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功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/strong>
（1）：等效電路
（2）：說明：
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）
（1）：等效電路（門極不加控制）
（2）：說明：
即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）
（1）：等效電路（門極加控制）
（2）：說明：
功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)ǎ部捎靡浑娮璧刃В撾娮枧c溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。
功率MOSFET的正向截止等效電路
（1）：等效電路
（2）：說明：
功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
（1）：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線
（2）：說明：
功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時的穩(wěn)態(tài)工作點：
當門極不加控制時，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點同二極管。
（3）：穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)：
-- 門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài)；當Vgs
-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的；只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的；
-- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題；
-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小；
-- 器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常小（目前最小的為2-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件；
包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路
（1）：等效電路
（2）：說明：
實際的功率MOSFET 可用三個結(jié)電容，三個溝道電阻，和一個內(nèi)部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。
功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理
（1）：開通和關(guān)斷過程實驗電路
（2）：MOSFET 的電壓和電流波形：
（3）：開關(guān)過程原理：
開通過程[ t0 ~ t4 ]：
在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通；
[t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電；
[t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大；
[t2-t3]區(qū)間，至t2 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動電壓對Millier 電容進行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小；
[t3-t4]區(qū)間，至t3 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅(qū)動電壓充電，GS 電容的電壓上升，至t4 時刻為止。此時GS 電容電壓已達穩(wěn)態(tài)，DS 電壓也達最小，即穩(wěn)定的通態(tài)壓降。
關(guān)斷過程[ t5 ~t9 ?]：
在 t5 前，MOSFET 工作于導(dǎo)通狀態(tài)， t5 時，MOSFET 被驅(qū)動關(guān)斷；
[t5-t6]區(qū)間，MOSFET 的Cgs 電壓經(jīng)驅(qū)動電路電阻放電而下降，在t6 時刻，MOSFET 的通態(tài)電阻微微上升，DS 電壓梢稍增加，但DS 電流不變；
[t6-t7]區(qū)間，在t6 時刻，MOSFET 的Millier 電容又變得很大，故GS 電容的電壓不變，放電電流流過Millier 電容，使DS 電壓繼續(xù)增加；
[t7-t8]區(qū)間，至t7 時刻，MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容迅速減小，GS 電容開始繼續(xù)放電，此時DS 電容上的電壓迅速上升，DS 電流則迅速下降；
[t8-t9]區(qū)間，至t8 時刻，GS 電容已放電至Vth，MOSFET 完全關(guān)斷；該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。
因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET開關(guān)波形
（1）：實驗電路
（2）：因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET 開關(guān)波形：
功率MOSFET的功率損耗公式
（1）：導(dǎo)通損耗：
該公式對控制整流和同步整流均適用
該公式在體二極管導(dǎo)通時適用
（2）：容性開通和感性關(guān)斷損耗：
為MOSFET 器件與二極管回路中的所有分布電感只和。一般也可將這個損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。
（3）：開關(guān)損耗：
開通損耗：
考慮二極管反向恢復(fù)后：
關(guān)斷損耗：
驅(qū)動損耗：
功率MOSFET的選擇原則與步驟
（1）：選擇原則
（A）：根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件（見下表）：
（B）：選擇時，如工作電流較大，則在相同的器件額定參數(shù)下，
-- 應(yīng)盡可能選擇正向?qū)娮栊〉?MOSFET；
-- 應(yīng)盡可能選擇結(jié)電容小的 MOSFET。
（2）：選擇步驟
（A）：根據(jù)電源規(guī)格，計算所選變換器中MOSFET 的穩(wěn)態(tài)參數(shù)：
正向阻斷電壓最大值；
最大的正向電流有效值；
（B）：從器件商的DATASHEET 中選擇合適的MOSFET，可多選一些以便實驗時比較；
（C）：從所選的MOSFET 的其它參數(shù)，如正向通態(tài)電阻，結(jié)電容等等，估算其工作時的最大損耗，與其它元器件的損耗一起，估算變換器的效率；
（D）：由實驗選擇最終的MOSFET 器件。
理想開關(guān)的基本要求
（1）：符號
（2）：要求
（A）：穩(wěn)態(tài)要求：
合上 K 后
開關(guān)兩端的電壓為零；
開關(guān)中的電流有外部電路決定；
開關(guān)電流的方向可正可負；
開關(guān)電流的容量無限。
斷開 K 后
開關(guān)兩端承受的電壓可正可負；
開關(guān)中的電流為零；
開關(guān)兩端的電壓有外部電路決定；
開關(guān)兩端承受的電壓容量無限。
（B）：動態(tài)要求：
K 的開通
控制開通的信號功率為零；
開通過程的時間為零。
K 的關(guān)斷
控制關(guān)斷的信號功率為零；
關(guān)斷過程的時間為零。
（3）：波形
其中：H：控制高電平；L：控制低電平
Ion 可正可負，其值有外部電路定；
Voff 可正可負，其值有外部電路定。
用電子開關(guān)實現(xiàn)理想開關(guān)的限制
（1）：電子開關(guān)的電壓和電流方向有限制：
（2）：電子開關(guān)的穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性有限制：
導(dǎo)通時有電壓降；（正向壓降，通態(tài)電阻等）
截止時有漏電流；
最大的通態(tài)電流有限制；
最大的阻斷電壓有限制；
控制信號有功率要求，等等。
（3）：電子開關(guān)的動態(tài)開關(guān)特性有限制：
開通有一個過程，其長短與控制信號及器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)；
關(guān)斷有一個過程，其長短與控制信號及器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)；
最高開關(guān)頻率有限制。
目前作為開關(guān)的電子器件非常多。在開關(guān)電源中，用得最多的是二極管、MOSFET、IGBT 等，以及它們的組合。
電子開關(guān)的四種結(jié)構(gòu)
（1）：單象限開關(guān)
（2）：電流雙向（雙象限）開關(guān)
（3）：電壓雙向（雙象限）開關(guān)
（4）：四單象限開關(guān)
開關(guān)器件的分類
（1）：按制作材料分類：
（Si）功率器件；
（Ga）功率器件；
（GaAs）功率器件；
（SiC）功率器件；
（GaN）功率器件；--- 下一代
（Diamond）功率器件；--- 再下一代
（2）：按是否可控分類：
完全不控器件：如二極管器件；
可控制開通，但不能控制關(guān)斷：如普通可控硅器件；
全控開關(guān)器件
電壓型控制器件：如MOSFET，IGBT，IGT/COMFET ，SIT 等；
電流型控制期間：如GTR，GTO 等
（3）：按工作頻率分類：
低頻功率器件：如可控硅，普通二極管等；
中頻功率器件：如GTR，IGBT，IGT/COMFET；
高頻功率器件：如MOSFET，快恢復(fù)二極管，蕭特基二極管，SIT 等
（4）：按額定可實現(xiàn)的最大容量分類：
小功率器件：如MOSFET
中功率器件：如IGBT
大功率器件：如GTO
（5）：按導(dǎo)電載波的粒子分類：
多子器件：如MOSFET，蕭特基，SIT,JFET 等
少子器件：如IGBT，GTR，GTO，快恢復(fù)，等
不同開關(guān)器件的比較
（1）：幾種可關(guān)斷器件的功率處理能力比較
（2）：幾種可關(guān)斷器件的工作特性比較
上面的數(shù)據(jù)會隨器件的發(fā)展而不斷變化，僅供參考。
審核編輯：湯梓紅
工商網(wǎng)監(jiān)
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