為什么在早期的晶體研究中，人們就對晶體中的缺陷予以重視呢？首先是因為發現晶體內部沒有缺陷簡直是絕無僅有的。
2022-12-02 20:48:11
1913 我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
，有如下反應：42 （2） 上式表明，被氧俘獲的電子釋放出來，這樣半導體表面載流子濃度上升，從而半導體表面電阻率減小。三、氧化物半導體甲烷傳感器的研究進展 盡管甲烷是分子結構最簡單的一種碳氫
2018-10-24 14:21:10
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網`
2013-07-15 16:47:00
`超經典復旦大學微電子工藝教案包含：離子注入、晶體生長、實驗室凈化與硅片清洗、 光刻、氧化、工藝集成、未來趨勢與挑戰等。錯過便不再擁有研究生畢業繼續送資料——超經典復旦大學微電子工藝教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
的質量，字符缺陷檢測系統基于遠心光學設計，可以清晰的顯示出字符，更有利于字符識別和印刷字符缺陷的檢測，目前主要用在電子器件表面印刷字符識別和字符缺陷檢測，例如曾經應用在國外某手機充電器表面印刷字符缺陷檢測
2015-11-18 13:48:29
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
分子的排列。通過對兩種典型點狀缺陷的研究，發現不同缺陷核心影響其周圍液晶分子排列的能力有極大不同，并通過外推長度理論和彈性長程關聯理論對實驗現象進行論證。
2018-11-05 16:19:50
、鎵，鉛、 鉀、鈉小于1ppm 否則不能用。4個9的氧化鋁雖然可以長出晶體，但是由于不是5n氧化鋁，晶體晶棒質量就差一些。有的長出晶體就透明度不好，不很白，易有粉色、黃色等顏色不純。有的即使長出較白
2011-12-20 10:03:56
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
在通信領域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優勢在手機上得到應用。然而RF MEMS開關普遍存在驅動電壓高、開關時間長的問題，劣于FET場效應管開關和PIN二極管開關。相對于國外已取得的成果，國內的研究尚處于起步階段。下文將針對MEMS開關的缺陷做一些改進。
2019-07-29 07:57:25
。一般采用白松香和異丙醇溶劑?！ ?2)焊接溫度和金屬板表面清潔程度也會影響可焊性。溫度過高，則焊料擴散速度加快，此時具有很高的活性，會使電路板和焊料溶融表面迅速氧化，產生焊接缺陷，電路板表面受污染也會
2019-05-08 01:06:52
和特性幾乎是相同的，因此理論上相同面積和氧化層厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的時間內承受大致相同的氧化層電場應力（相同的本征壽命）。但是，這只有在器件不包含與缺陷有關的雜質
2022-07-12 16:18:49
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
THz波填補了紅外光和微波的頻率空白。使在全頻范圍內研究凝聚態物質與電磁波(光)的相互作用成為可能，特別是對固體元激發的研究具有重要意義。THz頻率范圍內的固體元激發有：離子晶體的橫光學聲子和縱光學
2019-05-29 07:32:31
高階XPS – Quantera II掃描式X光光電子能譜儀，相較傳統XPS最小僅能達到50微米的微區分析能力，宜特Quantera II最小可達7.5微米，更能針對樣品表面更細微的結構進行化學態分析
2018-09-17 14:28:42
有沒有大神做過labview玻璃缺陷檢測方面的項目？有償求項目資源，有償求缺陷玻璃圖片！
2017-05-10 22:54:11
陽極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測量結果。這項研究的目的是了解在這些不同的環境下，氮化鎵蝕刻的動力學和機制。蝕刻后半導體表面的表面分析提供了關于蝕刻過程的附加信息。 實驗 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
% 的能源浪費，相當于節省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統層面的能源利用率的提高。當我們發現，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產制造環節減少80
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
