晶體管的輸出特性曲線中有四個(gè)區(qū):飽和區(qū),線性區(qū),截止區(qū)和雪崩區(qū).晶體管在前三個(gè)區(qū)的工作狀態(tài)在許多電路中
2010-11-13 17:16:38
1463 
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽可簡化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 本文探討了在SiC MOSFET應(yīng)用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件。
2020-08-10 17:11:001712 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請結(jié)合
2020-12-21 14:25:457583 
MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解
2022-12-09 09:12:371868 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:58955 
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24502 
本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53343 
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
2024-02-25 15:48:081123 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2024-02-25 16:16:35487 
` 本帖最后由 qw715615362 于 2012-9-12 11:35 編輯
是你深刻理解MOSFET的特性及各種參數(shù)`
2012-09-12 11:32:13
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
本身的溫度（功耗、熱阻、Tc）。ZthJC同時(shí)也考慮了Cth無功功率帶來的溫度影響。這個(gè)參數(shù)通常用來計(jì)算由瞬態(tài)功耗帶來的溫度累加。5. 典型輸出特性MOSFET的典型輸出特性描繪了漏極電流Id在常溫下
2018-07-12 11:34:11
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其
2018-09-05 15:37:26
最后，我們來到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體
2018-09-05 09:59:06
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數(shù)是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
MOSFET的失效機(jī)理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過MOSFET規(guī)格書中的絕對最大
2022-07-26 18:06:41
溫度依賴性。下面是實(shí)測例。下一篇計(jì)劃介紹ID-VGS特性。關(guān)鍵要點(diǎn):?MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)提供導(dǎo)通延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間。?開關(guān)特性受測量條件和測量電路的影響較大，因此一般確認(rèn)提供條件。?開關(guān)特性幾乎不受溫度變化的影響。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個(gè)MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時(shí)的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
和這些開關(guān)特性參數(shù)有關(guān)。QG影響驅(qū)動損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅(qū)動IC中。QG越大，驅(qū)動損耗越大。基于RDSON選取了功率MOSFET的型號后，這些開關(guān)特性參數(shù)都可以
2017-11-15 08:14:38
` 誰來闡述一下mosfet選型什么參數(shù)優(yōu)先考慮？`
2019-10-29 16:30:15
最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓
2020-07-23 07:23:18
第一部分 最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際
2019-08-20 07:00:00
OceanBase具有哪些特性參數(shù)？
2021-09-26 07:00:51
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
;  MOSFET的規(guī)格書中，通常會給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí)，需要根據(jù)電路
2010-08-10 11:46:47
MOSFET開時(shí)米勒平臺的形成過程的詳細(xì)解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
本文先對mos失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致
2018-08-15 17:06:21
第一部分 最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際
2019-11-15 07:00:00
的MOSFET以滿足特定應(yīng)用的性能需求對客戶是最重要的。每個(gè)功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含相同的關(guān)鍵部分和器件參數(shù)，以便為客戶提供詳細(xì)信息，關(guān)于最大工作臨界值、典型性能特性，和用于線路板布局的封裝信息。這些部分
2018-10-18 09:13:03
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時(shí)、開通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評估功率MOSFET的開關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復(fù)雪崩電流IAR和重復(fù)雪崩能量EAR，同時(shí)標(biāo)注了測量條件，通常有起始溫度25C，最高結(jié)溫150C或者175C，以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率，這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
特性參數(shù)有關(guān)。QG影響驅(qū)動損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅(qū)動IC中。QG越大，驅(qū)動損耗越大。基于RDSON選取了功率MOSFET的型號后，這些開關(guān)特性參數(shù)都可以在數(shù)據(jù)表中
2019-04-04 06:30:00
幾種呼吸燈的電路呼吸特性和時(shí)間參數(shù)
2021-02-25 06:39:29
是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流？
設(shè)計(jì)類似于 TLE9853 評估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負(fù)載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
揭秘tvs管的特性及應(yīng)用參數(shù) 一、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過TVS管
2018-11-19 15:23:22
無刷電機(jī)有哪些參數(shù)？無刷電機(jī)的特性是什么？
2021-06-26 07:25:55
了事實(shí)，從那時(shí)起，數(shù)據(jù)表中就有了SOAR 特性。 標(biāo)準(zhǔn)功率 MOSFET 的測試結(jié)果證明它們會遭受二次擊穿。破壞的危險(xiǎn)隨著dv/dt的增加而增加。 這種防雪崩性是SiMOSFET最重要的優(yōu)點(diǎn)之一，迄今為止
2023-02-20 16:40:52
` 1、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。 在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過TVS管的電流，由原來的反向
2018-11-02 11:45:43
一、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過TVS管的電流，由原來的反向漏電流ID上升
2018-11-06 10:29:47
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被證明是一個(gè)非常有用的參數(shù)。雖然不建議在
2022-11-18 06:39:27
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其
2015-11-19 15:46:13
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
圖取自NXP / Nexperia發(fā)布的本應(yīng)用筆記。結(jié)論本文回顧了在器件選擇中起著重要作用的低頻MOSFET特性。在下一篇文章中，我們將研究動態(tài)參數(shù)，由于它經(jīng)常使用FET代替線性控制器作為開關(guān)模式控制器（例如，在開關(guān)穩(wěn)壓器，LED調(diào)光器，音頻放大器中使用），因此動態(tài)參數(shù)在當(dāng)今尤為重要。
2019-10-25 09:40:30
`·隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
硅雪崩二極管光子輻射特性的實(shí)驗(yàn)研究
摘 要 利用計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)測量的方法,對工作在擊穿狀態(tài)下的硅雪崩光電二極管(APD)光子輻射的暫態(tài)特性以及計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)特
2009-11-11 16:59:22
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功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:385513 
雪崩二極管,雪崩二極管是什么意思
雪崩二極管
PN結(jié)有單向?qū)щ娦裕螂娮栊。聪螂娮韬艽蟆?
