沉積。離子注入使用等離子體源制造晶圓摻雜所需的離子，并提供電子中和晶圓表面上的正電荷。物理氣相沉積(PVD)利用離子轟擊金屬靶表面，使金屬濺鍍沉積于晶圓表面。遙控等離子體系統廣泛應用于清潔機臺的反應室、薄膜去除及薄膜沉積工藝中。
2022-11-15 09:57:31
2626 旋轉圓盤與旋轉輪類似，不同之處在于旋轉圓盤不是擺動整個圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉圓盤系統。
2023-06-06 10:43:441185 
阱區注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區內，而P型晶體管形成于N型阱區。
2023-06-09 11:31:083889 
半導體芯片由許多比指甲蓋還小、比紙還薄的微觀層(layer)組成。半導體堆疊得又高又實，形成類似于高層建筑的復雜結構。
2023-07-04 09:25:261331 
統的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復雜且設備昂貴，但它可獨立控制摻雜元素的濃度和結深，雖然也會給襯底引入大量的點缺陷和擴展缺陷。
2023-12-22 09:41:21704 
離子注入工藝資料~還不錯哦~
2012-08-01 10:58:59
離子注入是將離子源產生的離子經加速后高速射向材料表面，當離子進入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進內部，并在其射程前后和側面激發出一個尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續下去，大約在10-11s內，材料中將建立一個有數百個間隙原子和空位的區域。
2019-10-30 09:10:53
于，它使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區的正面做成MOS結構，然后用研磨減薄工藝從背面減薄到 IGBT 電壓規格需要的厚度，再從背面用離子注入工藝形成P+ collector。在截止時電場
2021-05-26 10:19:23
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
的工藝流程的示意圖。我們可以從圖中看到，在凸起的表面會生成保護層5，并通過保護層5對未被凸起部覆蓋的JFET層進行離子注入，進而能得到體區域6。 源極區域的P+區域9與N+區域8相鄰，在注入N型離子時，可以
2020-07-07 11:42:42
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監控手段
2021-04-01 23:50:33
`超經典復旦大學微電子工藝教案包含：離子注入、晶體生長、實驗室凈化與硅片清洗、 光刻、氧化、工藝集成、未來趨勢與挑戰等。錯過便不再擁有研究生畢業繼續送資料——超經典復旦大學微電子工藝教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
請問各位大俠，離子注入時有遇到做V-CURVE時，出現倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優美;梁毅;【來源】：《濟南大學學報(自然科學版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術摻雜制作光電集成器件時,離子注入半導體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
鋰離子電池特點鋰離子電池的發展歷史鋰離子電池類型鋰離子電池 的主要組成部分鋰離子電池的制作工藝石墨烯在鋰離子電池電極材料的應用
2021-03-01 11:32:24
前工序圖形轉換技術：主要包括光刻、刻蝕等技術薄膜制備技術：主要包括外延、氧化、化學氣相淀積、物理氣相淀積(如濺射、蒸發) 等摻雜技術：主要包括擴散和離子注入等技術 后工序劃片封裝測試老化篩選 :
2018-11-26 16:16:13
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結構進行了測量，得到氮離
2009-02-28 09:38:29
25 M5525100－1/UM型大角度離子注入機:M5525100－1/UM 型大角度離子注入機可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區的大角度暈、袋、柵閾值調整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212 離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發展和廣泛應用的一種材料表面改性高新技術。
2011-05-22 12:13:574275 
本文詳細介紹離子注入技術的特點及性能，以及離子注入技術的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294861 
簡述了離子注入技術的發展趨勢及典型應用，并簡要分析了該領域的技術發展方向。
2011-05-22 12:10:3110636 
詳細介紹離子注入技術的工作原理和離子注入系統原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742 
離子注入的特點,與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點。
2011-05-22 12:27:084337 離子注入設備和方法:最簡單的離子注入機（圖2）應包括一個產生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
離子注入是現代集成電路制造中的一種非常重要的技術,其利用離子注入機實現半導體的摻雜,即將特定的雜質原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導體晶體內改變其導電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083 半導體工藝中應用的離子注入是將高能量的雜質離子導入到半導體晶體，以改變半導體，尤其是表面層的電學性質． 注入一般在50-500kev能量下進行 離子注入的優點 注入雜質不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統介紹了金屬表面改性用離子注入的機理和特點。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對改性層效果的影響，綜述了該技術在提高強度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束的性質 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點是加工溫度低，易做淺結，大面積注入雜質仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。由于采用了離子注入技術，大大地推動了半導體器件和集成電路工業的發展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在調情 發表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發燒友網 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統輻射生物學的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實驗中, 真空室真空度及其穩定性影響著生物樣品的存活狀態; 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據直升機傳動系統干運轉能力的要求,用銷盤試驗機測定了Mo離子注入量及潤滑條件對齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數和磨損量的影響I結果表明FMo離子注入對摩擦因數影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發燒友為大家整理的離子注入技術專題有離子注入技術基本知識、離子注入技術論文及離子注入技術培訓學習資料。離子注入技術就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
