總的來說,場效應晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2020788 場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路,場效應晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路,其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:002409 MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡稱,有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241291 在半導體器件的講解中,場效應晶體管應該說最值得拿來詳細介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04947 繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機械開關(guān),實現(xiàn)對電路的控制。而場效應晶體管(MOS管)是一種基于半導體材料工作的場效應晶體管,通過柵極施加正負偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41558 場效應晶體管(MES)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、靜電感應晶體管(SIT)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等屬于場效應晶體管系列的單管、對管及組件等,型號達數(shù)萬種之多。每種型號的場效應晶體管都示出其主要
2021-05-11 06:19:48
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件,屬于電壓控制性半導體器件,具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應晶體管的K值得問題:在研究學習楊建國老師的負反饋和運算放大器基礎(chǔ)這本書的時候,發(fā)現(xiàn)有一道題的一個參數(shù)不知道什么意思,請大咖們幫忙解惑...Page65 : K=0.0502A/V*V 這個參數(shù)是什么意思呢?多謝!~
2019-04-04 11:47:20
(1)場效應晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似,圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳,圖1-6-B所示是P溝道場效應晶體管
2019-03-28 11:37:20
`一、場效應晶體管特點場效應晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點,這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06
`在電子元器件行業(yè),場效應晶體管一直被譽為開關(guān)電路的“神器”,那是因為場效應晶體管具有噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點,所以在開關(guān)電路中迅速走紅, 可是一提起場效應晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級管,對它的使用也比較熟悉,相對來說對晶體場效應管就陌生一點,但是,由于場效應管有其獨特的優(yōu)點,例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管
2019-06-18 04:21:57
場效應晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性
2019-05-08 09:26:37
`場效應晶體管在運用時除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外,對于絕緣柵型場效應晶體管還應特別留意由于感應電壓過高而形成的擊穿因素。場效應晶體管在運用時應留意以下幾點:1、場效應晶體管在運用時要留意
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護等電路,可選用結(jié)型場效應晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路,可選
2021-05-13 07:10:20
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計.doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應晶體管的幾點使用知識.doc全系列場效應
2019-08-11 22:46:35
50 多年來,采用高壓高溫技術(shù)(HPHT) 制造的合成金剛石廣泛應用于研磨應用,充分發(fā)揮了金剛石極高硬度和極強耐磨性的特性。在過去20年中,基于化學氣相沉積(CVD) 的新金剛石生成方法已投入商業(yè)化
2019-05-28 07:52:26
向各位大神求助,我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣,只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性,想問下LABVIEW能實現(xiàn)這種仿真嗎?我在庫里沒找到晶體管,能幫忙指出在哪可以找到嗎?謝謝!實在是太菜鳥了,請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場效應晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
)。 圖9.大容量鰭式場效應晶體管 最初的研究是在具有氧化層的SOI襯底中進行的,因為它更容易定義和控制翅片。 1990年,Hisamoto等人發(fā)表了第一篇關(guān)于FinFET(一種完全耗盡的精
2023-02-24 15:20:59
MOS_場效應晶體管
2012-08-20 08:21:29
`電子元器件行業(yè)有今天的成就,那絕離不開MOS管與場效應晶體管的鼎力相助,但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應晶體管混為一談,到底MOS管和場效應晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系?這對于初學者來說
2019-04-15 12:04:44
`在電子元件行業(yè),晶體三極管與場效應晶體管都是備受推崇的兩種電子元件,尤其在開關(guān)電源方面?zhèn)涫茈娮庸こ處煹那嗖A,可是對于剛?cè)腴T的采購,究竟該如何去選晶體三極管與場效應晶體管,晶體三極管簡稱三極管
2019-04-09 11:37:36
`電子元器件市場中,以場效應晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛,可是對于場效應晶體管的參數(shù),大家都是一籌莫展,因為場效應晶體管的參數(shù)有很多,其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等,但普通運用時只需關(guān)注
2019-04-04 10:59:27
`隨著便攜式電子產(chǎn)品的興盛,人們的生活發(fā)生看翻天覆地的變化,然而這一切都與電子元器件行業(yè)的兩位領(lǐng)軍人物有著不可分割的關(guān)系,那就是三極管與場效應晶體管,他們深受電子行業(yè)的鐘愛,三極管(BJT
2019-04-08 13:46:25
本文探討了鰭式場效應晶體管的結(jié)構(gòu)、它們在各種應用中的用途,以及它們相對于 MOSFET 的優(yōu)缺點。 什么是鰭式場效應晶體管? 鰭式場效應晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個放大器和一個
2023-02-24 15:25:29
對芯片作底層支撐的場效應晶體管,一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進行開關(guān)電源設(shè)計時,工程師會更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場效應晶體管來支持電源芯片,這需要考慮場效應晶體管的什么性能呢?應從
2019-04-01 11:54:28
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
1. 場效應晶體管開關(guān)電路學習過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而場效應晶體管是電壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應晶體管?晶體三極管選用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42
`我們常接觸到場效應管,對它的運用也比較熟習,相對來說對場效應晶體管就陌生一點,但是,由于場效應晶體管有其共同的優(yōu)點,例輸入阻抗高,噪聲低,熱動搖性好等,在我們的運用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`晶體三極管簡稱三極管,和場效應晶體管一樣,具有放大作用和開關(guān)特性的,是電子設(shè)備中的核心器件之一,應用十分廣泛。三極管和場效應晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不一樣,普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
``隨著便攜式電子產(chǎn)品浪潮的飛速發(fā)展,我們的生活便于電子產(chǎn)品如影隨形,你可能不知道,在生產(chǎn)電子產(chǎn)品的過程中,有一種電子元件,深受電子工程師的青睞,那就是場效應晶體管,我們常接觸到晶體三級管,對它
2019-03-26 11:53:04
`一、場效應晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度,我們對電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高,在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計與研發(fā)中,不光是開關(guān)電源電路中,還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會用到場效應晶體管
2019-04-02 11:32:36
`在傳統(tǒng)MOSFET中,載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
場效應晶體管的分類及使用
場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
2010-01-13 16:01:59133 雙極結(jié)型晶體管/絕緣柵場效應晶體管/PN結(jié)晶體管習題集:第二章 PN結(jié)填空題1、若某硅突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613 場效應晶體管放大電路的動態(tài)分析
共源組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
2010-09-25 16:21:2574 低成本有機場效應晶體管研究取得新進展