V，并且氮化鎵耐電壓小于1000 V。正是由于這些區別，使得功率半導體廠商與研究開發廠商之間產生了一種“無聲的默契”。但是，以上所說的改變是非常有可能的。因為氮化鎵可以極大地減少晶片的缺陷（錯位）密度
2023-02-23 15:46:22
[img][/img]二氧化碳爆破加熱器中加熱電子元件叫什么有誰知道是什么
2016-07-15 17:32:17
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
）。[color=rgb(51, 51, 51) !important]從目前的應用上看，功率放大器主要由砷化鎵功率放大器和互補式金屬氧化物半導體功率放大器（CMOS PA）組成，其中又以GaAs PA為主
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
設備負荷。根據“ Insight Partners”對“到2027年歐洲氧化鋁陶瓷市場預測– COVID-19的影響和分析–按應用（電子和半導體，能源和電力，軍事和國防，汽車，工業，醫療等）的研究
2021-03-29 11:42:24
印刷電路板（PCB）焊接缺陷分析 1、引 言 焊接實際上是一個化學處理過程。印刷電路板（PCB）是電子產品中電路元件和器件的支撐件，它提供電路元件和器件之間的電氣連接。隨著電子技術的飛速發展
2013-10-17 11:49:06
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
請各位大俠么講解一下高阻態與不定態的區別?單片機的接口如何設置成高組態如何設置成不定態！
2012-08-26 16:52:47
阻礙業界在各種應用中采納氮化鎵器件，例如氮化鎵器件不僅使能激光雷達應用，而且在硅MOSFET以前占據主導地位的傳統應用中，如數據中心和車載電子，也逐漸轉用氮化鎵器件。本文將揭穿關于氮化鎵技術的最常見誤解
2023-06-25 14:17:47
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發布了相關技術，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
扮演著關鍵的角色。與此同時，美國國防部還通過了高級研究計劃局 (DARPA) 的寬帶隙半導體技術 (WBST) 計劃，該計劃在氮化鎵的早期開發中發揮了積極的推動作用。該項計劃于 2001 年正式啟動，力求
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世紀四大發明之一，半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優勢，是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
采用介質涂覆的球-筒電極結構,用以脈沖電壓條件下在水中產生放電,通過比色法檢測放電產生的過氧化氫,研究了不同電壓脈沖幅值、脈沖寬度(儲能電容的大小)、水的電導率以及脈沖頻率對過氧化氫產生速率
2010-05-13 09:12:45
汽車召回不僅會損害公司聲譽，而且成本高昂，與電子 設備相關的召回次數增多所帶來的影響讓廠商無法承受。汽車電子設備的一個已知風險是潛在缺陷，也就是在半導體晶圓廠的測試中或在組件封裝的后續老化測試中并未出現的故障。隨著時間的推移，這些缺陷會逐漸發展， 從而引發可能導致安全危害和昂貴召回的故障。
2019-08-01 08:26:51
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網
2013-07-15 16:49:07
電機的冷態、熱態是怎樣定義的？兩者如何判斷？滿負載時是熱態否則就是冷態是這樣嗎？
2023-12-13 08:16:41
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
，降低LED的光度。學術界希望把硅和氮化鎵整合在一起，但是有困難，主要困難是鎵與硅之間的大晶格失配。由于很高的缺陷密度，54%的熱膨脹系數，外延膜在降溫過程中產生裂紋。金屬架直接與硅襯底結束時會有化學
2014-01-24 16:08:55
納米三氧化二鋁包覆鋰電池正極材料效果明顯 出處：鋰電池導報 作用一：當電池充至高壓時，LiCoO2結構中的大量Co3+將會變成Co4+, Co4+的形成將導致氧缺陷的形成，這將會減弱過度金屬與氧之間
2014-05-12 13:49:26
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
。氧化鎵由于作為自己的基底，所以不存在不匹配的情況，也就沒有缺陷。日本埼玉的諾維晶科技術公司已經開發出150毫米的β-氧化鎵晶圓?！ ∪毡緡倚畔⑴c通信技術研究所（NICT，位于東京）的東脅正高
2023-02-27 15:46:36
