` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed 的 CGH40120 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120；從 28 伏電壓軌運行；提供通用；各種射頻和微波應用的寬帶解決方案
2021-09-17 19:53:53
Wolfspeed 的 CGHV1F006 是無與倫比的；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L；; C; X 和 Ku 波段
2021-09-17 19:58:10
`Wolfspeed的CGHV1J025D是一種碳化硅襯底上的高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），采用0.25μm的柵長制造工藝。這種SiC上的GaN產(chǎn)品具有出色的高頻，高效率特性
2021-04-20 11:04:52
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射頻微波技術 于 2021-4-8 09:15 編輯
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
的原因，主要是溝道材料的電氣性能不一樣。在N溝道中參與導電的是電子，而在P溝道中參與導電的是空穴，兩者在單位電場強度下的遷移率相差非常大。電子的遷移率遠遠大于空穴的遷移率，即N溝道的導電性能要比P溝道
2012-05-22 09:38:48
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
`描述FHX35X是旨在用于高電子遷移率晶體管（HEMT）的產(chǎn)品通用的低噪聲和高增益放大器2-18GHz頻率范圍。 該設備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應用。Eudyna嚴格
2021-02-26 11:59:02
`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用，低噪聲和高增益放大器。該設備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應用。住友電工嚴格
2021-03-30 11:21:24
IC圖2：用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控極性決定了MOSFET的圖形符號。不同之處在于體二極管和箭頭符號相對于端子的方向。圖3：P溝道和N溝道MOSFET的原理圖注意體二極管和箭頭相對漏極
2018-03-03 13:58:23
溝道效應中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進一步發(fā)展的主要因素，盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑制短溝道效應，然而高摻雜的溝道會增大庫倫散射，使載流子遷移率下降，導致器件的速度降低，所以僅僅依靠縮小
2018-09-06 20:50:07
是差分形式的，低噪聲放大器與混頻器之間是一個單端到差分形式的聲表濾波器和必要的匹配網(wǎng)絡，在設計該匹配網(wǎng)絡時，需要知道混頻器輸入端差分散射參數(shù)和聲表的散射參數(shù)，通常網(wǎng)絡分析儀都不是差分型的。下面以對聲表的測試為例來說明如何測試差分散射參數(shù)。
2019-06-26 07:03:53
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅(qū)動器。圖1：具有電平移位器的高側驅(qū)動IC。圖2：用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
粗糙散射在SiC反型層中起主要作用;反之，溝道散射以庫侖散射為主，此時高密度的界面態(tài)電荷將成為降低溝道遷移率的主要因素。 4.總結通過學習這兩款新型的功率器件，不僅在設計上，更取得了實質(zhì)性的效果。來源
2017-06-16 10:37:22
什么是遷移率μ？載流子遷移率的測量方法有哪幾種？
2021-04-09 06:45:53
=CVdd/Ion）增加或者器件的開關速度減小。由于InAs和GaAs的電子遷移率高于Si的電子遷移率，Ge和InSb的空穴遷移率高于Si的空穴遷移率，如果選用上述高遷移率的材料作為器件的溝道材料可以緩解
2018-10-19 11:08:33
Wolfspeed 的 CGH40006 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-05-18 11:55:04
Cree 的 CGH40006P 是無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 該CGH40006P，運行來自 28 伏電源軌，提供通用寬帶解決方案到各種射頻和微波
2022-05-18 14:14:48
Wolfspeed 的 CGH40010 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-05-19 10:31:34
Wolfspeed 的 CGH40010 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-05-19 10:34:14
Wolfspeed 的 CGH27015 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27015 成為 VHF 的理想選擇；通訊；3G；4G
2022-05-20 09:29:43
Wolfspeed 的 CGH27015 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27015 成為 VHF 的理想選擇；通訊；3G；4G
2022-05-20 09:31:48
Wolfspeed 的 CGH09120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH09120F 成為 MC-GSM 的理想
2022-05-25 10:00:31
Wolfspeed 的 CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8
2022-05-25 10:13:50
Wolfspeed 的 CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8
2022-05-25 10:16:06
Wolfspeed 的 CGH21240F 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21240F 非常適合 1.8
2022-05-25 10:30:20
Wolfspeed 的 CGH25120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為實現(xiàn)高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH25120F 成為
2022-05-25 10:45:16
Wolfspeed 的 CGH27030 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27030 成為 VHF 的理想選擇；通訊
2022-05-25 10:54:17
Wolfspeed 的 CGH27030 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27030 成為 VHF 的理想選擇；通訊
2022-05-25 10:56:08
Wolfspeed 的 CGH27060F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27060F 成為 VHF 的理想選擇
2022-05-30 09:25:37
Wolfspeed 的 CGH31240F 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH31240F 成為 2.7 –3.1 GHz
2022-05-30 10:03:05
Wolfspeed 的 CGH35015 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為 802.16-2004 WiMAX 固定接入應用而設計。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力
2022-05-30 10:20:15
Wolfspeed 的 CGH35060P2 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH35060P2 非常適合 3.1
2022-05-30 11:03:41
Wolfspeed 的 CGH35240F 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH35240F 非常適合 3.1
2022-05-30 11:12:32
Wolfspeed 的 CGH40025 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-09 10:41:30
Wolfspeed 的 CGH40025 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-09 10:44:57
Wolfspeed 的 CGH40035F 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40035F；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-09 11:08:38
Wolfspeed 的 CGH40045 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40045；從 28 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-09 11:33:44
Wolfspeed 的 CGH40045 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40045；從 28 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-09 11:37:53
Wolfspeed 的 CGH40090PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40090PP；從 28 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波
2022-06-10 14:38:20
Wolfspeed 的 CGH40120 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-13 10:19:53
Wolfspeed 的 CGH40120 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-13 10:22:02
