該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。

圖1分別在25℃和125℃情況下，為仿真得到的器件漏電流曲線。當在環境溫度為25℃條件下，當器件厚度為810μm時，VAK在3000V范圍內，可滿足器件漏電流低于10μA，而當器件厚度提高到910μm時，VAK在4000V（額定工作電壓）范圍內，器件漏電流均低于10μA，滿足器件電參數指標要求。在環境溫度為125℃條件下，在不同器件厚度情況下，器件漏電流較大。綜上所述，器件厚度設計為910μm。

圖1 在環境溫度25℃和125℃條件下，不同厚基區厚度對漏電流的影響

芯片陰極區面積及單元陰極區寬度的選擇：

圖2為器件峰值脈沖陽極電流的仿真測試條件，脈沖陽極電流脈寬為10μs，波形為方波，脈沖上升下降時間均為10ns。

圖2 所施加的陽極脈沖電流

圖3為仿真得到的當門極電壓為2V時，器件內部溫度分布、電子電流密度分布，芯片面積為3.87×3.87mm2（Z=1E5）。溫度分布及電子電流密度分布對應的時刻點如圖4所示，時刻1表示陽極下邊沿初始時刻，時刻2表示陽極脈沖電流撤除后的穩定時刻（僅存在門極電壓和門極電流）。

當芯片面積為3.87×3.87mm2時，在施加陽極脈沖電流過程中，兩個時刻器件內部局部高溫達到520K（145℃）以上，器件的電學性能將嚴重退化。表明芯片面積無法滿足高峰值脈沖電流和高門限電壓的電參數指標要求。

另外由電子電流密度分布可知，器件的陰極區邊緣的電流密度較高，局部溫度峰值位置出現在陰極區邊緣。應該通過適當增大芯片面積、適當減小陰極區寬度及優化薄基區雜質分布來實現產品的電參數指標。

圖3 器件內部溫度分布、電子電流密度分布及柵電流、陽極電壓曲線