本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合
2020-12-21 14:25:457583 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在開關狀態下工作，即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37978 
MOSFET器件是數字集成電路的最小單位，因為MOSFET的開關特性和輸出曲線特性，由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路，則為數字集成電路最基本的電路結構。
2023-07-11 10:49:588009 
本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷的過程，然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關斷的過程，以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。
2023-12-04 16:00:48549 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。1導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外
2018-08-27 20:50:45
MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
關于MOSFET的寄生容量和溫度特性關于MOSFET的開關及其溫度特性關于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。 導通損耗 除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由
2020-06-28 15:16:35
MOSFET是開關電源中的重要元器件，也是比較難掌握的元器件之一，尤其在LLC，LCC軟開關的設計中，對于MOSFET元器件本身的理解尤其重要，理解透徹了，也就應用自如了。本文會從理論上
2018-07-12 11:34:11
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復雜結構的表征效果極差，在任何計算中都會導致較大誤差。為了適應各種新組件架構的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？
2021-07-09 07:45:34
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。MOSFET的開關特性一般提供導通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
mosfet里的jte結終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
開關MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
自1980年代中期以來，MOSFET一直是大多數開關電源（SMPS）首選的晶體管技術。當用作門控整流器時，MOSFET是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P
2021-04-09 09:20:10
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
。 MOSFET的優點決定了它非常適合高頻且開關速度要求高的應用。在開關電源 (SMPS) 中，MOSFET的寄生參數至關重要，它決定了轉換時間、導通電阻、振鈴 (開關時超調) 和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS
2022-06-28 10:26:31
了門極信號；如同直通電流一樣，它會影響到該開關電源。這會產生很大的反向恢復dv/dt，有時會擊穿MOSFET Q2。這樣就會導致MOSFET失效，并且當采用的MOSFET體二極管的反向恢復特性較差
2019-09-17 09:05:04
電場也在增大，兩個方向的電流相互對抗，不分彼此時不能導通，一旦外部電流過大就反向擊穿了PN結?！ ?、 PN結的伏安特性是什么？ 伏安特性的表達式 id——通過pn結的電流 vd——pn結
2021-01-15 16:24:54
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 11:09 編輯
CT不是恒值，而是隨V而變化，利用該特性可制作變容二極管。2、 擴散電容：多子在擴散過程中越過PN結成為另一方的少子
2008-09-10 09:26:16
本帖內容來源：《電子技術設計》2018年3月刊版權所有，轉載請注明來源及鏈接。 自1980年代中期以來，MOSFET一直是大多數開關電源（SMPS）首選的晶體管技術。當用作門控整流器時，MOSFET
2018-03-03 13:58:23
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環境下特性相近的產品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區別：關斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關特性優異，可處理
2018-12-03 14:29:26
MOSFET－開關特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
二極管的特征Si晶體管所謂晶體管－分類與特征所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結
2018-11-27 16:38:39
;  MOSFET的規格書中，通常會給出MOSFET的特性參數，如輸出曲線、輸出電壓、通態電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時，需要根據電路
2010-08-10 11:46:47
結的電流主要是較寬的勢壘區（～i型層）中的復合電流。因此在通過的電流的性質上，與一般pn結的大不相同。雖然它們的伏安特性基本上都是指數式上升的曲線關系，但是上升的速度卻有一定的差別，pin結的正向
2013-05-20 10:00:38
，在結構上有的采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構，可獲得較高的開關速度和較低的正向壓降。它從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級，前者的反向恢復時間為數百納秒或更長．后者則在100ns以下，大大提高了電源的效率
2020-10-29 08:50:49
和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
低內阻超結MOS NCE08N608A 600V內阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數情況下，使用全面集成的負載開關具有更顯著的優點。系統中的負載開關在哪里一
2018-09-03 15:17:57
功率MOSFET數據表包含器件特性、額定值和性能詳細信息，這對應用中MOSFET的選用至關重要。雖然每一應用都是獨一無二的，MOSFET數據表可提供有用的信息用于初始功率損失的計算，并提供器件性能
2018-10-18 09:13:03
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關過程，也討論過開關電源的PWM及控制芯片內部的圖騰驅動器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關
2017-02-24 15:05:54
，功率MOSFET很少接到純的阻性負載，大多數負載都為感性負載，如電源和電機控制；還有一部分的負載為容性負載，如負載開關。既然功率MOSFET所接的負載大多數為感性負載，那么上面基于阻性負載的開關特性
2016-12-16 16:53:16
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高?！ 闈M足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET?！ ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法?，F在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
MOSFET的開關特性是什么D類MOSFET在射頻功放中的應用MOSFET器件的維護和存儲
2021-04-22 07:08:48
混合SET/MOSFET 結構與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器？
2021-04-13 07:12:01
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
請問如何通過MOSFET上的導通時間tdon，上升沿時間tr，關斷時間toff，下降沿時間tf 來確定 MOSFET 的開關頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關用于數據輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數據嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
