IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2022-06-09 10:35:03
2270 
IGBT是高頻開關器件，芯片內部的電流密度大。當發生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175483 
這里，我們只關注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312610 
2QP0215V33-TX具有短路保護和軟關斷的功能，通過檢測IGBT的退飽和現象，來判斷IGBT是否短路
2020-07-22 14:30:352093 系統。因此，對3.3kV等級的IGBT模塊驅動電路進行研究十分有意義。目前，市場上專業驅動器生產廠商有相關配套驅動器產品提供給客戶選擇，但是做為一款廣泛應用的模塊產品，很有必要做更深入的細節分析
2018-12-06 10:06:18
600 800 1000 1500 Rg阻值范圍(Ω) 10~20 5.6~10 3.9~7.5 3~5.6 1.6~3 1.3~2.2 1~2 0.8~1.5 不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定
2012-07-25 09:49:08
，PCB板的連線之間彼此不宜太近，過高的dv/dt會由寄生電容產生耦合噪聲。要減少器件之間的寄生電容，避免產生耦合噪聲。 由于IGBT等功率器件都存在一定的結電容，所以會造成器件導通關斷的延遲
2011-08-17 09:26:02
關損耗的影響如下 可見，開通損耗受柵極電阻的影響要更大。 同理，反向恢復損耗受開通電阻的影響也可以在規格書中查到。 寄生電容： IGBT的寄生電容影響動態性能，它是芯片內部結構的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點？IGBT模塊有哪些應用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT-E4擁有比中功率IGBT3-E3芯片略高的軟度。按照設計目的，E系列軟度明顯高于T系列［1、7］。由于結合采用超聲焊接和母線支架，模塊大幅降低了寄生雜散電感，這對于充分利用IGBT4-T4的優勢
2018-12-07 10:23:42
)1400V系列模塊可用于AC380V至575V的功率變換設備中。 (5)P系列中，尤其是1400V模塊比PT-IGBT有更大的安全工作區，反偏安全工作區(RBSOA)和短路安全工作區(SCSOA)都為矩形
2012-06-19 11:17:58
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過 流保護。產生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
在IGBT短路時，假設在導通時短路，此時IGBT驅動電壓達到穩定高值，就是IGBT已經完全導通，此時刻觸發外部電路短路，用示波器查看驅動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內響應后，驅動電壓
2024-02-25 11:31:12
鎖IGBT在集電極與發射極之間有一個寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現象會使集電極與發射極之間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿
2012-07-09 14:14:57
˙dv/dt電流和寄生導通圖2：因C˙dv/dt效應產生穿通電流時的真實開關波形為了防止出現這種現象，可以采用的一種方法是增大IGBT VGEth的閥值。然而，IGBT的Vce(sat)行為與VGEth
2015-12-30 09:27:49
Rbr都是因工藝而寄生形成的，這樣，主PNP晶體管與寄生NPN晶體管形成了寄生的晶閘管，當器件的集電極電流足夠大時，在電阻Rbr上產生正偏電壓將導致寄生晶體管導通，造成寄生晶閘管導通，IGBT的柵極失去
2018-10-17 10:05:39
PNPN 4層結構，因體內存在一個寄生晶閘管，當集電極電流增大到一定程度時，則能使寄生晶閘管導通，門極失去控制作用，形成自鎖現象，這就是所謂的靜態擎住效應。IGBT發生擎住效應后，集電極電流增大，產生
2020-09-29 17:08:58
如圖所示，現在的問題是IGBT的門極給的是15V驅動電壓，Vce=27V,為什么導通之后負載對地的電壓只有9.7V，在IGBT上的壓降很大，怎么才能解決這個問題
2016-10-16 17:07:46
IGBT模塊或者單管應用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT應用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
管(T1)截止，下管(T1)導通，VCE為-9V，IGBT關斷。以上就是IGBT的開通關斷過程。 結語 IGBT對驅動電路有一些特殊要求，驅動電路性能的優劣是其可靠工作、正常運行的關鍵所在，高性能
2012-09-09 12:22:07
什么是AMBA？AMBA分為哪幾種？AXI、AHB與APB的性能有什么不同？AHB總線是如何組成的？APB總線有哪些主要應用？
2021-06-18 06:55:01
器件擊穿電壓的增加而增加。在額定電壓高于 200 V 時，MOSFET 的傳導性能低于 BJT。 IGBT結合了這兩個領域的優點，實現了高性能電源開關：它提供了MOSFET的輕松驅動和BJT的導
2023-02-24 15:29:54
