在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。

首先我們要知道，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種能夠?qū)崿F(xiàn)電壓控制、功率放大、信號(hào)調(diào)制和隔離等功能的關(guān)鍵電子器件。它的主要結(jié)構(gòu)由三個(gè)電極和一個(gè)半導(dǎo)體溝道（指連接源極和漏極的半導(dǎo)體區(qū)域）組成。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)電極分別是?源極、柵極和漏極?，它們的功能和雙極型晶體管的發(fā)射極、基極和集電極類似。源極是輸入信號(hào)的源頭，漏極是輸出信號(hào)的終點(diǎn)，柵極是控制信號(hào)的輸入端。

名詞解釋：“柵極”“源極”“漏極”

柵極(gate electrode) —— gate是門(mén)的意思。中文翻譯做柵，柵欄。electrode，電極。

源極(source)——source指資源，電源。中文翻譯為源極。起發(fā)射作用的電極。

漏極(drain)——drain意味排出，泄漏。中文翻譯為漏極。起集電作用的電極。

不同類型的場(chǎng)效應(yīng)管有不同的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，例如：

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）?——是在N型或P型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié)，形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型或P型溝道的結(jié)構(gòu)。柵極和溝道之間有一個(gè)反向偏置的PN結(jié)，因此柵極電流很小。

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）?——是在N型或P型半導(dǎo)體硅片上覆蓋一層金屬氧化物（通常是二氧化硅）作為柵極絕緣層，然后在上面制造一個(gè)金屬或多晶硅作為柵極。柵極和溝道之間有一層絕緣層，因此柵極電流幾乎為零。

金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET）?——是在高遷移率的半導(dǎo)體材料（如GaAs）上制造一個(gè)金屬與半導(dǎo)體之間的肖特基勢(shì)壘作為柵極。柵極和溝道之間有一個(gè)肖特基勢(shì)壘，因此柵極電流很小。

名詞解釋：肖特基勢(shì)壘（英語(yǔ)：Schottky barrier）是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體界面，就如同二極管具有整流特性。肖特基勢(shì)壘（障壁）相較于PN接面最大的區(qū)別在于具有較低的接面電壓，以及在金屬端具有相當(dāng)薄的（幾乎不存在）耗盡層寬度。肖特基勢(shì)壘命名自德國(guó)物理學(xué)家華特·蕭特基（Walter Hermann Schottky）。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的?特點(diǎn)是柵極和溝道之間沒(méi)有直接接觸?，而是?通過(guò)電場(chǎng)來(lái)控制溝道的導(dǎo)通性，?因此也稱為電場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

當(dāng)N溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極接正偏置電壓時(shí)，在溝道兩側(cè)形成兩個(gè)p型區(qū)域，稱為反型層。這時(shí)溝道中的多數(shù)載流子（電子）受到柵極電場(chǎng)的吸引，向反型層靠攏，形成一個(gè)導(dǎo)電溝道。柵極電壓越高，導(dǎo)電溝道越寬，溝道電阻越小，從源極到漏極的電流越大。因此，柵極電壓可以控制溝道電流的大小，從而實(shí)現(xiàn)電壓控制電流的作用。這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管也稱為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

相反，如果柵極接負(fù)偏置電壓或零偏置電壓，則溝道中沒(méi)有反型層，無(wú)法形成導(dǎo)電溝道，從源極到漏極的電流為零。這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管也稱為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以用于放大、開(kāi)關(guān)、邏輯運(yùn)算等功能。

例如，在模擬電路中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以將輸入信號(hào)的變化轉(zhuǎn)換為輸出信號(hào)的變化；在數(shù)字電路中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以作為開(kāi)關(guān)控制邏輯狀態(tài)的變化；在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是構(gòu)成集成電路和微處理器的基本單元。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管憑借比雙極型晶體管更高的輸入阻抗、更低的功耗、更小的尺寸和更高的集成度等優(yōu)點(diǎn)，成為一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。它不僅可以用作音頻放大器、射頻放大器、運(yùn)算放大器等信號(hào)處理電路中的關(guān)鍵部件，也可以用作液晶顯示器、觸摸屏、太陽(yáng)能電池等光電器件中的驅(qū)動(dòng)元件，還可以用作生物傳感器、化學(xué)傳感器、溫度傳感器等測(cè)量設(shè)備中的敏感元件，等等。

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，它們被廣泛應(yīng)用于與我們生活息息相關(guān)的各個(gè)領(lǐng)域，它們的存在對(duì)改善人類的生活質(zhì)量和提高社會(huì)效率有著積極的意義。

本文向大家介紹了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本概念、結(jié)構(gòu)、工作原理和功能特點(diǎn)，希望能大家對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管能有一個(gè)初步的認(rèn)識(shí)和了解。

作為科普力量的一部分，希望能夠通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體知識(shí)的普及和傳播，讓更多的人了解半導(dǎo)體的奧妙和魅力，增強(qiáng)對(duì)科學(xué)技術(shù)的信心和熱情。只有當(dāng)我們對(duì)半導(dǎo)體給予了足夠的關(guān)注，半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展才能不斷向前推進(jìn)。

來(lái)源：半導(dǎo)體材料與設(shè)備

審核編輯：湯梓紅