二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優點，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:26
1315 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02887 
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC碳化硅MOS驅動的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統設計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅動，更需認真關注
2022-03-24 18:03:24
的平行引導，整個封裝的換向電感為15nH。 這使得 SEMITRANS 3 非常適合使用中等開關速度和高達 25 kHz 頻率的中功率和高功率碳化硅設計。全碳化硅半橋拓撲結構的額定電流為 350A
2023-02-20 16:29:54
的正向損耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。 (3)碳化硅有高的熱導率
2019-01-11 13:42:03
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
了。 固有優勢加上最新進展 碳化硅的固有優勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近，UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場強度、高電流密度、快速開關速度、低導通電阻和抗輻射性能等獨特特點，在電子器件領域有著
2022-02-17 14:36:16
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
92%的開關損耗，還能讓設備的冷卻機構進一步簡化，設備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導體LED照明領域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導率大的特點，應用開關頻率可達到1MHz，在高頻應用中優勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件所能達到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場強是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
效率方面，相較于硅晶體管在單極(Unipolar)操作下無法支持高電壓，碳化硅即便是在高電壓條件下，一樣可以支持單極操作，因此其功率損失、轉換效率等指針性能的表現，也顯著優于硅組件。目前大功率電力設備
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統的復雜性，從而降低了電源系統的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優勢組合，高頻開關減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
通時由電容驅動的柵極 - 源極電壓，其源于半橋配置中第二個碳化硅MOSFET的高dv/dt開關。 硅MOSFET設計中在此類問題一般可以通過柵極驅動器和硅MOSFET柵極之間插入一個高阻值電阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
一體的高科技企業，產品研發骨干來自北京清華大學和韓國延世大學，掌握碳化硅功率器件的核心技術。再加上薩科微總經理宋仕強先生深耕華強北多年，深度了解華強北的商業模式，薩科微slkor的多年積累，為現階段快速
2023-02-21 09:24:40
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
范圍-5V~-15V，客戶根據需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優先穩定正電壓，保證開通穩定。 2）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32140 Agarwal 的播客中，我們將發現 SiC 的好處和應用。 討論的文章： 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420965 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:448 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發
電、光伏發電等新能源領域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移
2023-02-16 15:28:254 sic碳化硅電機 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運行，被公認為將推動新能源汽車領域產生重大技術變革。世界各工業強國和大型跨國公司紛紛投入了大量的人力物力，特斯拉等國外車企開發的SiC電機
2023-02-17 14:10:171499 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二極管的動態特性是標準硅二極管的四倍，而正向電壓（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二極管的使用大大提高了太陽能逆變器、電機
2023-02-21 10:06:42898 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.5總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-07 16:12:08568 
7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
隨著科技的快速發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360 小米自研小米800V碳化硅高壓平臺：871V
2023-12-28 14:19:11272 
隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力，將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125
電子發燒友App
工商網監
評論