近年來,有機場效應晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應用前景而備受學術(shù)界和工業(yè)界
2008-11-26 08:21:22388 MOS場效應晶體管使用注意事項: MOS場效應晶體管在使用時應注意分類,不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應注意以下
2009-03-11 22:22:50918
結(jié)型場效應晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07733
結(jié)型場效應晶體管和雙極晶體管級聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:48:05821
場效應晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:03801 功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:109126 場效應晶體管
場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即
2009-05-24 23:11:156579 場效應晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22743 場效應晶體管TVS保護電路圖
2009-06-08 14:53:551064
新型高耐壓功率場效應晶體管
摘要:分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導通電阻間的矛盾,介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFE
2009-07-16 09:01:321457 MOS場效應晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應
2009-09-05 15:17:18839 結(jié)型場效應晶體管(JFET)電壓表
這個非常簡單的
2009-09-24 14:45:47835 結(jié)型場效應晶體管是什么?
結(jié)型場效應晶體管 利用場效應原理工作的晶體管,簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小,
2010-03-04 15:58:133672 薄膜場效應晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)
TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應晶體管LCD,是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。
和TN技術(shù)不
2010-03-26 17:22:234824 絕緣柵場效應晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531496 光電池-VMOS功率場效應晶體管光敏繼電器電路圖
2010-03-31 17:15:501312 場效應晶體管放大器
場效應晶體管放大器是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點,被廣泛應
2010-04-16 10:08:574970 場效應晶體管開關(guān)電路
場效應晶體管(簡稱場效應管)有結(jié)型(J-FET)和絕緣柵型(MOS-FET)兩類。
場效應管作為開關(guān)器件應用類似
2010-05-24 15:26:0611673 本文用標準的松弛方法研究了結(jié)型場效應晶體管的霍耳效應。利用準平面拉普拉斯方程及有限差分法計算了不同的霍爾電勢分布與磁靈敏度
2011-09-15 14:53:20107 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學習教材資料——場效應晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學習教材資料——場效應晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應晶體管及其應用
2017-09-21 11:21:2429 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應用研究三個方面介紹了有機場效應晶體管。
2018-01-03 14:20:4424660 隧穿場效應晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。
2018-01-03 15:32:4527183 隨著電子設(shè)備升級換代的速度,大家對于電子設(shè)備性能的標準也愈來愈高,在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中,不僅是開關(guān)電源電路中,也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應晶體管
2019-08-18 10:07:525087 判別結(jié)型場效應晶體管DS2Y-S-DC5V的管腳。用萬用表的R×lk擋,用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等,則這兩個管腳為漏極和源極,余下的一個管腳即為柵極。
2019-08-18 10:32:064180 功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(FieldEffectTransistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
2019-10-11 10:26:319865 MOSFET的類型很多,按導電溝道可分為P溝道和N溝道;根據(jù)柵極電壓與導電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強型。功率場效應晶體管一般為N溝道增強型。
2019-10-11 10:33:297965 功率場效應晶體管(VF)又稱VMOS場效應管。在實際應用中,它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926489 電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負載電阻R2,把電壓加在了場效應晶體管的漏極,而負極性電源通過柵極偏置電阻R1,把電壓加在了場效應晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:005256 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫,稱為場效應晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:188779 場效應晶體管(FET)簡稱場效應管,它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:0520 場效應晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類,體管(金屬氧化物半導體型)兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場效應晶體管與絕緣柵型場效應晶體管。
2020-09-18 14:08:447386 MOS場效應晶體管在使用時應注意分類,不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:007605 結(jié)型場效應晶體管原理與應用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET(砷化鎵場效應晶體管)是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名,其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:423271 場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件,并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數(shù)載流子來導電,所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor,縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23698 場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應),使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081512 場效應晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點,這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041373 場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導體器件,它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比,場效應晶體管的控制電流非常小,因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。
2023-05-17 15:15:374167 功率MOS場效應晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導率、達5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)
2023-07-25 09:30:44671 場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子設(shè)備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應,即在柵極和源極之間施加一個控制電壓,使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移,從而改變電流的導通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46800 AGM408M 40V12A mos場效應晶體管
2021-11-24 15:47:260 選擇場效應晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38168 【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應晶體管(JFET)
2023-12-13 14:36:44354 場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中,柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料,人造金剛石晶體有多種不同的類型,大致可分為單形和聚形,每種類型都具有不同的特性和應用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應用。
2024-01-02 15:47:27428 場效應晶體管是一種常用的半導體器件,用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54833
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