現在，我們就隨著名的顯示科技公司DisplayMate董事長雷蒙德·索內拉博士（Dr. Raymond Soneira）來一起了解一下那最容易誤導你的14個屏幕參數。
2012-08-27 14:21:39
15039 本文提出了一種簡單快速的新方法來分離出分離柵極SuperFlash?單元中循環擦寫引起的退化分量，本方法基于隧穿電流穩定性在線性斜坡擦除電壓期間的作用。##本文提出了一種簡單快速的新方法來分離出分離
2015-07-23 14:10:303472 其用于檢測和解決由軟件錯誤導致的故障，當計數器達到設定的超時時間值時會產生系統復位。
2018-01-23 09:14:5511636 
本文介紹了一種多級圖騰柱PFC拓撲，該拓撲利用硅MOSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅動方法，實現了與使用寬帶隙半導體的傳統電路相比，通常具有相當的效率和更低的成本。
2022-10-19 17:44:071163 
MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MOS管的開與關。漏極D和源極S這兩個引腳，就相當于，開關電路的兩頭，一個腳連接電源，一個腳，連接電路的地。
2023-02-27 17:41:297362 
首先說一下電源IC直接驅動，下圖是我們最常用的直接驅動方式，在這類方式中，我們由于驅動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進的位置，從而達到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 
柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態。
2024-02-25 16:32:13952 
柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
關于mos管的驅動知識點不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
了一種獨特但簡單的柵極脈沖驅動電路，為快速開關HPA提供了另一種方法，同時消除了與漏極開關有關的電路。實測切換時間小于200 ns，相對于1 s的目標還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
柵極驅動和電流反饋信號隔離說明
2021-03-11 06:43:47
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
系統中各種功能電路之間的電氣分離，使得它們之間不存在直接導通路徑。這樣，不同電路可以擁有不同的地電位。利用電感、電容或光學方法，仍可讓信號和/或電源在隔離電路之間通過。對于采用柵極驅動器的系統，隔離
2021-07-09 07:00:00
負電壓柵極驅動器中的負電壓處理是指承受輸入和輸出端負電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開關轉換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅動器的負電壓承受能力對于穩健可靠的解決方案至關重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
方波控制，三相上橋mos柵極波形都是這樣。有沒有遇到過這種情況的。
2022-11-10 14:56:56
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅動時柵極很容易發生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
。 而當柵極開路的時候，這個電流只能給下方的Cgs電容充電，然后就會導致柵極電壓突然升高。當超過MOS管的門線電壓VTH的時候，MOS管就會很容易誤導通。 所以我們需要保護MOS管的柵極電壓來防止誤導
2023-03-15 16:55:58
嗎，為什么？2、導通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導通后柵極電流就變小，但為什么這個電流會變小呢？
2021-04-27 12:03:09
PCB表面OSP的處理方法PCB化學鎳金的基礎步驟
2021-04-21 06:12:39
來源：互聯網本期圍繞著PCB設計內容為主，主要是給大家總結了幾點關于失誤導致電路故障的原因，并給出了解決對策。本文以FR-4電介質、厚度0.0625in的雙層PCB為例，電路板底層接地。工作頻率介于315MHz到915MHz之間的不同頻段，Tx和Rx功率介于-120dBm至+13dBm之間。
2020-10-23 07:13:16
STM32片內FLASH燒寫錯誤導致ST-LINK燒錄不進程序怎么解決？
2022-01-27 06:44:41
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器時，某些特性至關重要。
2020-10-29 08:23:33
分享一下十幾年我一直使用的按鍵處理方法看見大家發了那么多按鍵的處理方法，我也發一個。
