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淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

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高速PCB損耗性能的影響分析

性能的影響強弱,探討了如何降低高速PCB的插入損耗,可為高速PCB的選材和加工工藝設計提供參考。 關鍵詞:高速電路板;高速材料;加工工藝;插入損耗;信號完整性 0引言 隨著高速互聯鏈路信號傳輸速率的不斷提高,作為器件和信號傳輸的
2021-11-23 16:39:008973

東芝低尖峰型MOSFET降低EMI的好幫手TPHR7404PU

TPHR7404PU 做電源設計的工程師朋友都知道,MOSFET由于其快速開關,導通電壓低等特性,在電源設計中應用的非常廣泛。但是使用MOSFET時易出現的尖峰電壓會增加EMI(電磁干擾
2021-11-26 15:08:032422

高壓MOSFET的原理與性能的詳細分析

在功率半導體器件中,MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換,特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域,MOSFET沒有競 爭對手,但隨著MOS的耐壓提高,導通電阻隨之
2022-03-11 11:20:173004

降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法

在功率半導體器件中,MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換,特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域,MOSFET沒有競 爭對手,但隨著MOS的耐壓提高,導通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332873

SiC MOSFET應用中的EMI改善方案分析

寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關速度會導致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設備的設計裕量,并且較長的振鈴時間會引入EMI
2022-08-29 15:20:381010

干貨 | 如何降低晶體管和變壓器損耗提高開關電源效率?

干貨 | 如何降低晶體管和變壓器損耗提高開關電源效率?
2023-01-05 09:51:42388

淺談降低電機損耗的關鍵制造技術

降低定子銅耗的措施,主要包括減小定子電阻、縮短繞組端部長度;減薄絕緣,提高槽滿率、增加導線截面積、采用新材料降低電磁線的電阻率等;
2023-01-15 14:34:24968

R課堂 | 使用新一代SiC MOSFET降低損耗實證 —前言—

關鍵要點 ? SiC MOSFET因其在降低功率轉換損耗方面的出色表現而備受關注。 ? 以DC-DC轉換器和EV應用為例,介紹使用新一代(第4代)SiC MOSFET所帶來的優勢–降低損耗
2023-02-15 23:45:05343

學技術 | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗

的傳導和開關損耗,本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設計原則,以得到最佳性能。一,如何減少傳導損耗:碳化硅MOSFET比超結MOSFET要求更高的G級電壓
2022-11-30 15:28:282648

DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確保可靠運行

電子發燒友網站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確保可靠運行.pdf》資料免費下載
2023-07-25 16:07:110

性能提升,功耗降低!,這樣的MOSFET是你的最愛么?

性能提升,功耗降低!,這樣的MOSFET是你的最愛么?
2023-12-04 15:09:36114

使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗

使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333

變壓器有哪些損耗?如何降低變壓器的損耗

變壓器有哪些損耗?如何降低變壓器的損耗? 變壓器中存在幾種主要的損耗,包括銅損、鐵損和額外損耗。下面將詳細介紹這些損耗,并提出一些有效降低變壓器損耗的方法。 一、銅損 銅損是由于變壓器的線圈電阻
2023-11-23 15:04:281377

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