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電子發燒友網>模擬技術>一文解析IGBT結構、原理、電氣特性

一文解析IGBT結構、原理、電氣特性

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2023-12-06 11:54:3924

IGBT單管數據手冊參數解析(下)

這篇文章是英飛凌工業半導體微信公眾號系列原創文章第205篇,IGBT單管數據手冊參數解析(下)
2023-12-06 11:56:4317

igbt與mos管的區別

Transistor)是兩種常見的功率開關器件,用于電力電子應用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種,但在結構特性和應用方面有很大的區別。本文將詳細介紹IGBT和MOS管的區別。 首先
2023-12-07 17:19:38792

瑞能650V IGBT結構解析

IGBT 作為一種功率半導體器件,廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點,是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢,在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276

IGBT的低電磁干擾特性

IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領域中常用的晶體管器件。它由一個IGBT芯片和一個驅動電路組成,用于控制高電壓和高電流的開關操作。相比于MOSFET,IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563

IGBT器件的結構和工作原理

IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:59288

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