焊料潤濕被焊板電路表面。一般采用白松香和異丙醇溶劑。(2)焊接溫度和金屬板表面清潔程度也會影響可焊性。溫度過高，則焊料擴散速度加快，此時具有很高的活性，會使電路板和焊料溶融表面迅速氧化，產生焊接缺陷
2018-03-11 09:28:49
迅速氧化，產生焊接缺陷，電路 板表面受污染也會影響可焊性從而產生缺陷，這些缺陷包括錫珠、錫球、開路、光澤度不好等。 2、翹曲產生的焊接缺陷 電路板和元器件在焊接過程中產生翹曲，由于應力變形而產生虛
2018-09-21 16:35:14
金屬氧化物變阻器應用于能量吸收電路的研究摘要：對金屬氧化物變阻器（MOV）的物理特性進行了分析，在此基礎上提出了將MOV 吸收能量的過程分為三個階段即：換流部分、線性吸收部分、電流漸近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
“重組”氫氣和氧氣，用以釋放能量，將是理想狀態?！ ∷固垢４髮W研究人員在不同溫度條件下測試三種金屬氧化物，分別是釩酸鉍、氧化鈦和氧化鐵，所獲結果超出預想：溫度升高時，電子通過這三種氧化物的速率加快，所
2016-03-07 15:18:52
在論述二氧化錫氣敏機理的基礎上，介紹了通過摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現狀，并對
2009-07-03 09:01:09
16 固體氧化物燃料電池研究進展和發展動態1在已研究發展的六類固體氧化物燃料電池電解質中，釔穩定氧化鋯（YSZ）、稀土金屬摻雜氧化鈰（RDC）、堿土摻雜鎵酸鑭（L
2009-11-09 11:48:0413 在論述二氧化錫氣敏機理的基礎上，介紹了通過摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現狀，并對其
2009-11-23 14:07:1028 結合某復合土工膜斜墻壩工程材料實際情況,自行設計試驗裝置,進行復合土工膜缺陷滲透量試驗研究.,經長期觀測得到復合土工膜在不同缺陷孔徑、不同水頭作用下的缺陷滲透量實測
2010-01-14 16:13:426 該文研究了銅互連線中的多余物缺陷對兩根相鄰的互連線間信號的串擾，提出了互連線之間的多余物缺陷和互連線之間的互容、互感模型，用于定量的計算缺陷對串擾的影響。提出
2010-02-09 15:03:506 車輛輪對踏面缺陷的光電檢測方法研究
鐵路車輛輪對踏面的擦傷與剝離是車輛在運行過程中形成的一種常見的不規則表面缺陷，是輪對檢修過程中必須檢測的一
2010-02-22 11:46:5510 氧化鎳電極的工作原理
氧化鎳電極的活性物質是具有一定晶型結構的氧化物β-NiOOH。晶格中某一數量的OH-被O2-代替叫質子缺陷；晶格中一定數量Ni2+被Ni3+
2009-11-05 17:38:362369 印刷電路板焊接缺陷研究 【摘 要】分析了印刷電路板（PCB）在焊接過程中產生缺陷的原因，提出了解決上述缺陷的一些辦法。
2010-03-10 09:02:121374 對輝鉬精礦在Na2MoO42Na2 SO4 體系的熔鹽氧化過程進行了研究 ,探索了不同的工藝參數對鉬的轉化率和脫
硫率的影響.研究結果表明 ,在熔鹽組成Na2MoO4 與Na2 SO4 質量比
2011-02-02 11:24:5017 文中工作旨在利用第一性原理來研究存在Stone-wales缺陷和單、雙空位缺陷的石墨烯的電子結構，探討多種缺陷對石墨烯電子結構的影響。
2012-02-20 15:04:226379 
缺陷形狀對油田注水管強度影響研究_劉清友_徐濤
2017-01-12 20:08:010 油罐底板腐蝕缺陷漏磁檢測及其應用研究
2017-05-22 15:06:275 隨著集成電路密度的不斷提高，多晶硅柵的線寬不斷變小，柵氧化層的厚度繼續變薄，多晶硅的刻蝕變得越來越關鍵。多晶硅柵的形貌控制，柵氧化層二氧化硅的損失等關鍵特征已經被普遍關注。多晶硅刻蝕中的另一種現象
2017-12-20 11:31:453872 鈍化層刻蝕對厚鋁鋁須缺陷影響的研究
2018-03-06 09:02:505607 缺陷漏磁成像技術一直是無損檢測領域的研究熱點之一，也是鐵磁性構件缺陷檢測與評估的重要手段。本文從缺陷的漏磁數據可視化、缺陷輪廓的二維漏磁成像以及缺陷的三維漏磁成像三個階段，對缺陷漏磁成像技術的發展
2018-03-21 14:48:284 電子器件是一個非常復雜的系統，其封裝過程的缺陷和失效也是非常復雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一個系統性的了解，這樣才能從多個角度去分析缺陷產生的原因。
2018-07-05 15:17:543836 
微弧氧化是在金屬及其合金表面生成陶瓷膜的一種表面處理技術，微弧氧化生成的陶瓷膜具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、絕緣等優良性能，在航天、航空、汽車、電子、造船等領域具有廣闊的應用前景。微弧氧化已經成為一個研究熱點，電源是制約微弧氧化發展的一個重要因素，本文針對微弧氧化電源展開研究。
