一道問題

如上圖所示，小明問：該電路，在A-B點間測量電阻，阻值應(yīng)該是多少？

具體電路如上圖所示，你覺得應(yīng)該是都是？最好能說出你的理由。

第一回合：眾說紛紜

起初，小明拋出問題后，群里討論的很熱鬧，眾說紛紜。有說一兩百的，有說幾百的，也有說510+Rdson，當然也有質(zhì)疑通電不應(yīng)該測電阻的……

當然，我也給出了“自以為的正確”答案：

①首先，明確題目所給條件不夠充分，沒有明確該MOS管的Vth。不確定柵極分壓后的2.5V，是否大于開啟電壓Vth；

②其次，按照常規(guī)應(yīng)用的思路，漏極不應(yīng)該懸空，應(yīng)該接有電壓。這個電壓會影響MOS管所處的工作區(qū)。

其實，按常理說我提的第二條也沒毛病。漏極電壓確實會影響MOS管的工作狀態(tài)。不清楚的同學可以翻看上一篇文章《MOS管的米勒效應(yīng)(4)--文末彩蛋，求錘》中的“MOS管３種工作狀態(tài)”小節(jié)。

但是，注意題目設(shè)定就是這樣。人家就是要漏極懸空，就是這么任性！

第二回合：意見聚攏

通過第一回合的討論，小明同學覺得有必要釋放一些關(guān)鍵信息。如下圖，給出MOS管的Vth參數(shù)典型值為1.2V，即柵極2.5V的分壓是足夠的。

在排除了Vgs

這就像我們的生活，沒有那么多的應(yīng)該和不應(yīng)該，沒有那么多的如果和假如，有的只是現(xiàn)實。我們所能做的就是接受現(xiàn)實，并努力去改變，去提升！

這道題的題目設(shè)定就是懸空，那就需要按照懸空來考慮。而不是說，應(yīng)該給漏極加電源。這里，我和其他同學一樣，進入了誤區(qū)，而且還不自知！

第三回合：揭曉謎底

小明見我們討論的方向要跑偏，把這個問題換一種問法：漏極（A端）不加電壓，MOS管導(dǎo)通不了？

自以為正確的我，此刻還在反問。小明此時給出了答案，A端懸空，MOS管可以導(dǎo)通。

此刻，我恍然大悟！這不就是在《Rdson對應(yīng)MOS管的哪個工作區(qū)？》（點擊文章標題可直接訪問）文章中討論的拋開漏源電壓Vds，研究柵源電壓Vgs對導(dǎo)電溝道寬度的控制作用么？

在這個過程中，在Vgs驅(qū)動下，反型層已形成，導(dǎo)電溝道已存在。Vgs加大，導(dǎo)電溝道寬度增加；Vgs減小，溝道寬度就減小。柵源電壓Vgs對導(dǎo)電溝通到寬度有控制作用。而這個導(dǎo)電溝道就表現(xiàn)為一個電阻特性：Vgs變化，電阻變化；Vgs不變，電阻不變。

所以，這道題的正確答案應(yīng)該是510+Rdson(Ω)。

仿真數(shù)據(jù)

上面的討論，如果你覺得到此就結(jié)束，那你可能不太了解硬件微講堂的調(diào)性，咱們給出的結(jié)論必須要有數(shù)據(jù)支撐，所以仿真走一波！

如上圖，先搭建個電路。R3(510Ω)左側(cè)懸空，柵極由一個5V的電壓源做(10k/10k)分壓。A-B兩端掛一個歐姆表ZM1。

仿真電路搭建好后，開始仿真。在“T&M”--選擇“萬用表”--選擇“Ohm”檔，在Input會自動跳出來ZM1+和ZM1-。可是，結(jié)果怎么是“600.61kohm”？

哪里出問題了？

經(jīng)過分析，原來是我選擇的MOS管的Vth超過了2.5V。經(jīng)過一番搜索，在器件庫里沒有找到Vth低于2.5V的MOS管，于是就把柵極掛的電壓從5V調(diào)整為8V。

再次進行仿真，歐姆表讀數(shù)為510.28Ohm，符合理論分析。

審核編輯：劉清