根據上一篇對CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態分為以下4個區域，以NMOS為例：

(1)截止區：

當VGS

(2)線性區：

當VGS>Vth, 且0

此時器件工作在線性區，有時也稱為三極管區，式中un為導電溝道中電子的遷移率。 Cox為單位面積的柵氧化層電容，tox為氧化層的厚度。 W和L分別為晶體管導電溝道的寬和長，VGS-Vth稱為過驅動電壓。

(3)飽和區：

當VGS>Vth, 且VDS>VGS-Vth時，溝道電流ID為

隨著VDS增大，當VGS-Vth=VDS時，漏極的反型層逐漸消失，出現預夾斷。 當VDS繼續增大，這夾斷點向源端移動，最終形成由耗盡層構成的夾斷區，MOS管進入飽和區工作。 此時溝道兩端的電壓保持VDS-Vth，而VDS的增加部分降落到夾斷耗盡區內，ID幾乎不變，達到最大。

(4)擊穿區

NMOS 管的漏極—襯底PN結由于VD過高被擊穿。

需要注意的是，對于PMOS器件來說，線性區和飽和區的漏極電流公式需要加負號，VGS，VDS和VGS-Vth都是負的。 由于空穴的遷移率是電子的一半，所以PMOS具有較低的“電流驅動”能力。 換句話說，在工程應用中，只要有可能，我們應該更加傾向于采用NFETs而不是PFETs。

NMOS管I/V特性曲線

這是NMOS管的I/V特性曲線，我們不難看出，

當VGS < Vth時，導電溝道未形成，故處于截止區。

當VGS >Vth, 且0 < VDS < VGS-Vth時，器件工作在線性區（三極管區）。

當VGS >Vth, 且VDS > VGS-Vth時，溝道電流ID基本不隨VDS的變化而變化。此時器件工作在飽和區。可以看到器件工作在飽和區時，漏極電流最大。

當VGS持續增大時，器件被擊穿。

MOSFET的跨導

跨導這個概念是怎么來的呢? 引入這個概念有什么意義呢?

由于在處理信號的過程中，我們要考慮電壓與電流的變化。 因此我們把這個參數定義為漏電流的變化量除以柵極電壓的變化量。 我們稱之為跨導(通常定義在飽和區)，用gm表示。 跨到的單位是西門子(S)。

gm代表了器件的靈敏度，對于一個大的gm來講，VGS的微小的變化將會導致漏電流產生很大的變化。

結合在飽和區的漏電流的表達公式，gm也可以表示成這樣的表達式。 以上的每一個表達式，在研究gm隨某一個參數變化，其他參數保持恒定(控制變量)的特性都是有用的。

下期介紹MOS器件的二級效應。