V。因而改善了VF帶來
2018-11-30 11:51:17
的重大研究項(xiàng)目。此時，開關(guān)電源無法對應(yīng)高速的開關(guān)頻率也是課題之一。右上圖表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐壓的覆蓋范圍?？梢钥闯?b class="flag-6" style="color: red">SiC-SBD基本覆蓋了PND/FRD的耐壓范圍
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-04-22 06:20:22
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！ ?. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進(jìn)行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
如此。我想以二極管為例詳細(xì)進(jìn)行說明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動的機(jī)理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢壘二極管，因此金屬與n型半導(dǎo)體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
SBD耐壓均在200V以內(nèi)，更高電壓應(yīng)用往往選擇Si FRD，盡管FRD技術(shù)不斷發(fā)展，但仍然無法完全消除反向恢復(fù)的問題。SiC的SBD可以將耐壓提高到3.3kV，極大地擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍。
2
2023-10-07 10:12:26
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
的trr。SiC-SBD的trr通過與Si-FRD的比較介紹過Si-SBD具有優(yōu)異的trr特性，而且?guī)缀鯖]有溫度及電流依賴性。SiC-SBD的正向特性Si-SBD的正向特性與Si-PND不同。這取決于物理
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。當(dāng)前正在
2018-12-04 10:15:20
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊(duì)簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
封裝產(chǎn)品正在開發(fā)中）使用SiC SBD可顯著減少開通損耗，并大大降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低損耗SiC SBD作為IGBT續(xù)流二極管的IGBT產(chǎn)品。 與使用Si快速恢復(fù)
2022-07-27 10:27:04
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
，SiC-SBD的正向電壓VF為1V左右，與Si-FRD幾乎同等，但溫度系數(shù)則表現(xiàn)為與Si-FRD相反的“正相關(guān)”特性，隨溫度上升而増加。正向特性圖表的實(shí)線為25℃時的特性，虛線為125℃時的特性（以
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
的特點(diǎn)。第三代SiC-SBD的亮點(diǎn)在于，高溫時的正向電壓VF更低、抗浪涌電流性能IFSM更高、反向電流（漏電流）IR更低。請看右圖，第二代SiC-SBD通過制造工藝改進(jìn)，不僅保持與第一代同等的漏電流IR
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
肖特基勢壘二極管（SBD）是利用金屬與半導(dǎo)體的接合產(chǎn)生肖特基障壁的二極管。與普通PN結(jié)二極管相比，具有正向電壓（VF）更低，開關(guān)更快的特征。但是，有反向漏電流（IR）較大的缺點(diǎn)，其耐壓在200V以下，與其
2018-12-04 10:10:19
損傷，采用了低溫制造法，這樣SiC-SBD就實(shí)現(xiàn)了低噪聲化。并且，和傳統(tǒng)的Si-SBD相比，可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)工作?！局饕阅堋康烷_關(guān)損耗高頻工作受溫度影響較少的穩(wěn)定特性封裝 TO-247【應(yīng)用】高檔
2013-11-14 12:16:01
的選擇和比較進(jìn)行了分析。考慮了晶體管參數(shù)，如與時間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
-IGBT與SiC-SBD相結(jié)合以減少開關(guān)損耗，并提供半橋配置。為了保持兼容性，高速混合模塊使用與常規(guī)Si模塊相同的封裝，例如62mm標(biāo)準(zhǔn)封裝和EconoDual?3。以下各章描述了高速IGBT和SiC-SBD芯片的特性
2020-09-02 15:49:13
看出SiC-SBD基本覆蓋了Si-PND/FRD的耐壓范圍，因此可改善這個范圍的Si-PND/FRD的trr。SiC-SBD的trr通過與Si-FRD的比較介紹過Si-SBD具有優(yōu)異的trr特性，而且
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
合的時間會比普通的Silicon PN結(jié)二極管快很多，而且由于這種二極管只有一個單邊的空間電荷區(qū)，所以PN結(jié)電容也變小了，所以SBD一般都適合高頻應(yīng)用。另外，Silicon PN結(jié)的二極管正向導(dǎo)通電壓都是
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
提出了SiC-SBD 氣體傳感器器件分析模型，利用當(dāng)前流行的MATLAB 強(qiáng)大的計算編程功能，模擬了SiC-SBD氣體傳感器的電流-電壓特性，結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)吻合很好，較好地解釋了Pd-SiC 肖
2009-06-30 16:08:46
19 羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管（SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-18 10:03:211549 相較于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高開關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對雜散參數(shù)影響的敏感性，對其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。通過功率開關(guān)器件瞬態(tài)過程的時間
2018-02-01 14:01:343 前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 Si-FRD從正向切換到反向的瞬間會產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">正向通電時積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進(jìn)行電傳導(dǎo)直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。
2018-04-10 11:02:217703 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 受惠于電動車市場需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD(SiC-蕭特基二極管)、SiC-MOSFET、Hybrid-SiC module(IGBT+SBD)以及Full-SiC module。
2019-05-06 15:54:492596 受惠于電動車市場需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD（SiC-蕭特基二極管）、SiC
2019-05-22 17:29:121512 直到最近，功率模塊市場仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用，這就帶來了 SiC 基功率器件的應(yīng)運(yùn)而生。
2019-11-08 11:41:5317040 據(jù)了解，上海芯石在半導(dǎo)體功率器件芯片尤其是肖特基二極管芯片領(lǐng)域具有十幾年的技術(shù)儲備及行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，目前業(yè)務(wù)產(chǎn)品主要覆蓋兩大類別：Si 類（SBD、 FRED、MOSFET、IGBT、ESD 等功率芯片產(chǎn)品）、SiC 類：（SiC-SBD、 SiC-MOSFET）。
2021-02-01 16:40:192464 
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用，如消費(fèi)電子產(chǎn)品，以及可再生能源應(yīng)用，如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬?。本文提供了?3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細(xì)比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉(zhuǎn)換器。
2022-07-29 09:44:201209 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
2023-02-06 14:39:51645 
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27501 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07305 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－進(jìn)入主題之前請您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達(dá)1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗(yàn)證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
2023-03-22 10:56:52537 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
，該產(chǎn)品在650和1200伏的電壓下工作。Bourns?SiC SBD產(chǎn)品系列已經(jīng)擴(kuò)展到包括十個額外的型號，所有這些型號都是為了滿足最近的交通、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用對功率密度日益增長的需求而設(shè)計的。 在當(dāng)今的高頻和高電流應(yīng)用中，諸如峰值正向浪涌、低正向壓降、降低的熱阻和低功率損耗
2023-10-13 17:06:38866 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10423 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
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