半導體硅工藝學是一部半導體材料技術叢書，重點闡述了半導體硅晶體us恒章、外延、雜質擴散和離子注入等工藝技術
2011-12-15 15:17:38117 本文詳細介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 近日，中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成，標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成，具備SiC產品的生產條件，下個月產線將正式啟動試流片。
2018-01-15 09:50:096732 近日有消息顯示，萬業企業（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室，目前正在根據集成電路芯片客戶工藝要求，進行離子注入晶圓驗證。
2019-12-31 10:04:085297 力傳感器橋式放大器圖1所示的電路為一個橋式放大器。圖中的SFG-15N1A為Honeywell公司生產的硅壓阻式力傳感器，它是利用微細加工工藝技術在一小塊硅片上加工成硅膜片，并在膜片上用離子注入工藝
2020-06-03 17:19:372546 
近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊，公司研發的12英寸中束流離子注入機順利發往某集成電路大產線，這臺由客戶直接采購的設備如期交付，標志著公司國產離子注入機市場化進程再上新臺階。
2020-06-23 10:20:284019 據業內人士透露，中國知名電子企業中國電子科技集團有限公司近日取得重大技術突破，其自主研發的高能離子注入機已成功實現百萬電子伏特高能離子加速，其性能達國際主流先進水平。
2020-06-28 11:36:023688 離子注入機是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個朋友提到的日本日新的離子注入設備。日本日新是全球3大離子注入設備商之一。 1973年的時候，該公司就開始做離子注入的工藝設備。 目前的主要業務設備如上表。詳細的可以
2020-11-20 10:03:276458 離子注入作為半導體常用的摻雜手段，具有熱擴散摻雜技術無法比擬的優勢。列表對比 摻雜原子被動打進到基板的晶體內部，但是它是被硬塞進去的，不是一個熱平衡下的過程，雜質一般也不出在晶格點陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208 
目前，離子注入機行業主要由美國廠商壟斷，應用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）合計占據全球 85%-90%的市場，存在較高競爭壁壘，也是解決芯片國產化設備卡脖子的關鍵環節。
2020-12-04 10:21:293635 四十五所作為國內最大的濕化學設備供應商之一，其設備涵蓋了半導體制造幾乎所有的濕化學制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側腐、電鍍等。
2021-02-01 11:16:355172 
結合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層，晶片鍵合技術是將高質量薄膜轉移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統地總結和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術在電子、光學器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領域的應用。依次介紹了基于智能剝離技術
2021-12-21 16:33:292476 
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝，同時保持低缺陷水平和至少相當于記錄工藝的高產量性能。灰化步驟的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時間，釋放
2022-03-01 14:39:431351 
本文章介紹了我們華林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質腐蝕性最小化。半導體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
與通過傳統熱擴散工藝進行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優點。
2022-10-31 09:06:015608 通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結合在一起的，最常見的就是離子注入后的熱退火。離子注入會撞擊襯底原子，使其脫離原本的晶格結構，而對襯底晶格造成損傷。
2022-11-02 10:03:5215056 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 功率半導體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進行芯片封裝，對加工完畢的芯片進行技術性能指標測試，其中主要生產工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴散工藝等。
2023-02-07 09:59:201025 
功率半導體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進行芯片封裝，對加工完畢的芯片進行技術性能指標測試，其中主要生產工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴散工藝等。
2023-02-24 15:34:133185 第九步退火，離子注入后也會產生一些晶格缺陷，退火是將離子注入后的半導體放在一定溫度下進行加熱，使得注入的粒子擴散，恢復晶體結構，修復缺陷，激活所需要的電學特性。
2023-04-28 09:32:542021 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271074 
半導體材料最重要的特性之一是導電率可以通過摻雜物控制。集成電路制造過程中，半導體材料（如硅、錯或1E-V族化合物砷化鎵）不是通過N型摻雜物就是利用P型摻雜物進行摻雜。
2023-05-04 11:12:512175 