盡管MOSFET在開關電源、電機控制等一些電子系統中得到廣泛的應用，但是許多電子工程師對于MOSFET開關過程仍然有一些疑惑，本文先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷
2016-11-29 14:36:06
沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的轉移特性和溫度對其轉移特性的影響，就會發現，功率MOSFET的正溫度系數只有在MOSFET進入穩態完全導通后的狀態下才能成立，在開關瞬態的過程中，上述理論
2016-09-26 15:28:01
MOSFET的熱阻特性所以，連續漏極電流ID是基于硅片最大允許結溫的計算值，不是一個真正的測量值，而且是基于TC=25℃的計算值。RqJC，TC，這里的C: Case，是裸露銅皮，不是塑料外殼，實際
2016-08-15 14:31:59
，還通過優化內置二極管的特性，改善了超級結MOSFET特有的軟恢復指數※3），可減少引發誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優化電路時的障礙，提高設計靈活度。該系列產品已經以月產10萬個的規模逐步投入
2020-03-12 10:08:31
，還通過優化內置二極管的特性，改善了超級結MOSFET特有的軟恢復指數※3），可減少引發誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優化電路時的障礙，提高設計靈活度。該系列產品已經以月產10萬個的規模逐步投入
2020-03-12 10:08:47
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
更優的雪崩耐量，提高了器件應用中的可靠性。同時，采用自主創新先進的多層外延技術，優化了器件開關特性，使其在系統應用中具有更好的表現，為系統設計提供更多選擇。 安森德SJ MOSFET優勢 效率高
2023-06-13 16:30:37
范圍。因為接下來的幾篇將談超級
結MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-
MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和
特性對使用區分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯?/div>
2018-11-28 14:28:53
結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結構的高耐壓和溝槽型結構低電阻的特性。內建橫向
2018-10-17 16:43:26
`·隨著制造技術的發展和進步，系統設計人員必須跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
采用快速體二極管的全新超結器件的優點。 1. 引言隨著功率密度不斷提高，半橋（例如HID半橋或LLC）和全橋（例如ZVS全橋）等軟開關拓撲成為理想的解決方案。由于改善了功率器件上di/dt 和dv/dt
2018-12-03 13:43:55
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
供應600V20A超結MOS士蘭微SVS20N60FJD2，提供士蘭微超結MOS SVS20N60FJD2關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22
201 摘要：從功率MOSFET內部結構和極間電容的電壓依賴關系出發，對功率MOSFET的開關現象及其原因進行了較深入分析。從實際應用的角度，對功率MOSFET開關過程的功率損耗和所需驅動
2010-11-11 15:36:3853 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。開關過程中，功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在
2011-03-15 15:19:17557 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程
2011-09-14 17:39:1765 為了使MOSFET整個開關周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實現其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側續流管，由于其寄生的二極管或并聯的肖特基二極管先導通，然后續流的同步
2012-04-12 11:04:2359180 
MOSFET管開關電路設計MOSFET管開關電路設計
2015-12-23 15:03:45204 基于漏極導通區特性理解mosfet開關過程資料
2018-05-10 10:53:114 電力MOSFET開關概述及工作原理
2019-04-19 06:33:005175 
產品特點
1、優異的開關特性和導通特性；
2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術，SGT MOSFET器件有助于提升系統效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
在本文中，我們將討論與瞬態條件和開關模式操作有關的MOSFET特性。 在上一篇有關低頻MOSFET的文章中，我們研究了控制MOSFET穩態工作的參數，例如閾值電壓，導通狀態電阻和最大漏極電流。這些
2021-03-09 09:49:242355 近幾年來，開關電源市場對高能效、大功率系統的需求不斷提高，在此拉動下，設計人員轉向尋找電能損耗更低的轉換器拓撲。PWM移相控制全橋轉換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結合的開關電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關管在零壓開關（ZVS）轉換器內的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 
MOSFET的開關特性解析|必看 MOS管最顯著的特點也是具有放大能力。不過它是通過柵極電壓uGS控制其工作狀態的，是一種具有放大特性的由電壓uGS控制的開關元件。 1、靜態特性 MOS管作為開關
2021-07-23 09:44:397320 
電力電子產業未來的發展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計，而在高開關頻率高功率的應用中，SiC器件優勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276631 功率MOSFET特性參數的理解
2022-07-13 16:10:3924 MOSFET是一種利用場效應的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管，它有一個柵極。為簡單起見，您可以將這個門想象成一個水龍頭，您逆時針旋轉水龍頭，水開始流出水龍頭，順時針旋轉水停止
2022-08-03 16:31:0511995 
MOSFET特性參數說明
2022-08-22 09:54:471705 繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關被廣為應用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結構上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性：在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。
2023-02-09 10:19:242519 
繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 16:13:002571 關于IGBT、MOSFET、BJT的開關工作特性的基本思想 最近一直在弄實驗室一個金屬離子源的控制板，其中有一個模塊需要完成一個恒流源的可控輸出，其負載是金屬離子源的遠控電流輸入口，考慮到金屬離子源
2023-02-23 09:55:292 以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理，還有必要關注MOSFET在通態時的特性，會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:09836 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
2023-01-04 10:02:071115 
探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
2023-01-12 14:33:03991 寄生電容和開關時間：功率MOS具有極快的開關速度，器件導通或關斷前需要對寄生電容進行充放電
2023-07-13 17:47:02309 
寄生電容和開關時間：功率MOS具有極快的開關速度，器件導通或關斷前需要對寄生電容進行充放電，而電容的充放電需要一定時間
2023-07-13 17:50:52551 碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 
用的是n型MOSFET。在使用MOSFET作為開關時，它的控制端被連接到一個邏輯電平信號，這個信號可以把MOSFET的導電特性 "打開" 或 "關閉"。然而，MOSFET的"打開"和"關閉"并不是瞬間發生
2023-09-05 14:56:291590 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 已全部加載完成
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