美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:012494 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:281650 與600V IGBT3一樣,新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術和場截止的概念(如圖1 所示),但與600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大約15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導體器件經(jīng)過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標。由于在高功率
2023-03-16 14:50:59771 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:321787 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“GT20N135SRA”,這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。
2019-12-23 16:34:261433 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關速度和更低的開關損耗,特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 中國上海, 2023 年 3 月 9 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT---
2023-03-13 09:56:12662 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點,一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
中國上海,2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
IGBT 650V 30A TO247
2023-03-29 15:19:11
無錫新潔能股份有限公司產(chǎn)品表QQ289 271 5427 N NCE65T900I TO-251 650 5 46 30 3.5 750 900 ProductionN NCE65
2019-07-22 12:56:37
的RGTH00TS65。理由如下: RGTH00TS65的集電極-發(fā)射極電壓為650V,在25℃時的集電極輸出電流可達85A,100℃時為50A,由于汽車電機經(jīng)常高速旋轉,為了降低成本,低速電動汽車一般使用風冷法降溫
2019-04-12 05:40:10
N120 、SCT50N120 (Vbr=1200v(SCT*N120),Vbr=650v(SCT*N65G2/G2V)).高溫時功率損耗低.高溫工作性能(200C).無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電(SCT*N65G2V)了解更多信息,請關注英特洲電子,QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
IKW20N60H3IKW30N60H3 IKW50N60H3 IGW75N60TIKW40N65H5..............MAGNACHIP美格納產(chǎn)品:MDP13N50TH
2018-11-01 14:36:06
羅姆(ROHM)是半導體和電子零部件領域的著名生產(chǎn)商,其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)——RGS60TS65DHR、RGS80TS65
2019-04-09 06:20:10
;TSD5N60MTruesemi 其它相關產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經(jīng)過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù):應用:高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
電子設備和工業(yè)設備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)。<內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
由分立元件構成的IGBT驅動電路
2019-11-07 01:22:18
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路,可承受650V電壓,有助于實現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ,原裝正品,優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
我用的是IKW75N65E25型號的IGBT,耐壓650V,在實現(xiàn)軟開關時,開關電壓上升時有十分明顯的震蕩,分析過電路沒有發(fā)現(xiàn)什么問題,用仿真軟件仿真過能得到結果,但是實物實驗時就會出現(xiàn)圖中的問題。求助!!!
2017-01-12 11:00:12
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
650 V CoolSiC?混合分立器件,該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關 IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管,能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關拓撲
2021-03-29 11:00:47
分立元件構成的IGBT驅動電路
2019-09-24 09:13:35
650V IGBT4,旨在提供更大的設計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關斷軟度,并且由于關斷電流變化率di/dt的降低,帶來了更低的關斷電壓尖峰。該器件專門設計用于中高電流應用。相對于
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
LND12N65 n溝道650V 12A功率mosfet管特征 ■ 低RDS(on) ■ 低柵極電荷( (typ. Qg = 41.9 nC
2021-11-22 10:44:13
SVF4N65F 場效應管特點■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關速度快■ 提升了dv/dt能力驪微電子供應
2022-03-30 15:29:34
svf7n65f場效應管7a 650v mos管特點■ 7A,650V,RDs(on)(典型值)=1.1Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關速度快■ 提升了dv/dt能力驪
2022-03-30 15:41:09
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供應igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關電源SGTP75V65SDS1P7 ,具有較低的導通損耗和開關損耗,SGTP75V65SDS1P7可應用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等領域,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導通電阻和低容性開關損耗)與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設計,尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18863 東芝公司旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26731 2014年10月21日,北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日,德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)發(fā)布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 意法半導體推出新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()FGA30N65SMD相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FGA30N65SMD的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)GA30N65SMD真值表,F(xiàn)GA30N65SMD管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 23:11:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()FGA30T65SHD相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FGA30T65SHD的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)GA30T65SHD真值表,F(xiàn)GA30T65SHD管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 23:10:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()FGH30T65UPDT相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FGH30T65UPDT的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)GH30T65UPDT真值表,F(xiàn)GH30T65UPDT管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 18:49:09
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 近日,東芝新推出了一款額定值為1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,擴充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器,例如IH電磁爐、IH
2021-08-16 16:33:162467 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝
2022-03-18 17:35:264582 具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA,其有助于家電產(chǎn)品能耗進一步降低。
2022-04-19 09:41:312034 如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65
2022-04-26 14:11:291093 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關型)”共21種機型,該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關特性,并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25724 編輯-Z Infineon/英飛凌AIGW50N65H5車規(guī)級IGBT參數(shù): 型號:AIGW50N65H5 脈沖集電極電流(ICpuls):150A 功耗(Ptot):270W 工作結溫度(Tvj
2023-02-24 15:19:350 GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導體器件經(jīng)過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09653 RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-03-29 18:45:330 RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-05-15 19:08:280 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術的EiceDRIVERIGBT驅動器,產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關應用感應
2022-03-01 09:32:40559 RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-07-11 19:09:560 RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-11 20:19:440 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 )—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品(均為650V)中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184 SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 驪微電子供應SVF4N65F/M/MJ/D650vmos管n溝道大電流4a提供-svf4n65f詳細參數(shù)、典型電路、規(guī)格書等,是士蘭微MOS代理商,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2022-03-30 15:33:431 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:507 供應無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結mos管,適用于硬/軟開關拓撲,照明,適配器等領域,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:07:350 供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061 驪微電子供應士蘭微高壓MOS管SVF65R950CD 9A,650V N溝道增強型場效應管,廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動,是士蘭微mos代理商,提供產(chǎn)品詳細參數(shù)及樣品申請。>>
2022-11-02 16:24:493 供應STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù),提供SGT30T60SDM1P7關鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:59:562 供應場效應管10N65L-ML UTC10A 650V,提供10n65技術參數(shù)關鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-09 15:27:391 在分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 IGBT 作為一種功率半導體器件,廣泛應用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188 近日,國內(nèi)半導體功率器件領軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業(yè)界認知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19564
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