2010-02-27 11:34:374634 雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。這樣，通過空
2010-02-27 11:49:253288 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:135531 
下文主要介紹 mosfet 的主要參數(shù)，通過此參數(shù)來理解設(shè)計(jì)時(shí)候的考量 一、場效應(yīng)管的參數(shù)很多，一般 datasheet 都包含如下關(guān)鍵參數(shù)： 1 極限參數(shù)： ID ：最大漏源電流。是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。 場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID
2011-03-15 15:20:4089 主要介紹 mosfet 的主要參數(shù)，通過此參數(shù)來理解設(shè)計(jì)時(shí)候的考量
2011-04-07 16:47:42159 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有
2011-09-02 10:49:142039 
2014-12-13 14:40:4514 功率MOS場效應(yīng)晶體管技術(shù)講座_功率MOSFET特性參數(shù)的理解。
2016-03-24 17:59:0847 本文詳細(xì)的對MOSFET的每個(gè)特性參數(shù)進(jìn)行分析
2018-03-01 09:14:544661 
理解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的雪崩能量等級
2018-08-16 01:54:003493 UTC 4N60是一個(gè)高電壓MOSFET ，并設(shè)計(jì)成有更好的特性，如快速開關(guān)時(shí)間，低門電荷，低通態(tài)電阻，并具有高耐用雪崩的特點(diǎn)。這個(gè)功率MOSFET通常用在高速開關(guān)電源中的應(yīng)用， PWM馬達(dá)控制，高高效率的DC -DC轉(zhuǎn)換器和電橋電路。
2019-05-14 15:08:209308 本文首先介紹了雪崩光電二極管的概念和主要特性然后簡單分析了工作原理最后介紹雪崩光電二極管的應(yīng)用和結(jié)構(gòu)。
2019-08-01 10:10:1011814 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是如何理解功率MOSFET規(guī)格書之雪崩特性和體二極管參數(shù)的詳細(xì)資料說明。
2020-03-07 08:00:0019 電路應(yīng)用需求來選擇功率器件。在選擇器件的時(shí)候，除去封裝形式的要求外，主要用來衡量器件特性的就是器件的電參數(shù)。本文將著重介紹功率VDMOSFET器件常用的靜態(tài)及動態(tài)電參數(shù)的測試定義，條件制定和規(guī)范，以及如何通過這些電特性參數(shù)值去了解器件的
2020-03-07 08:00:0021 早在80年代中期，功率MOSFET制造商就開始宣稱一個(gè)新的突出特點(diǎn)：雪崩的堅(jiān)固性。突然間，新的設(shè)備家族進(jìn)化了，所有這些都有了“新”的特性。實(shí)現(xiàn)起來相當(dāng)簡單：垂直MOSFET結(jié)構(gòu)有一個(gè)不可消除的整體
2020-06-08 08:00:005 本文將探討如何在雪崩工作條件下評估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯(cuò)誤，就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。
2020-08-09 10:33:001724 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供圖文分析MOSFET的每個(gè)特性參數(shù)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:47:4518 本文對MOSFET用圖片進(jìn)行了最詳細(xì)的講解，希望對讀者你學(xué)習(xí)MOSFET時(shí)有幫助。
2021-04-26 10:38:104225 
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其
2021-11-24 11:22:314299 
解析三元材料電池特性
2022-01-11 18:17:4528 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 雪崩電流IAS和IAR :下圖ID峰值 單次雪崩能量EAS：一次性雪崩期間所能承受的能量， 以Tch<=150℃ 為極限 重復(fù)雪崩能量EAR：所能承受以一定頻率反復(fù)出現(xiàn)的雪崩能量， 以Tch<=150℃ 為極限
2022-05-09 11:18:401 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 MOSFET特性參數(shù)說明
2022-08-22 09:54:471705 看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
2022-11-03 08:04:454 該功率MOSFET采用SAMWIN的先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)。該技術(shù)使得功率MOSFET具有更好的特性，包括快速開關(guān)時(shí)間、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷，尤其是優(yōu)異的雪崩特性。
2022-11-24 16:59:012 前篇對MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:422 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩
2023-02-13 09:30:071298 
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個(gè)因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:36581 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對于感性負(fù)載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451135 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性，會出現(xiàn)與結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09836 
MOSFET數(shù)據(jù)手冊常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
2023-06-19 09:53:14759 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53295 
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47426 
什么是雪崩擊穿？單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同？雪崩擊穿失效機(jī)理是什么？ 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中，由于過電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿，進(jìn)而引發(fā)設(shè)備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中，絕緣是保證設(shè)備正常運(yùn)行
2023-11-24 14:15:36820 何謂PN結(jié)的擊穿特性？雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)？ PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過一定的值時(shí)，PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象，電流迅速增大，導(dǎo)致結(jié)電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:271224 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩 擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
2023-12-11 14:34:33415 
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）
2024-01-26 09:30:42222
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