2013-12-04 15:21:07
上一篇文章對全SiC模塊柵極驅動的評估事項之一“柵極誤導通”進行了介紹。本文將作為“其2”介紹柵極誤導通的處理方法。“柵極誤導通”的抑制方法柵極誤導通的對策方法有三種。①是通過將Vgs降至負電
2018-11-27 16:41:26
在功率MOSFET的數據表的開關特性中，列出了柵極電荷的參數，包括以下幾個參數，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
在設計電機驅動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統中提供安全隔離
2022-11-10 06:40:24
"低邊誤導通"或 "dv/dt 引起的導通", 是同步降壓轉換器中一種常見的潛在危險。 本設計注釋深入探討如何防止這種情況的發生。
2018-08-27 13:51:13
和下橋臂驅動器需要高度匹配的時序特性，以實現精確高效開關操作。這減少了半橋關斷和開通之間的死區時間。實現隔離式半橋柵極驅動功能的典型方法是使用光耦合器進行隔離，后跟高壓柵極驅動器IC，如圖1所示。該電路
2018-10-16 16:00:23
與專用柵極驅動器進行特性對比。在電路構成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅動器時，作為柵極誤導通對策，增加微法級的CGS，對VGS施加-5V作為負偏壓（搭載第二代
2018-11-27 16:36:43
總線延遲產生的原因是什么？延遲錯誤導致會什么結果？如何檢測傳輸延遲？消除延時誤差的方法有哪些？
2021-05-14 06:08:39
分享一下十幾年我一直使用的按鍵處理方法看見大家發了那么多按鍵的處理方法，我也發一個。
2013-12-04 15:20:05
防止由米勒電容引起的故障的另一種方法包括在IGBT的柵極發射極之間進行短路。配置電路以從外部組件安全地鉗位柵極是復雜的并且需要額外的PWB空間。 TLP5214具有內部功能，稱為有源米勒鉗位功能，可
2020-05-11 09:00:09
在labview中 波形處理都有哪些方法？謝謝！！！
2013-12-10 14:58:14
各位工程師大家好，初入電子領域，目前在研究高頻驅動電路，在高頻柵極驅動芯片的選型上遇到了難題，目前有沒有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅動的柵極驅動芯片或者有沒有推薦的搜索網站，希望各位大佬指點一下
2023-02-21 11:10:50
【不懂就問】看到TI的一個三相逆變器設計資料中，關于有源米勒鉗位的設計這是一段原話“開關IGBT過程中，位移電流流經IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導通原因是，當逆變器的上管導
2017-12-21 09:01:45
若遇到有人發內容與主題不符，誤導別人購買，花的積分要如何追回？
2017-08-04 10:31:54
`如圖所示，在上電瞬間Q1（PMOS）為什么偶爾會出現誤導通情況，誤導通后就不受IO5控制了，請問各位前輩如何能解決這個誤導通問題，謝謝。`
2021-05-13 20:20:37
不同的地電位。利用電感、電容或光學方法，仍可讓信號和/或電源在隔離電路之間通過。對于采用柵極驅動器的系統，隔離對功能的執行可能是必要的，并且也可能是安全要求。圖6中，VBUS可能有幾百伏，在給定時間可能有
2018-10-25 10:22:56
：隔離是指系統中各種功能電路之間的電氣分離，使得它們之間不存在直接導通路徑。這樣，不同電路可以擁有不同的地電位。利用電感、電容或光學方法，仍可讓信號和/或電源在隔離電路之間通過。對于采用柵極驅動器的系統
2018-11-01 11:35:35
：高速公路布局。中心：VSW布局。右：CSW 布局 區段布局實驗 外環柵極如何影響非對稱器件的電流可控性和柵極金屬化魯棒性的不確定性導致了對此類器件中柵極金屬化的阻抗特性的廣泛仿真（仿真方法在［2］中
2023-02-24 15:37:38
小功率電子管電性能測試方法對陰極具有負電位的柵極電流的測試方法 GB 3306.3-82
本標準適用于陽極耗散功率不大于25W的電子管。并規定了以下的測試方法：直
2010-04-26 14:31:30
44
共柵極電路圖
2009-05-06 16:15:174398 
三端光控晶閘管抗誤導通電路圖
2009-06-06 09:37:48495 
FET柵極的驅動方法電路圖
2009-08-15 17:31:21719 
一般水處理方法及原理
常用的水處理方法有：(一)沉淀物過濾法、(二)硬水軟化法、(三)活性炭吸附法、(四)去離子法、(五)逆滲透法、(六)超過濾法、(七)
2009-11-19 10:40:252517 柵極/浮置柵,柵極/浮置柵是什么意思
多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細絲網或螺旋線的形狀，有控制板極電流的強度﹑改變電子管的
2010-03-04 16:14:532013 IGBT的柵極出現過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.