2018-11-26 08:00:006 黃鐵礦氧化機制的研究已有一些報道[1 ,2 ] 。普遍認為在黃鐵礦的氧化過程中 , 氧化亞鐵硫桿菌 ( Thiobacillus ferroxidans ) 起著決定性因素的作用。然而 , 在已有
2020-11-16 13:54:300 摘要：半導體器件制備過程中，SiO2犧牲氧化層經常作為離子注入的阻擋層，用來避免Si材料本身直接遭 受離子轟擊而產生缺陷，犧牲氧化層在注入完成之后，氧化層的性質和結構會發生較大變化，在被腐蝕去除
2020-12-30 10:24:574773 
在相對較高的溫度和常壓下無損耗導電的世界紀錄，但是它的電子有沒有同樣的行為呢？這些答案可能有助于推進新的非傳統超導體合成。 ? 并將其用于輸電、運輸和其他應用，還可以揭示銅酸鹽是如何的機制。但經過30多年的研究，這仍然是一
2021-01-06 11:41:012449 
? 簡介：電子器件是一個非常復雜的系統，其封裝過程的缺陷和失效也是非常復雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一個系統性的了解，這樣才能從多個角度去分析缺陷產生的原因。 1. 封裝缺陷與失效
2021-01-12 11:36:083657 
電子發燒友網為你提供封裝缺陷與失效的研究方法論資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:47:0111 引言 近年來，氧化鋅薄膜因其低成本、低光敏性、無環境問題、特別是高遷移率而被研究作為薄膜晶體管中的有源層來代替非晶硅。此外，氧化鋅的低溫制造使得在塑料薄膜上制造成為可能。氧化鋅(ZnO)半導體由于
2022-01-06 13:47:53582 電子器件是一個非常復雜的系統，其封裝過程的缺陷和失效也是非常復雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一個系統性的了解，這樣才能從多個角度去分析缺陷產生的原因。
2022-02-10 11:09:3713 我們觀察到半導體制造過程中光刻膠掩模氧化硅濕法刻蝕過程中形成新的樹枝狀缺陷(DLD)。樹突是分枝狀晶體，表現出顯示晶體方向性的形態特征，如直的初生莖、次生側臂，甚至第三紀分枝。當非多面材料從過冷
2022-03-15 11:28:531056 
為了研究鋼板表面與背部缺陷多頻平衡電磁檢測相關問題，驗證多頻平衡電磁方法對管道內外缺陷的檢測效果，研究功率放大器在弱信號中的應用，特進行以下實驗驗證。
2022-03-22 13:51:231248 
鑒于目前國內還沒有全面細致論述半導體芯片表面缺陷檢測方法的綜述文獻，本文通過對 2015—2021 年相關文獻進行歸納梳理，旨在幫助研究人員快速和系統地了解該領域的相關方法與技術。本文主要
2022-07-22 10:27:124037 鍛件折疊缺陷主要是由于在鍛造的過程中，金屬發生部分氧化、局部金屬發生變形、金屬原材料不均勻等導致金屬內部發生疲勞破壞，對于管接頭鍛造件表現為圓柱面產生較大裂縫。在檢測系統中，折疊缺陷在檢測工位五進行檢測，相機曝光度設為26300，現場采集的圖片如下圖所示。
2022-10-09 16:35:56643 如何開發出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。
2022-12-21 10:21:58557 電子線材銅導體氧化發黑的原因有很多，可能是由于原銅質量、生產過程中導體保存不當或使用環境等原因造成的。今天康瑞連接器廠家主要為大家分析使用過程中氧化的原因。
電子線材為什么會氧化
2023-01-03 16:10:091181 超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現大尺寸單晶襯底等優勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
制造業的全面智能化發展對工業產品的質量檢測提出了新的要求。本文總結了機器學習方法在表面缺陷檢測中的研究現狀，表面缺陷檢測是工業產品質量檢測的關鍵部分。首先，根據表面特征的用途，從紋理特征、顏色特征
2023-08-17 11:23:29530 
氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。
2023-08-17 14:24:16412 
，另一方面需要控制材料表面的缺陷密度，減少由缺陷導致的碲鎘汞外延片可用面積損失。研究人員已經對碲鎘汞薄膜的表面缺陷進行了大量研究。液相外延碲鎘汞材料表面出現的貫穿型缺陷深度超過10 μm，與碲鎘汞材料的厚度相近，可達碲鋅鎘襯底界面
2023-09-10 08:58:20368 
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