1.電壓擊穿(過壓）

對普通整流二極管來講，只要應用電路中存在電網波動、同網中的大功率設備開啟關斷、雷擊、開關火花、大容量的感性負載、大容量的容性負載這些情況下，瞬間電壓高于二極管反向擊穿電壓值時，就可能產生電壓損傷參數衰減或完全擊穿短路開路的情況。 對保護二極管來說，就是電路中存在高于器件保護電壓的，造成保護器件連續導通，使保護器件永久損傷不可恢，即可能發生電壓損傷參數衰減或完全擊穿短路開路的情況。電壓擊穿失效時間無固定規律，但較大概率發在開關機瞬間。 ?

2.電流擊穿（過流）

應用選型余量不足、應用電路中有其它元件發生短路導致電流突然增大、應用電路中負載異常等情況時，瞬間大電流造成二極管芯片在極短時間內高溫碳化或瞬間高溫造成芯片炸裂，導致芯片PN結遭到嚴重破壞，出現短路或開路情況。電流擊穿發生較高概率為通電測試過程中或正常使用過程中。

3.溫度擊穿（過溫）

應用選型余量不足、器件設計位置靠近大功率發熱元件、應用環境溫度過高等情況時，二極管芯片結溫超過其電流衰減溫度，造成二極管的過電流能力線性下降，而線路中的電流不變時，二極管的芯片結溫將迅速增高，達到材料的極限溫度后，發生硅基材料熔化和碳化，出現短路或開路情況。溫度擊穿多發生于老化或用戶使用過程中。

4.應力損傷（應力）

由于硅基芯片為高硬度的薄片，抗機械應力能力較弱，在二極管封測中塑封、應用端的切腳、管腳整形折彎、電批鎖散熱片過程、機械碰撞等過程中，造成二極管芯片受損傷或發生機械裂紋，通電時其各項電性參數衰減或失效。嚴重損傷多發生在開關機瞬間或通電后較短時間內，輕微損傷后失效的時間無規律，安全隱患較大。

5.過載擊穿

應用選型余量問題、多管并聯使用的電路中二極管參數一致性問題、負載受外界環境因素發生功率增加等情況，出現二極管過壓、過流、過溫中一種或多種情況同時發生，二極管在較短時間內發生擊穿短路或開路情況。

公 司 簡 介

深圳辰達行電子有限公司（簡稱MDD辰達半導體）是一家專注于半導體功率器件研發設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業。

公司深耕半導體領域15載，始終堅持以產品技術為驅動，以客戶需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產品服務矩陣，產品廣泛應用于新能源汽車、工業控制、消費電子、通信、家電、醫療、照明、安防、儀器儀表等多個領域，服務于全球40多個國家與地區。

公司秉持與時俱進的發展理念，基于目前先進的功率器件設計及封裝測試能力，持續關注前沿技術及應用領域發展趨勢，全面推動產品升級迭代，提高功率器件產業化及服務閉環的能力，為客戶提供可持續、全方位、差異化的一站式產品解決方案。

展望未來，公司將依托行業洞察的能力，通過品牌與技術雙輪驅動，快速實現“成為國際半導體功率器件的一線品牌”的發展愿景，助力中國半導體產業升級。

審核編輯：湯梓紅