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功率MOSFET結構以及工作原理

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工作原理 功率MOSFET主要由四層結構組成:柵極(Gate)、漏極(Drain)、源極(Source)和氧化層(Oxide)。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層,漏極與源極之間有一層導電溝道。當柵極施加正向電壓時,會在氧化層下方形成一個導電通道,使漏極和
2024-01-17 17:24:36295

IGBT器件的結構工作原理

IGBT器件的結構工作原理
2024-02-21 09:41:59288

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