官方資料有特別說明，否則這個二極管都是存在的。IGBT內部的體二極管并非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續流二極管）。判斷IGBT內部是否有體二極管也并不困難
2022-04-01 11:10:45
和二極管，再將兩者封裝在一起，做成IGBT模塊。這樣的做法使IGBT模塊寄生電感較高、集成度較低。為降低成本、提高芯片的功率密度，IGBT與二極管同時在集成同一個硅片上的逆導型IGBT(Reverse
2019-09-26 13:57:29
速度和寄生電容的特征。開關速度：與IGBT的比較下圖是開關導通時和開關關斷時的dV/dt、即開關速度與IGBT模塊的比較。SiC模塊的開關導通時的dV/dt與IGBT模塊幾乎相同，依賴于外置的柵極電阻
2018-11-30 11:31:17
使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發射極電壓有很大關系，因而工業驅動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一
2019-07-24 04:00:00
。因為上、下管工作的狀態不同，所以，它們的開關特性也不相同。 通常，上管為硬開關工作狀態，具有導通損耗和開關損耗；下管為軟開關工作狀態，只有導通損耗，但是由于下管的寄生二極管在死區時間內會導通續流
2020-12-08 15:35:56
1. 真實的半導體開關器件都有寄生的并聯電阻，實際上來源于導致泄露損耗的漏電流通路模型。器件的正向壓降一定意義上也可看作導致導通損耗的串聯寄生電阻所產生。2. MOSFET的寄生參數（電容）是限制其
2021-10-28 08:17:48
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
的通態導通損耗，因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步導致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短
2019-10-06 07:00:00
幾種IGBT短路保護電路圖7是利用IGBT過流時Vce增大的原理進行保護的電路，用于專用驅動器EXB841。EXB841內部電路能很好地完成降柵及軟關斷，并具有內部延遲功能，以消除干擾產生的誤動作
2009-01-21 13:06:31
縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發射 極電壓有很大關系，因而工業驅動趨向更高直流總線電壓電平 的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一時間范圍
2018-08-20 07:40:12
，技術的進步導致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發射極電壓有很大關系，因而工業驅動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路
2021-08-12 07:00:00
導通損耗，因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步導致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短
2018-07-30 14:06:29
更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發射極電壓有很大關系，因而工業驅動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一時間范圍
2018-11-01 11:26:03
電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步導致使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發射極電壓有很大關系，因而工業驅動趨向更高直流
2018-10-10 18:21:54
導致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發射極電壓有很大關系，因而工業驅動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間
2019-04-29 00:48:47
， 功率大于5kW的應用場合具有很大優勢。在全橋逆變電路中， IGBT是核心器件， 它可在高壓下導通， 并在大電流下關斷， 故在硬開關橋式電路中， 功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關重要的作用
2011-09-08 10:12:26
本文從精簡結構，同時兼顧精度的角度出發，提出一種基于時間測量芯片TDC-GP2來精確測量IGBT導通延遲時間系統，用于測量IGBT的導通延遲時間，實現簡單且成本低的一種較為理想的測量方案。
2021-05-14 06:07:09
主要的IGBT寄生電容有哪些？怎樣去設計單正向柵驅動IGBT？單正向柵驅動IGBT有什么長處？
2021-04-20 06:43:15
MOSFET的方式內嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT.與最佳競爭產品和前代產品相比，該器件具有Eoff較小的特性。總之，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯二極管的軟開關應用。
2018-09-30 16:10:52
檢查與電機連線是否有短路現象或接地檢查交流電機驅動器與電機的落地有無松動加長加速時間檢查是否電機是否有超額負載ov 交流電機驅動器偵測內部直流高壓側有過電壓現象檢查輸入電壓是否與在交流電機驅動器額...
