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近年來碳化硅材料應用于電子設備技術有了長足的發展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優點，這主要歸功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移動速度和更寬的能帶間隙，且碳化硅材料導熱能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數及反向恢復時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進一步的提升。
PFC電路
基本半導體碳化硅功率器件憑借其優良的性能，常用于大功率元器件中，其碳化硅的寬禁帶 (3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高，運行速度更快，并且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D06065KS的重復（非重復）峰值反向電壓為650V，工作結溫范圍是-55℃-175℃，完全滿足PFC的電路環境。
在大功率PFC電路中，二極管可能需要并聯使用以擴大容量，器件的電流均勻分配問題需要考慮，二極管的前向電壓和導通電阻的特性是關鍵。B1D06065KS所特有的正溫度系數的特性能保證器件并聯時的均流要求。
假設由于某些原因，兩個二極管出現電流不均勻的狀態，其中一個二極管分配的電流較大，則它的導通電阻、正向壓降就相應的增大，阻礙電流的進一步增大，從而促進電流的再一次分配最后達到電流平衡狀態。
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS提供內絕緣TO-220封裝封裝，是在內部集成一個陶瓷片用于絕緣和導熱，該工藝可以簡化生產步驟，提高生產質量和整機的長期可靠性，可有效解決產業界痛點的絕緣和導熱問題。內絕緣 TO-220 封裝外形跟普通鐵封TO-220產品基本一致，但其背面散熱器不再是二極管的陰極，屬于懸浮電位，具有優越的性能和極高的工作效率。?
審核編輯：劉清
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應用有哪些？
- MOSFET(209665)
- PFC(104485)
- 肖特基二極管(34330)
- 碳化硅(47293)
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C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E分立碳化硅肖特基二極管
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A分立碳化硅肖特基二極管
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A分立碳化硅肖特基二極管
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H分立碳化硅肖特基二極管
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E分立碳化硅肖特基二極管
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D分立碳化硅肖特基二極管
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A分立碳化硅肖特基二極管
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H分立碳化硅肖特基二極管
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D分立碳化硅肖特基二極管
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A分立碳化硅肖特基二極管
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A分立碳化硅肖特基二極管
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D分立碳化硅肖特基二極管
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H分立碳化硅肖特基二極管
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D分立碳化硅肖特基二極管
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A分立碳化硅肖特基二極管
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G分立碳化硅肖特基二極管
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H分立碳化硅肖特基二極管
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D分立碳化硅肖特基二極管
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H分立碳化硅肖特基二極管
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D分立碳化硅肖特基二極管
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:46:36
CPW3-0600-S002B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW3-0600-S002B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 11:50:51
CPW3-0600-S003B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW3-0600-S003B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 16:59:38
CPW3-0600-S004B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW3-0600-S004B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:04:50
CPW2-0600-S006B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW2-0600-S006B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:13:08
CPW2-0600-S008B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW2-0600-S008B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:20:01
CPW2-0600-S010B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW2-0600-S010B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:26:29
CPW2-0650-S008B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW2-0650-S008B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有
2022-06-07 17:37:39
CPW2-0650-S012B裸片碳化硅肖特基二極管
CPW2-0650-S012B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有
2022-06-07 18:08:01
碳化硅肖特基二極管的優點及應用
碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結勢壘肖特基二極管結構（JBS），因此相比于傳統的硅快恢復二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。可以有效降低反向漏電
2020-11-17 15:55:05
6028
6028SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢壘二極管常用規格介紹
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680
1680
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應用
能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數及反向恢復時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384
384
碳化硅肖特基二極管的原理及應用
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34802
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國芯思辰｜基本半導體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應用于PFC電路
替換為碳化硅肖特基二極管，可以減小損耗，減小了對周圍電路的電磁干擾，提高電源的可靠性，滿足嚴格的電源能效認證要求。 一般來說，我們都希望在單相PFC
2022-07-25 13:47:17
工商網監
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