最近分析了Mosfet的寄生參數，其中Eoss是一個非常重要的參數。

1、Eoss參數的重要性

對于硬開關變換電路來說，MOSFET開通之前，Coss需要釋放能量，這部分能量就構成一部分導通損耗。

對于軟開關變換電路來說，MOSFET開通之前，電流可以為零，也可以流過反向二極管續流。實現了軟開關減小了導通損耗。

因此，Eoss在于硬開關電路里面是非常重要的。對于軟開關電路來說，Eoss并不會太影響效率。

2、Eoss參數的來源

2.1 Coss的來源

Coss為MOSFET的寄生電容，Coss = Cgd + Cds，

對于MOSFET來說，當Vds是變化的時候，Coss也是變化的。下圖為英飛凌IPW60R099C7的結電容與Vds電壓的關系。

由此可見，Vds電壓越大，結電容越小。

2.2 Qoss的來源

上節描述了Coss的來源，Coss上的電荷就是Qoss。由于Coss的非線性，導致Qoss為：

以圖形表示為：

2.3 Eoss的推導

Coss放電產生的損耗和容值、頻率成正比，和電壓的平方成正比。

在功率MOSFET的數據表中，Coss對應產生的功耗就是Eoss。

Eoss為參數Coss儲存的能量，

但是，由于Coss不是一個常量。因此，不能用Qoss與Vds的函數曲線，對Qoss進行積分。

2.4 Eoss 的獲取方式

2.4.1 數據手冊直接獲取

對于低壓MOSFET，Vds很小，導致Eoss值很小。可能數據手冊里面忽略不計了。

對于中壓MOSFET，Vds也是中壓，一般數據手冊里面給了Eoss與Vds的函數曲線。

下圖為IPW60R099C7的Eoss與Vds的函數關系。

2.4.2 微分法計算：

Vds電壓從0開始，使用小的電壓增幅間隔，在不同的電壓下可以得到相應的電容值。當電壓從Vds(n)增加到Vds(n+1)時，增加的Qoss可以由下式計算：

Vds電壓，需要從0以很小的步長慢慢增加到最大值。一點一點地擬合出2.4.1的圖形，這個還是交給器件廠商來做吧。