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電子發燒友網>模擬技術>如何用單PMOS設計分立式負載開關?

如何用單PMOS設計分立式負載開關?

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介紹一種使用分立式CoolSiC?MOSFET所獲得的測試結果

。另一方面,柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET,從而簡化柵極驅動電路。
2022-07-23 10:22:001381

基于IGBT的分立式三相逆變器的TIDA 00472設計

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2022-09-06 09:51:134

[常見問題解答]UCC27517A-Q1:為什么要在汽車PTC模塊中用低側驅動器IC替換分立式柵極驅動器?

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2022-10-28 12:00:150

對交流/直流電源而言哪種控制器更好:分立式還是組合式?

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2022-11-02 08:16:020

何時使用負載開關取代分立MOSFET

何時使用負載開關取代分立MOSFET
2022-11-03 08:04:340

PowerLab 筆記:如何進行分立式設計

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2022-11-07 08:07:350

分立式 LED 驅動器-AN10739

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2023-02-09 21:18:500

何用MOS設計分立式電平轉換系統?

引言:當傳統設備與使用較小電平的新設備連接時,需要進行邏輯電平轉換。
2023-06-07 15:32:48621

何用單NMOS設計分立式負載開關

需要通過負載開關將電路或子系統與電源斷開有幾個原因,一個非常簡單和常見的原因是,它有助于節省電力。
2023-06-07 15:35:32878

何用雙MOS設計分立式負載開關

基于單個MOSFET拓撲的負載開關只能阻斷一個方向的電流,由于MOSFET有一個固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導通狀態的二極管
2023-06-07 16:09:252223

何用分立式BJT設計高低邊開關

MOS類型高低邊開關固有其優勢,比如壓降小,損耗低,控制簡易,使用場景也比BJT類型的高低邊開關廣泛
2023-06-07 17:15:38467

英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產品系列電流等級為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265

為什么不選擇分立式電源?而要選擇電源模塊?

設計供電網絡 (PDN) 時,決定使用電源模塊還是自研分立式電源解決方案,需要仔細考慮設計變量。
2023-11-16 16:32:51304

基于高功率應用的改進型TO-247PLUS分立式封裝解決方案

,并具有良好的冷卻系統。 通過 直接銅鍵合 (DCB) 安裝在水冷散熱器上的分立器件是設計工程師可用的一種解決方案,假設分立器件可以像表面貼裝器件 (SMD) 一樣安裝。 TO 247PLUS分立式封裝的回流焊 TO-247PLUS是一種理想的封裝,可
2023-11-16 17:26:531062

英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管,以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255

集成壓控振蕩器的寬帶鎖相環能取代分立式解決方案嗎

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2023-11-22 16:15:030

建立FETching分立式放大器的提示

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2023-11-23 15:05:170

分立式元件對電源進行時序控制的優缺點

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2023-11-29 11:36:070

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