2021-09-03 06:07:13
時，為獲得最小導通壓降，應選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當Uge增加時，導通時集射電壓Uce將減小，開通損耗隨之減小，但在負載短路過程中Uge增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得IGBT
2016-10-15 22:47:06
電壓，在IGBT導通時，如果集電極電壓超過7 V，則認為是發生了過流現象，HCPL316J慢速關斷IGBT，同時由第6腳送出過流信號。 3 結語 通過對IGBT門極驅動特點的分析及典型應用電路的介紹，使大家對IGBT的應用有一定的了解。可作為設計IGBT驅動電路的參考。
2016-11-28 23:45:03
。如果采用IGBT，如圖3，則可以避免這個問題，使用IGBT有控制簡單的優點，但成本較高。其工作原理為：當輸入為正半周時，電流流經Q1、D2，負半周時電流流經D1、Q2。 圖2：SCR的延時關斷現象
2012-03-29 14:07:27
所示）。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現象會使集電極與發射極之間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷
2019-03-05 06:00:00
各位老師你們好！ 前段時間找某經銷商買了一批英飛凌的IGBT模塊（3300V/400A，管子型號是FZ400R33KL2C）；拿回來做雙脈沖測試發現管子的導通壓降特別大，在100A的時候導通壓降大約
2018-07-24 16:38:03
母線電路需設計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
根據集電極退飽和檢測短路原理及IGBT 的短路安全工作區(SCSOA) 限制,設計出具有較完善性能的IGBT 短路保護電路。分析與實驗結果表明,短路保護快速、安全、可靠、簡便、應用價值較
2009-10-28 10:56:53
118 有效抑制IGBT模塊應用中的過電壓寄生雜散電感會使快速IGBT關斷時產生過電壓尖峰，通常抑制過電壓法會增加IGBT開關損耗或外圍器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:5248 IGBT短路保護電路原理圖
2008-10-23 21:43:483576 
鉛蓄電池短路現象及原因
鉛蓄電池的短路系指鉛蓄電池內部正負極群相連。鉛蓄電池短路現象主要表現在以下幾個方面：
(1)開路電壓低，閉路電壓(放電)
2009-10-28 11:24:46666 什么是短路，對電池性能有何影響？ 電池外兩端連接在任何導體上都會造成外部短路，電池類型不同，短路有可能帶來不同嚴重程度的后
2009-11-13 15:21:063763 IGBT(NPT型結構)的寄生組件和等效電路
2010-02-17 17:21:381855 
具有寄生晶體管的IGBT等效電路
2010-02-17 23:09:37844 
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
2010-02-17 23:13:351405 
本文根據IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結構特點設計了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態的實用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
在vdc=1200v下進行了短路試驗，試驗波形如圖6所示。可見，在關斷開通短路電流和通態短路電流時，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作區間內，有效地保護了IGBT，所采用的有源電壓箝位技術達到了預期的效果
2017-05-16 16:15:046121 
壓接式絕緣柵極雙極性晶體管（ IGBT）模塊因優越的電氣性能和封裝設計，受到柔性直流輸電等大功率應用場合的青睞，其模塊可靠性也成為大功率應用場合研究的重點，而IGBT模塊結溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 在IGBT的應用中，當外部負載發生故障，或者柵極驅動信號出現異常，或者某個IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現為橋臂內短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態下需要同時承受
2019-10-07 15:04:0024314 
短路現象1 比如有以下表達式 abc 只有a為真（非0）才需要判斷b的值；只有a和b都為真，才需要判斷c的值。 舉例 求最終a、b、c、d的值。 main() { inta
2020-09-29 14:39:582256 來源：羅姆半導體社區? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實驗和短路實驗一般都會在一個階段進行，但是有的時候短路測試會被忽略，原因有些時候會直接對裝置直接實施短路測試，但是此時實際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:074458 IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 在關斷IGBT過程中，IGBT電流急劇變化，由于有寄生電感的存在，會在IGBT上產生電壓尖峰 Vce（peak） = Vce + L * di/dt，如圖1所示。
2021-03-15 15:39:392592 
關于IGBT的內部寄生參數，產品設計時對IGBT的選型所關注的參數涉及到的寄生參數考慮的不是很多，對于其標稱的電壓、電流和損耗等關注的比較多。當然針對不同的應用場合，所關注的方面都不不盡相同，比如
2021-06-12 10:29:009667 
IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 我們都知道IGBT發生短路故障時會發生退飽和現象，如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓，同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發生短路時的瞬時功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 英飛凌IGBT模塊開關狀態下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。
2023-02-06 14:30:24633 
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2023-02-07 16:12:22696 
今天梳理一下IGBT現象級的失效形式。 失效模式根據失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅動或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319 目錄 1、IGBT的工作原理和退飽和 1.1 IGBT 和 MOSFET結構比較 1.2 IGBT 和 MOSFET 在對飽和區的定義差別 1.3 IGBT 退飽和過程和保護 2、電感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 IGBT保護的問題 現在只總結IGBT驅動電路和驅動芯片能保護到的IGBT的項。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護和過流保護短路的定義1.橋臂內短路
2023-02-23 09:57:0015 電機匝間短路是指電機線圈中的兩個相鄰匝之間發生了短路。這種現象會導致電機出現故障，嚴重的情況下可能會導致電機無法正常工作。
2023-03-19 15:16:049064 什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT
2022-05-26 09:52:271472 
電機繞組發生匝間短路，會有以下現象：
2023-07-24 11:00:331019 IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進一步改善短路與通態壓降的矛盾關系，研究了
IGBT 背面工藝對抗短路能力的影響。通過 TCAD 仿真，在 IGBT 處于負載短路工作期間，針對
2023-08-08 10:14:470 盤點電機繞組匝間短路可能出現的現象
2023-08-11 10:28:23588 IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT是如今被廣泛應用的一款新型復合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態測試參數是IGBT模塊測試一項重要內容，IGBT動態測試參數是評估IGBT模塊開關性能的重要依據。其動態測試參數主要有：主要參數有開關參數、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
IGBT模塊損壞時，什么情況導致短路？什么情況導致開路？? IGBT模塊是一種功率模塊，用于高功率電子設備控制。當IGBT模塊在使用過程中遭受損壞時，可能會出現短路或開路的問題。這兩種情況會對電路
2023-10-19 17:08:182733 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291044 由于短路會導致負載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開關管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流，導致IGBT管過電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個復雜且多元的問題，涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細分析，旨在達到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53907 短路耐受時間是指IGBT在短路條件下能夠持續導通而不發生故障的時間。這個參數對于系統保護策略的設計至關重要，因為它決定了系統在檢測到短路并采取措施（如關閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長
2024-02-06 16:43:251317 
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點是電流繞過正常的電路路徑，通過一條或多條低阻抗的路徑流過。IGBT是一種常見的功率半導體器件，可用于控制和放大電流
2024-02-18 10:08:38332 IGBT應用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應用的半導體器件。在實際應用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細介紹IGBT應用中常見的短路類型。 1. IGBT內部開路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT過流和短路故障的區別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導體功率開關器件。在工業和電力領域廣泛應用，常常用于高壓、高電流的開關電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發生退飽和現象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28481
電子發燒友App
工商網監
評論