2011-01-29 19:18:352679 
昨天，蘋果再次就與深圳唯冠（微博）之間的iPad商標權糾紛發布聲明稱，唯冠蓄意誤導法院和公眾，并試圖從商標權案中獲取超額利益。深圳唯冠代理律師則回應稱其“維權行為”沒有
2012-03-14 08:46:29672 了關鍵的柵極驅動器參數。涉及的主題包括負電壓處理、延遲匹配、寬VDD和工作溫度范圍等。這篇博文將更全面地解釋這些主題。
2017-04-26 15:18:383420 
由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實現了對IGBT開通時柵極電流的調控，IGBT開通時di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
蘋果CEO蒂姆·庫克（Tim Cook）此前在專訪中稱，高通和蘋果之間近期沒有展開任何和解談判。而高通周二表示，這是“誤導”的說法。
2019-01-10 10:42:58818 當驅動中/高功率MOSFET和IGBT時，一旦功率器件上的電壓變化速率較高，就會存在密勒效應導通風險。電流通過柵極-漏極電容或柵極-集電極電容注入到功率器件的柵極。如果電流注入足夠大，使柵極電壓高于器件的閾值電壓，則可以觀察到寄生導通效應，從而導致效率降低，甚至出現器件故障。
2019-04-10 10:38:414735 
的值，但柵極對漏電容實際上更重要，也更難處理，因為它是受電壓函數影響的非線性電容；柵極對源電容也受電壓函數影響，但影響程度要小得多。
2020-03-09 08:00:0024 )時MOSFET才開始導通。這就要求柵極驅動的柵極電流足夠大，能夠瞬時充滿MOSFET柵極電容。因此，柵極驅動就是起到驅動開關電源導通與關閉的作用。 柵極驅動器工作狀態 柵極驅動器工作輸出電壓使開關管導迢并運行于開關狀態下。這種通過高壓穩壓器自給供電的方法就是第節所介
2022-11-16 17:50:18987 深度神經網絡是一種使用數學模型處理圖像以及其他數據的多層系統，而且目前已經發展為人工智能的重要基石。 深度神經網絡得出的結果看似復雜，但同樣有可能受到誤導。而這樣的誤導輕則致使其將一種動物錯誤識別
2020-11-25 14:39:561189 據外媒報道，意大利反壟斷機構今天宣布，對蘋果公司處以1000萬歐元（約合7890萬元）的罰款，原因是蘋果在iPhone促銷中存在誤導性的商業行為。
2020-11-30 16:07:291425 FET柵極驅動器和電源的支持組件集成在柵極驅動器中，從而縮減了串聯柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無源下拉電阻器和電源等組件的物料清單(BOM)和組裝成本。
2021-01-13 14:06:282800 關于高壓柵極驅動器自舉電路設計方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476 介紹了柵極電阻的作用。
2021-06-21 15:08:2826 介紹3種跨時鐘域處理的方法，這3種方法可以說是FPGA界最常用也最實用的方法，這三種方法包含了單bit和多bit數據的跨時鐘域處理，學會這3招之后，對于FPGA相關的跨時鐘域數據處理便可以手到擒來。 本文介紹的3種方法跨時鐘域處理方法如下：
2021-09-18 11:33:4921439 
STM32片內FLASH燒寫錯誤導致ST-li
2021-12-02 18:06:077 根據實際測量的柵極電流計算柵極漏電流是一項挑戰。柵極電容器的充電和放電瞬態過程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴，這使得計算過程更加復雜。上述挑戰的解決方案是引入一種用于測量柵極電荷的原位方法。
2022-08-03 09:34:412202 
本文的關鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅動IC沒有驅動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
如果特定功率器件需要正極和負柵極驅動，電路設計人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅動器。使用這個簡單的技巧使單極性柵極驅動器提供雙極性電壓！
2023-02-16 11:04:58518 
晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制其直接控制柵極，如 圖 8 所示。 直接柵極驅動最艱巨的任務是優化電路布局 。如 圖 8 中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅動和接
2023-02-23 15:59:0017 的接地參考示例中，柵極驅動在 -VCL和 VDRV-VCL電平之間，而不是驅動
器的初始輸出電壓電平 0V和 VDRV 之間。
電壓 VCL由二極管鉗斷網絡決定，在耦合電容器上形成。此技術的優點是能夠以簡單的方法在開關關斷時和關斷狀態下為柵極提供負偏置，從而
2023-02-23 15:31:242 1.PWM直接驅動驅動主開關晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅動輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅動和接地環路跡線
2023-02-24 10:45:172 這里會針對下述條件與電路結構，使用緩沖電容器與專用柵極驅動器進行特性對比。在電路構成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅動器時，作為柵極誤導通對策，增加微法級的CGS，對VGS施加-5V作為負偏壓（搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊）。
2023-02-27 13:38:59221 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 上一篇文章已經講過了單bit跨時鐘域的處理方法，這次解說一下多bit的跨時鐘域方法。
2023-05-25 15:07:19584 
當前柵極模型量子處理器的性能調查 演講ppt分享
2023-07-17 16:34:150 igbt的柵極驅動條件 igbt的柵極驅動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關器件，常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區分？漏極 源極 柵極相當于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結構，它由兩個PN
2023-11-21 16:00:457831 橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時
2023-12-05 16:35:57129 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 之一，它對FET的工作狀態和性能有著直接影響。本文將詳細介紹場效應晶體管柵極電流的概念、計算方法以及其在不同工作狀況下的特點和影響。 一、場效應晶體管柵極電流的概念 場效應晶體管的結構由源極、漏極和柵極組成。當FET處于工作狀態時，柵極電流即為通過柵極電極
2023-12-08 10:27:08655 光耦3083是一種常用的光耦合器件，通常用于用于將輸入信號轉換為光信號并隔離輸出信號的電氣器件。然而，光耦3083在操作中存在誤導通問題，這可能是由于以下幾個原因造成的： 設計問題：光耦3083
2024-01-15 09:21:55220
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