離子注入過程提供了比擴散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結深在擴散過程中無法獨立控制，因為濃度和結深都與擴散的溫度和時間有關。離子注入可以獨立控制摻雜濃度和結深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數量的雜質，以改變其電學性能的方法。它是一個物理過程，不發生化學反應。
2023-05-12 16:00:084597 
高電流的硅或錯離子注入將嚴重破壞單晶體的晶格結構，并在晶圓表面附近產生非晶態層。
2023-05-19 09:22:131960 
高溫爐廣泛用于進行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。
2023-05-22 09:56:592495 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應系統被裝配在注入機內。為了通過離子源產生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統，然而一個射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:171358 
集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
2023-05-30 10:47:121132 
當質譜儀選擇了所需的離子后，離子將進入后段加速區域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區內，離子束電流利用可調整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
在DRAM生產中，離子注入技術被應用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。
2023-06-19 09:59:27317 
6.1.4半絕緣區域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長
2021-12-31 14:13:05466 對于許多仍在使用旋轉輪的離子注入設備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個高速導彈與建筑物的墻壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605 離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-06-30 16:41:19412 來源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據中國電子科技集團有限公司（以下簡稱“中國電科”）官方消息，該集團旗下中電科電子裝備集團有限公司（以下簡稱“電科裝備”）已實現國產離子注入機28納米
2023-07-03 09:16:46651 半導體同時具有“導體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質添加到純硅中，使其具有導電性能。我們可以根據實際需要使半導體導電或絕緣。 重復光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:572170 
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-07-03 15:05:55593 
摻雜物的種類、結深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機的質譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時間的乘積決定。四點探針是離子注入監測中最常使用的測量工具，可以測量
2023-07-07 09:51:172240 
在常規離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
在晶硅太陽能電池的生產過程中，離子注入是一項非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉換率，實現在應用中的精益有效。「美能光伏」作為一家具有眾多檢測電池和組件性能設備的光伏企業，擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:56376 
半導體的這些參數的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進行了詳細的研究。因此，還對硅和化合物半導體的起泡過程進行了比較。這項比較研究在技術上是相關的，因為離子注入誘導的層分裂與直接晶片鍵合相結合，
2023-09-04 17:09:31317 
本文從離子注入工藝的溫度控制出發，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響，并結合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:002367 
想要使半導體導電，必須向純凈半導體中引入雜質，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
離子注入是一種重要的半導體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學性質。離子注入仿真是對離子的注入過程進行建模和模擬，以幫助優化工藝參數并預測材料性能的變化。以下將詳細介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257 半導體改變電阻率的方式有三種，原位摻雜、擴散和離子注入，這三種方式分別過程如何，有何區別呢？
2024-01-05 18:21:111112 
隧道效應，又稱溝道效應，對晶圓進行離子注入時，當注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時，其運動軌跡將不再是無規則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運動并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 
作為中國電力投資集團核技術應用產業的重點項目，核力創芯始創于2021年3月，負責研發并建立我國首條功率芯片質子輻照生產線。該公司致力于通過質子輻照技術為IGBT、FRD二極管等功率芯片實現氫離子注入工藝，從而大幅提升其效能。
2024-01-17 13:58:43301 據悉，核級10B酸在核能、核電及核醫療等領域有廣泛應用，且是半導體制造中的關鍵原料之一，11BF3氣體則在離子注入工藝中，以及作為硼摻雜劑的應用中起著至關重要的作用。此外，11BF3還能應用于顯示屏和光纖預制件的制作。
2024-01-18 10:59:02388 對器件設計工程師來講，離子注入的濃度往往是需要關心的參數，什么樣的濃度對應什么樣的方阻，器件仿真參數輸入的是濃度，通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關系。
2024-01-26 13:37:02581 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關中，離子注入均有應用。
2024-02-23 10:47:13181 
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