Wolfspeed 的 CGH40180PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波
2022-06-14 10:58:02
Wolfspeed 的 CGHV14250 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14250 非常適合 1.2
2022-06-15 11:00:55
Wolfspeed 的 CGHV14250 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14250 非常適合 1.2
2022-06-15 11:02:39
Wolfspeed 的 CGHV14500 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14500 非常適合 1.2
2022-06-15 11:12:13
Wolfspeed 的 CGHV14500 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14500 非常適合 1.2
2022-06-15 11:13:47
Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2
2022-06-15 11:29:50
Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2
2022-06-15 11:31:34
CGHV27030S 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，提供高效率；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常適合頻率為 700-960
2022-06-15 11:50:12
Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效設計的高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L；小號；C; X 和 Ku 波段
2022-06-16 10:41:38
Wolfspeed 的 CGHV27015S 是無與倫比的；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV27015S 成為 LTE
2022-06-16 11:20:16
Wolfspeed 的 CGHV27060MP 是一個 60-W 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，封裝在一個小型封裝中；塑料 SMT 封裝 4.4 毫米 x 6.5 毫米
2022-06-16 11:39:12
Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9
2022-06-16 16:35:22
Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9
2022-06-16 16:37:44
Wolfspeed 的 CGHV35060MP 是一款 60W 輸入匹配；針對 S 波段性能進行了優(yōu)化的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7
2022-06-16 17:11:06
Wolfspeed 的 CGHV35120F 是專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益; 和寬帶寬能力；這使得 CGHV35120F 非常適合 2.9
2022-06-20 11:28:40
Wolfspeed 的 CGHV37400F 是專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7
2022-06-22 10:13:50
Wolfspeed 的 CGHV40030 是無與倫比的；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L；S 和 C 波段放大器
2022-06-22 10:58:47
Wolfspeed 的 CGHV40030 是無與倫比的；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L；S 和 C 波段放大器
2022-06-22 11:01:14
Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 09:16:15
Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 09:19:21
Wolfspeed 的 CGHV40100 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 14:23:02
Wolfspeed 的 CGHV40100 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 14:28:12
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入，可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入，可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17
Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波
2022-06-24 09:54:07
Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對流散射通信的理想選擇
2022-06-27 09:17:27
Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對流散射通信的理想選擇
2022-06-27 09:19:25
Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:09:43
Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:11:15
Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32
Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-06-27 16:34:19
Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-06-27 16:37:17
描述GTRA263902FC是一個370瓦(P3dB) GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，用于多標準蜂窩功率放大器應用。它的特點是輸入匹配，高效率，熱增強包與無耳法蘭
2022-07-08 10:36:58
描述GTRA362002FC 是一款 200 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，設計用于多標準蜂窩功率放大器應用。它具有輸入匹配功能；高效率; 以及帶有無耳
2022-07-11 09:54:35
描述GTVA101K4 是一款專為高效設計的 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段
2022-07-11 14:40:10
描述GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，用于 1200 至 1400 MHz 頻段。它們具有輸入匹配功能
2022-07-12 15:04:32
Qorvo 的 QPD0006 是一種單路徑高電子遷移率晶體管 (HEMT)，工作頻率范圍為 2.5 至 5 GHz。它提供 13.5 W (~41.3 dBm) 的輸出功率，增益為 16 dB，漏
2022-10-12 11:50:48
CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12:54
FHX04X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設備非常適合電信
2023-12-15 10:01:25
FHX05X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設備非常適合電信
2023-12-15 10:06:46
FHX06X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設備非常適合電信
2023-12-15 10:12:14
本文應用有限元邊界元耦合法數(shù)值分析了矩形波導結中沿E 面均勻的多個任意截面形狀介質(zhì)柱的散射特性,對介質(zhì)柱所在區(qū)域和除去介質(zhì)柱后的空氣區(qū)域分別用有限元和多連域問題
2010-09-17 13:32:55
13 載流子遷移率測量方法總結
0 引言 遷移率是衡量半導體導電性能的重要參數(shù)，它決定半導體材料的電導率，影響器件的工作速度。已有很多文章對載流子遷
2009-11-03 10:44:51
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然而，將高遷移率二維半導體與高介電常數(shù)的柵介質(zhì)有效集成并極限微縮是電子學領域的一個重要挑戰(zhàn)。目前，商用硅基集成電路中所用的柵介質(zhì)為原子層沉積法（ALD）制備的氧化鉿（HfO2）
2022-09-26 10:04:421449 前言 載流子輸運就是求電流密度相關。目錄 前言 平均自由時間 & 散射概率 平均自由時間 & 遷移率 平均自由時間 & 電導率 遷移率-溫度關系 電阻率-溫度關系 輕摻雜時 1 016? 1 018
2023-02-27 10:34:560 摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項研究中，二維
2023-05-25 16:11:29599 
半導體材料wafer、光伏硅片的電阻率非接觸式測量、霍爾遷移率測試儀
2023-06-15 14:12:101041 
8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-03-05 10:43:22266 
8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)
2022-03-03 09:46:19354 8.2.10.2反型層遷移率的器件相關定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-03-04 10:19:46276 n溝道增強型絕緣柵場效應管 n溝道增強型絕緣柵場效應管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:251535 據(jù)日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
2024-03-13 10:51:34346 
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